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单晶片磁电阻式存储器

单晶片磁电阻式存储器

专利申请号:CN200580047202.0

公 开 号:CN101128882

发 明 人:詹前疆 詹姆斯·C·赖 

代 理 人:陈亮

代理机构:上海专利商标事务所有限公司

专利类型:发明专利

申 请 日:20080220

公 开 日:20050125

专利主分类号:G11C11/00

摘      要:一种单晶片有一底材与至少一磁电阻式存储器层。此底材有一个铺在底层的 存储器与一个控制单元。此磁电阻式存储器层放置在底材上,且具有由控制电路所 控制的多个磁电阻式随机存取存储器单元。

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