湿法腐蚀制造的微机械电容式加速度传感器

专利申请号：CN200510008053.9

公 开 号：CN100492015C

发 明 人：熊斌 朱建军 车录锋 王跃林 

代 理 人：潘振甦

代理机构：31002 上海智信专利代理有限公司

专利类型：授权发明

申 请 日：20090527

公 开 日：20020412

专利主分类号：G01P15/125(20060101)

关 键 词：加速度传感器 单晶硅 电容式加速度传感器 微机械电容 电容加速度传感器 微电子机械系统 电容极板间隙 各向异性腐蚀 各向异性湿法 选择性腐蚀 固定电极 平行电极 灵敏度 电极 电容 成品率 湿法 腐蚀 补偿 牺牲 

摘      要：本发明涉及一种湿法制造的微机械电容式加速度传感器，属于微电子机械系统领域。其特征在于，最为关键的是利用补偿条结构牺牲方法和(110)单晶硅在各向异性腐蚀液中选择性腐蚀特性，采用硅各向异性湿法腐蚀在(110)单晶硅上制造出所需要的电容式加速度传感器结构，电容加速度传感器可动电极和固定电极同时形成在(110)单晶硅上，电容极板间隙为3-15微米。电容的平行电极必须严格对准(111)晶向。本发明提供的方法简化了微机械电容式加速度传感器的制造工艺，提高了电容式加速度传感器的成品率，而且也使制造出来的加速度传感器具有高的灵敏度和输出稳定性。