顶栅薄膜晶体管的制作方法及顶栅薄膜晶体管

专利申请号：CN201610979889.1

公 开 号：CN106409842A

发 明 人：张合静 葛世民 

代 理 人：黄威

代理机构：深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)

专利类型：发明申请

申 请 日：20170215

公 开 日：20161108

专利主分类号：H01L27/12(20060101)

关 键 词：氧化物半导体层 漏区 源区 顶栅薄膜晶体管 栅极绝缘层 玻璃基板 沉积层 沟道区 漏极 源极 玻璃基板表面 化学气相沉积 表面导体 开态电流 栅极表面 导体化 电连接 迁移率 制作 保证 

摘      要：本发明提供一种顶栅薄膜晶体管的制作方法及顶栅薄膜晶体管，所述制作方法包括如下步骤：提供一玻璃基板；在所述玻璃基板上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括源区、漏区及沟道区；在所述氧化物半导体层上沟道区对应位置形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极；在所述栅极表面、所述氧化物半导体层表面及玻璃基板表面采用化学气相沉积的方法沉积层间介质，所述源区及漏区表面导体化；形成源极及漏极，所述源极及漏极分别与所述氧化物半导体层的源区及漏区电连接。本发明的优点在于，能够在沉积层间介质时便可导体化，可以保证较高的迁移率及开态电流。