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有序波形纳米结构形成方法
专利申请号：CN200480029327.6
公 开 号：CN1894157B
代 理 人：孙爱
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
专利类型：发明专利
申 请 日：20100811
公 开 日：20041008
专利主分类号：B82B3/00(20060101)
关 键 词：纳米结构 溅射 半导体材料 离子轰击能量 周期性波形 波峰方向 均匀分子 离子入射 波幅 硅结构 离子流 砷化物 波长 变体 离子 照射
摘 要：用于形成有序波形纳米结构的方法，该方法在于：用均匀分子氮离子N2+流溅射半导体材料，直到在材料表面形成所述纳米结构的波峰方向垂直于离子入射平面的周期性波形纳米结构；为了增长纳米结构波幅，用O2+离子流在与N2+轰击平面相重合的轰击平面进行补充溅射；选择O2+离子轰击能量及角度以便使在用N2+和O2+单独照射时形成的波形纳米结构的波长相重合。对砷化物、镓和硅结构还提出了3个形成有序波形纳米结构的变体。
