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一种电流调制增益耦合激光器
专利申请号：CN01204407.5
公 开 号：CN2468193Y
代 理 人：王明霞
代理机构：北京元中专利事务所
专利类型：实用新型
申 请 日：20011226
公 开 日：20010227
专利主分类号：H01S5/00
关 键 词：衬底 光栅 电流调制 离子注入 增益耦合 介质膜 波导激光器 衬底表面层 分布反馈 光刻技术 光栅图形 介质掩膜 连续外延 平面光栅 器件性能 激光器 生长 层结构 缓冲层 集成器 上表面 掩体 有源 平整
摘 要：本实用新型涉及一种电流调制增益耦合激光器,可直接制作在衬底上并具有平面光栅结构的电流调制增益耦合分布反馈DFB激光器。适于制作含DFB的集成器。其结构是在InP衬底上表面生长一层介质膜,以介质膜光栅图形为掩体向衬底作选择离子注入,在栅格间隙的衬底表面层内形成离子注入区光栅,除去介质掩膜,在平整的光栅面上连续外延生长缓冲层、MQW有源层和上掩埋层等层结构,用光刻技术作出脊形波导激光器。具有制作成本低、器件性能可靠等特点。
