用于测试半导体存储器件的装置和方法

专利申请号：CN200410057582.3

公 开 号：CN100442396C

发 明 人：赵诚范 

代 理 人：黄小临;王志森

代理机构：11105 北京市柳沈律师事务所

专利类型：授权发明

申 请 日：20081210

公 开 日：20040820

专利主分类号：G11C29/00(20060101)

关 键 词：测试模式信号 半导体存储器件 编程控制信号 频率转换器 测试装置 第一频率 测试器 测试半导体 操作性能 选择性地 存储器 响应 转换 检测 

摘      要：提供了一种用于测试半导体存储器件的装置和方法，其中测试模式信号的频率能够选择性地被改变。所述测试装置包括主测试器、输入频率转换器和输出频率转换器。所述主测试器产生具有第一频率的第一输入测试模式信号、第一编程控制信号、和第二编程控制信号，接收具有第一频率的第一输出测试模式信号，并且检测半导体存储器件的操作性能。所述输入频率转换器响应于第一编程控制信号而将所述第一输入测试模式信号转换成具有第二频率的第二输入测试模式信号，并且将所述第二输入测试模式信号输出至半导体存储器件。所述输出频率转换器响应于第二编程控制信号而将从半导体存储器件接收的、具有第二频率的第二输出测试模式信号转换成所述第一输出测试模式信号，并且输出所述第一输出测试模式信号。所述测试装置和方法可以通过选择性改变测试模式信号的频率来测试具有高操作频率的半导体存储器件。