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双极型半导体器件和制造方法
专利申请号：CN201010287596.X
公 开 号：CN102054859A
发 明 人：H-J·舒尔策 F·J·桑托斯罗德里格斯
代 理 人：李娜;李家麟
代理机构：72001 中国专利代理(香港)有限公司
专利类型：发明申请
申 请 日：20110511
公 开 日：20100917
专利主分类号：H01L29/70(20060101)
关 键 词：半导体器件 空穴迁移率 双极型 沟道 分布结构 空穴电流 掺杂
摘 要：本发明涉及双极型半导体器件和制造方法。提供具有空穴电流再分布结构(10)的双极型半导体器件(100)和n沟道IGBT(100)。n沟道IGBT(100)具有：p掺杂的主体区(3)，具有第一空穴迁移率；以及子区(10)，其完全嵌在主体区(3)内且具有比第一空穴迁移率低的第二空穴迁移率。而且，提供一种用于形成双极型半导体器件(100)的方法。
