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一种提高带隙基准源输出电源抑制比的方法及相应的电路
专利申请号：CN201010255933.7
公 开 号：CN101916128A
发 明 人：聂辉 鲁文高 陈中建 赵汗青 方然 王冠男 张雅聪 吉利久
代 理 人：贾晓玲
代理机构：北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)
专利类型：发明申请
申 请 日：20101215
公 开 日：20100818
专利主分类号：G05F3/24(20060101)
关 键 词：基准源 误差放大器 电路 带隙基准源输出电源 模拟集成电路设计 电源电压抑制比 运算放大器电路 电源电压范围 电源抑制比 电路实现 核心电路 环路控制 性能保证 应用价值 低功耗 复杂度 偏置 微电子 竞争力
摘 要：本发明提供一种提高带隙基准源输出电源抑制比的方法及相应的电路，属于微电子模拟集成电路设计领域。本发明利用带隙基准核心电路在误差放大器的环路控制内，且误差放大器的电源电压抑制比等于或近似为1，实现带隙基准源宽电源电压范围、低功耗、自偏置等特性，本发明带隙基准源产生电路通过对其中运算放大器电路的合适设计，在其他性能保证的情况下，显著提高带隙基准源的电源抑制比。电路实现复杂度低，可在相同代价的情况下实现更有竞争力的性能，具有很高的实际应用价值。
