蚀刻量检测方法、蚀刻方法和蚀刻装置

专利申请号：CN200410042961.5

公 开 号：CN1574243

发 明 人：野泽秀二 西牧克洋 

代 理 人：龙淳

代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20050202

公 开 日：20040604

专利主分类号：H01L21/3065

摘      要：本发明提供一种蚀刻量检测方法、蚀刻方法和蚀刻装置,能够与掩模层的种类无关地正确检测被蚀刻层的蚀刻量。光La的一部分在光刻胶掩模层(316)的上面反射,得到反射光La1。光La的另一部分在孔H的底面反射,得到反射光La2。反射光La1与反射光La2相互干涉重合,产生干涉光Lai。光Lb的一部分在光刻胶掩模层(316)与多晶硅膜(304)的界面反射,得到反射光Lb1。光Lb的另一部分在光刻胶掩模层(316)的上面反射,得到反射光Lb2。反射光Lb1与反射光Lb2相互干涉重合,产生干涉光Lbi。使用干涉光Lai与干涉光Lbi,算出多晶硅膜(304)的蚀刻量。