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校平半导体晶圆的方法及装置,及平坦度改进的半导体晶圆
专利申请号：CN200510120393.0
公 开 号：CN1773682
发 明 人：特蕾西娅·鲍尔 罗伯特·赫茨儿 安德烈亚斯·许贝尔 赖因霍尔德·瓦利希
代 理 人：王英
代理机构：永新专利商标代理有限公司
专利类型：发明专利
申 请 日：20060517
公 开 日：20051111
专利主分类号：H01L21/306
摘 要：本发明涉及一种用于校平半导体晶圆的方法,包括下列步骤： a)描述该半导体晶圆特征的参数的与位置相关的测量,以便在 该半导体晶圆的整个表面上确定该参数的与位置相关的值, b)在蚀刻介质作用及该整个表面同时照明的情况下,对该半导 体晶圆的整个表面进行蚀刻处理,该蚀刻处理的材料—去除速率取决 于该半导体晶圆表面的光强,并且以通过与位置相关的材料—去除速 率降低了步骤a)中所测量的该参数的与位置相关的诸值之间的差异 的方式、以与位置相关的方式预设该光强。 本发明还涉及平坦度及纳米构形改善的半导体晶圆、具有改善的 层厚均匀性的SOI晶圆及实施本发明方法的装置。
