萧基二极管装置及其制造方法

专利申请号：CN200910203127.2

公 开 号：CN101901840A

发 明 人：白煌朗 蔡宏圣 

代 理 人：任默闻

代理机构：11127 北京三友知识产权代理有限公司

专利类型：发明申请

申 请 日：20101201

公 开 日：20090527

专利主分类号：H01L29/872(20060101)

关 键 词：掺杂区 二极管装置 阳极 阴极区 半导体结构表面 漂移 阴极 半导体结构 崩溃电压 隔离结构 面积电流 阳极电极 阴极电极 电性 掺杂 露出 

摘      要：本发明提供一种萧基二极管装置及其制造方法，所述萧基二极管装置包括：一p型半导体结构；一n型漂移区，设置于所述p型半导体结构表面，包括掺质浓度相异的一第一n型掺杂区以及一第二n型掺杂区，而所述第二n型掺杂区具有较所述第一n型掺杂区为高的掺质浓度；多个隔离结构，设置于所述第二n型掺杂区内，以定义出一阳极区以及一阴极区；一第三n型掺杂区，设置于为所述阴极区所部分露出的所述第二n型掺杂区表面；一阳极电极，设置于所述阳极区内的所述第一n型掺杂区之上；以及一阴极电极，设置于所述阴极区内的所述第三n型掺杂区之上。本发明提供了一种萧基二极管装置及其制造方法，以改善其崩溃电压与单位面积电流等电性表现。