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具有拼合顶板结构的铁电记忆体装置及其制造方法

具有拼合顶板结构的铁电记忆体装置及其制造方法

专利申请号:CN200310124349.8

公 开 号:CN1519940

发 明 人:崔殷硕 廉胜振 

代 理 人:贾静环;宋莉

代理机构:北京市柳沈律师事务所

专利类型:发明专利

申 请 日:20040811

公 开 日:20031230

专利主分类号:H01L27/10

摘      要:本发明的铁电记忆体装置包含:提供有晶体管元件的半导体基板;形成于半导体基板上的第一内夹绝缘层;储存节点接点,通过穿过第一内夹绝缘层而连接于晶体管的元件上;屏障层,同时与储存节点接点及第一内夹绝缘层接触;下边电极,具有用于隔离第一内夹绝缘层且形成于屏障层上的空间;胶层,形成于第一内夹绝缘层上且在填充空间时包围下边电极的各横向侧边;第二内夹绝缘层,暴露出下边电极的表面且包围胶层;铁电层,形成于包含第二内夹绝缘层的胶层上;以及上边电极,形成于铁电层上。

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