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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
半导体结构
专利申请号：CN201410276358.7
公 开 号：CN105226094A
发 明 人：陈永初
代 理 人：任岩
代理机构：11021 中科专利商标代理有限责任公司
专利类型：发明申请
申 请 日：20160106
公 开 日：20140619
专利主分类号：H01L29/78(20060101)
关 键 词：重掺杂区 第一阱 基板 栅介电质 半导体结构 掺杂类型 基板上 栅电极 均一 一侧 一种 横跨 延伸 公开
摘 要：本发明公开了一种半导体结构。此一半导体结构包括一基板、形成于基板中的一第一阱、形成于第一阱中的一第一重掺杂区、形成于基板中并与第一阱分离的一第二重掺杂区、形成于基板中第二重掺杂区下的一第二阱、形成于基板上介于第一重掺杂区及第二重掺杂区之间的一栅介电质、以及形成于栅介电质上的一栅电极。栅介电质至少在横跨延伸自接近第二重掺杂区的一侧的一部分具有实质上均一的厚度。第一阱具有第一掺杂类型。第一重掺杂区、第二重掺杂区及第二阱具有第二掺杂类型。
