基于La基栅的LaAlO<Sub>3</Sub>/SrTiO<Sub>3</Sub>异质结场效应晶体管及制作方法

专利申请号：CN201510760804.6

公 开 号：CN105470306A

发 明 人：刘红侠 赵璐 陈煜海 冯兴尧 汪星 费晨曦 

代 理 人：王品华;朱红星

代理机构：61205 陕西电子工业专利中心

专利类型：发明专利

申 请 日：20160406

公 开 日：20151110

专利主分类号：H01L29/78(20060101)

关 键 词：薄膜 栅介质材料 异质结场效应晶体管 栅电极 栅电容 栅极击穿电压 热稳定性好 电荷控制 介电常数 晶体衬底 晶体管的 控制能力 器件沟道 性能稳定 设有 自下而上 保护层 电容对 栅结构 叠栅 可用 漏极 一种 源极 中栅 构成 制造 公开 解决 

摘      要：本发明公开了一种基于La基栅结构的LaAlO3/SrTiO3异质结场效应晶体管及制作方法，主要解决现有技术中栅电容对器件沟道电荷控制能力弱的问题。其自下而上包括：SrTiO3晶体衬底(1)，LaAlO3薄膜(2)，LaAlO3薄膜(2)上设有源极(4)，漏极(5)和栅电极(6)；LaAlO3薄膜(2)与栅电极(6)之间设有栅介质材料层(3)，构成该晶体管的栅电容，该栅介质材料层(3)，采用由La2O3薄膜(301)和Al2O3保护层(302)构成的叠栅结构。本发明的栅介质材料性能稳定、介电常数高，热稳定性好，栅电容控制能力强，栅极击穿电压高，可用于制造高性能异质结场效应晶体管器件。