一种基于低温热键合的芯片原子钟微型气室的制备方法

专利申请号：CN201710392969.1

公 开 号：CN107298427A

发 明 人：张彦军 闫树斌 李云超 张志东 

代 理 人：朱源

代理机构：14100 太原科卫专利事务所(普通合伙)

专利类型：发明申请

申 请 日：20171027

公 开 日：20170527

专利主分类号：B81C1/00(20060101)

关 键 词：碱金属原子 气室 微型气室 热键合 原子钟 制备 芯片 玻璃 常规阳极 光学领域 缓冲气体 温度过高 系统领域 原子气室 噪声问题 半封闭 键合层 结合力 气密性 退极化 粘合层 成键 驰豫 基底 键合 气化 制作 密封 

摘      要：本发明属光学领域和微纳系统领域，具体为一种基于低温热键合的芯片原子钟微型气室的制备方法。一种基于低温热键合的芯片原子钟微型气室的制备方法，包括气室键合层基底的制作、半封闭气室的制作、碱金属原子的注入、缓冲气体的注入与气室的密封四个阶段。本发明与现有的技术相比，（1）避免了“玻璃‑硅‑玻璃常规原子气室不同质造成原子退极化驰豫引起的噪声问题。（2）克服了不同质粘合层原子成键结合力弱造成气密性不佳的问题。（3）防止了常规阳极键合的温度过高（温度300℃）使碱金属原子大量气化外溢导致碱金属原子密度低的问题。