一种新型高压双极单管结构

专利申请号：CN201720250902.X

公 开 号：CN206546822U

发 明 人：陆辉 张晓新 余庆 赵铝虎 陈昂 周卫宏 潘国刚 张洪波 张敏森 

代 理 人：冯子玲

代理机构：31253 上海精晟知识产权代理有限公司

专利类型：实用新型

申 请 日：20171010

公 开 日：20170315

专利主分类号：H01L29/06(20060101)

关 键 词：基区 环绕设置 氧化层 基板 本实用新型 单管结构 电场分布 新型高压 发射区 埋层 双极 基区层 外延层 变宽 耐压 填充 

摘      要：本实用新型公开了一种新型高压双极单管结构，包括基板和氧化层，所述基板的埋层上方靠近氧化层的一侧上设置有磷桥和P‑基区，P‑基区上设置有P基区，P基区上设置有N+发射区，磷桥与埋层相连；所述P‑基区外环绕设置有第一N+环，第一N+环外环绕设置有第一P‑环，磷桥外环绕设置有第二P‑环，所述第一P‑环和第二P‑环外环绕设置有第二N+环，所述基板和氧化层之间填充设置有外延层。本实用新型的一种新型高压双极单管结构，与现有技术相比，增加了一层副基区层即P‑基区，在P‑基区上设置P基区和N+发射区，P‑基区、N+环和P‑环的结构使电场分布平缓，电场分布较平缓，同时基区的宽度变宽，提高了器件各项耐压参数。