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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
非易失性存储器和半导体集成电路器件
专利申请号：CN03138188.X
公 开 号：CN100338682C
发 明 人：大石司
代 理 人：刘宗杰;叶恺东
代理机构：72001 中国专利代理(香港)有限公司
专利类型：授权发明
申 请 日：20070919
公 开 日：20030530
专利主分类号：G11C11/15(20060101)
关 键 词：存储单元 连接 数据读出电路 位线 存储单元阵列 模式控制信号 存取控制 基准数据 对存储 存储
摘 要：存储单元阵列(10)包含多个存储单元(MC)和虚设存储单元(DMC)。列选择部(27)根据模式控制信号(MDS)切换对存储单元的存取控制。列选择部(27)在第1模式下选择1个存储单元列，将与1个选择存储单元连接的第1或第2位线(BL或BL#)以及与虚设存储单元连接的第1和第2基准数据线(DLr0、DLr1)同数据读出电路(60)进行连接。列选择部(27)在第2模式下将分别与存储互补的数据的成对的2个选择存储单元连接的第1和第2位线(BL和BL#)同数据读出电路(60)进行连接。
