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一种制作半导体薄膜的方法
专利申请号：CN201010247730.3
公 开 号：CN102376889A
发 明 人：李冬梅 汪幸 刘明 周文 侯成诚 闫学锋 谢常青 霍宗亮
代 理 人：周国城
代理机构：11021 中科专利商标代理有限责任公司
专利类型：发明专利
申 请 日：20120314
公 开 日：20100806
专利主分类号：H01L51/00(20060101)
关 键 词：酞菁锌 碳纳米管 敏感膜 传感器 声表面波气体传感器 半导体薄膜 混合溶液 敏感材料 酞菁材料 真空烘干 灵敏度 延迟线 振荡器 检测 延迟 掺杂
摘 要：本发明公开了一种制作半导体薄膜的方法，该方法是在声表面波气体传感器的制造过程中，在双延迟线型振荡器的一条延迟线上滴涂碳纳米管与酞菁锌的混合溶液，并真空烘干而形成敏感膜的。因为通过将酞菁锌作为敏感材料去尝试制作敏感膜，使得常温下使用酞菁材料去检测NO2气体变为可能，而且掺杂的碳纳米管/酞菁锌传感器与纯的酞菁锌传感器相比，灵敏度和检测质量也会有一定的提高。
