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用于生成NAND闪存中的软信息的系统和方法
专利申请号：CN201210167149.X
公 开 号：CN102800351A
代 理 人：酆迅
代理机构：11256 北京市金杜律师事务所
专利类型：发明申请
申 请 日：20121128
公 开 日：20120523
专利主分类号：G11C7/24(20060101)
关 键 词：存储器单元 阈值电压 电压值 参考信号存储器 位置信息标识 阈值电压范围 单个容器 多个容器 索引 响应
摘 要：本发明涉及用于生成NAND闪存中的软信息的系统和方法。提供了用于生成与存储器单元的阈值电压有关的软信息的系统和方法。存储器单元的阈值电压范围被划分成阈值电压值的子区域，在此称为容器。测量响应于施加的参考信号存储器单元的输出。施加的参考信号包括电压值和位置信息。基于参考信号的位置信息标识单个容器。基于存储器单元的输出和参考信号的电压值将所标识的容器分裂为多个容器。向新分裂的容器和未分裂的所有其他容器指派新的容器索引。
