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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
窄隙电容耦合反应器的射频脉冲调制
专利申请号：CN200480019139.5
公 开 号：CN1816893
代 理 人：杨凯;张志醒
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
专利类型：发明专利
申 请 日：20060809
公 开 日：20040429
专利主分类号：H01J37/32
摘 要：提供了一种用于对晶片上的一层进行等离子体蚀刻的装置。提供 了一种电容耦合加工室。提供气体源。在加工室中提供第一和第二电 极。第一射频电源电连接到第一和第二电极中的至少一个,其中第一 射频电源提供射频功率。第二射频电源电连接到第一和第二电极中的 至少一个。第一调制控制器连接到第一射频电源,提供第一射频电源 的控制调制。
