晶体管的形成方法

专利申请号：CN201310754245.9

公 开 号：CN104752226B

发 明 人：张海洋 尚飞 

代 理 人：骆苏华

代理机构：11227 北京集佳知识产权代理有限公司

专利类型：授权发明

申 请 日：20180501

公 开 日：20131231

专利主分类号：H01L21/336(20060101)

关 键 词：硬掩模层 伪栅 去除 光刻掩模 刻蚀 伪栅结构 脉冲等离子体 介质层 衬底 开口 层间介质层 衬底表面 干法刻蚀 金属栅极 图形转移 伪栅表面 晶体管 对层 掩模 污染物 损伤 覆盖 

摘      要：本发明提供一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底表面形成包括伪栅的伪栅结构，在衬底上形成层间介质层，在层间介质层上覆盖硬掩模层，在硬掩模层上形成光刻掩模层，并将光刻掩模层的图形转移到所述硬掩模层中，以在硬掩模层中形成露出伪栅的开口，去除光刻掩模层，以硬掩模层为掩模，采用脉冲等离子体刻蚀去除所述伪栅，在去除伪栅所形成的开口中形成金属栅极。在去除伪栅之前，先去除硬掩模层上方的光刻掩模层，使得伪栅结构上方只存在硬掩模层，在对伪栅结构中的伪栅进行干法刻蚀的过程中，伪栅表面的污染物较少，采用较低刻蚀强度的脉冲等离子体刻蚀即可将伪栅去除干净，避免了较高的刻蚀强度对层间介质层的损伤。