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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
具有在分别的接合衬底上形成的沟道、电极及半导体的电子器件
专利申请号：CN200980145876.2
公 开 号：CN102217072A
发 明 人：郑柔妮 王宗斌 P·阿拉伽潘 S·G·玛瑟卡 I·P·M·维贾亚 I·罗德里格斯
代 理 人：李玲
代理机构：31100 上海专利商标事务所有限公司
专利类型：发明申请
申 请 日：20111012
公 开 日：20090922
专利主分类号：H01L29/66(20060101)
关 键 词：衬底 流体沟道 半导体 电极 接合构件 流体 调制 第二构件 第一构件 电子器件 聚合材料 碳纳米管 桥接
摘 要：一种电子器件具有两个接合构件。第一构件包括：界定用于接收流体的流体沟道的衬底，以及在衬底上形成并被流体沟道分隔开的第一和第二电极。第二构件包括衬底和在衬底上形成的半导体。该半导体具有可调制电性质。接合构件，其中半导体跨过流体沟道桥接电极并靠近流体沟道，从而允许半导体电性质由在流体沟道中接收的流体来调制。电极和半导体可实质上包含碳纳米管。衬底可包括可层叠材料。各衬底可实质上包含聚合材料。
