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半导体集成电路器件、其上存储了单元信息库的存储媒质、以及半导体集成电路的设计方法
专利申请号：CN98812671.0
公 开 号：CN1294783
代 理 人：王永刚
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
专利类型：发明专利
申 请 日：20010509
公 开 日：19981216
专利主分类号：H03K19/094
摘 要：一种半导体集成电路器件包含MOSFET。运行速度与MOSFET的漏电流引起的功耗被适当地协调。沿半导体集成电路器件中的信号路径中的具有经由此路径传播的信号的延迟裕度的信号路径,提供了具有高的阈值电压的MOSFET,而沿不具有经由此路径传播的信号的延迟裕度的信号路径,提供了具有低的阈值电压、大的漏电流和高的运行速度的MOSFET。
