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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
专利申请号:CN201721119351.X
公 开 号:CN207096344U
代 理 人:逯长明;许伟群
代理机构:11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
专利类型:实用新型
申 请 日:20180313
公 开 日:20170901
专利主分类号:G01R29/12(20060101)
关 键 词:盆式绝缘子 电场测量单元 高压电源模块 数据处理单元 表面电荷 高压电极 供能单元 试验装置 绝缘子 测量 空间电场测量 数据计算模块 性能测试技术 传感器模块 局部电场 绝缘材料 显示模块 沿面闪络 正压容器 畸变 申请 积聚
摘 要:本申请涉及绝缘材料性能测试技术领域,具体涉及一种500kV GIS盆式绝缘子VFTO试验装置。实际运行中的GIS盆式绝缘子表面会积聚表面电荷,表面电荷的存在将使得局部电场发生畸变,造成VFTO下绝缘子沿面闪络;对空间电场测量造成干扰,使得测量误差变大。本申请提供一种500kV GIS盆式绝缘子VFTO试验装置,包括电场测量单元、数据处理单元和供能单元;所述电场测量单元包括正压容器模块、高压电极模块、待测盆式绝缘子模块和传感器模块;所述数据处理单元包括数据计算模块和显示模块;所述供能单元包括高压电源模块,所述高压电源模块与所述高压电极模块相连接。测量干扰小,误差小,精度高。