考虑交叉耦合效应的IPMSM低速段无位置传感器控制方法

专利申请号：CN201810698471.2

公 开 号：CN108900127A

发 明 人：言钊 颜建虎 费晨 汪盼 姚超 

代 理 人：朱沉雁

代理机构：32203 南京理工大学专利中心

专利类型：发明专利

申 请 日：20181127

公 开 日：20180629

专利主分类号：H02P21/04(20060101)

关 键 词：交叉耦合 无位置传感器控制 交叉耦合效应 负序电流 注入法 滤出 电机 矢量控制系统 无位置传感器 带通滤波器 高通滤波器 近似关系式 高频电流 高频电压 高频信号 角度偏差 离线测量 实际转子 转子位置 矢量 低速段 锁相环 同步轴 构建 解耦 拟合 轴系 估算 响应 改进 

摘      要：本发明公开了一种考虑交叉耦合效应的IPMSM低速段无位置传感器控制方法，具体步骤：首先构建电机基于旋转高频信号注入法的无位置传感器矢量控制系统，旋转高频电压矢量从αβ轴系注入，用一个带通滤波器滤出高频电流响应iαβi，再用一个高频同步轴系高通滤波器滤出高频负序电流iαβin；其次离线测量电机在不同id、iq处的交叉耦合因子λ，并拟合出λ关于id、iq的近似关系式，利用此关系式根据无位置传感器控制下的id、iq解出此时的λ值；最后结合λ对iαβin中的实际转子位置θr和因交叉耦合产生的角度偏差θm实现解耦，用改进的锁相环估计出转子位置。本发明结合交叉耦合因子来处理高频负序电流，消除了交叉耦合效应对旋转高频注入法估算精度的影响。