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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
专利申请号:CN201711373706.2
公 开 号:CN108170197A
发 明 人:唐枋
代 理 人:吴从吾
代理机构:50218 重庆信航知识产权代理有限公司
专利类型:发明申请
申 请 日:20180615
公 开 日:20171219
专利主分类号:G05F1/567(20060101)
关 键 词:电阻 放大器 核结构 三极管 高精度模数转换器 带隙基准电路 高阶温度补偿 带隙基准源 物联网系统 调整补偿 高阶补偿 基准电压 温度系数 分辨率 一阶 应用
摘 要:本发明公开了一种高精度的高阶补偿带隙基准电路;包括电阻R2、R1和两个三极管还有一个放大器,由电阻R2、R1和两个三极管还有一个放大器组成了一阶基准核结构,并通过电阻R3、R4、R5来调整补偿电流和基准电压的大小、精度;本次设计的带隙基准源采用不同于以往的高阶温度补偿技术,不仅进一步降低了温度系数,而且采用了新型的基准核结构,使其电压精度和分辨率可以做到很高,使其可以应用在物联网系统中的高精度模数转换器中。