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多晶硅材料提纯用陶瓷坩埚
专利申请号：CN201120312336.3
公 开 号：CN202204288U
代 理 人：陈亚石
代理机构：51126 成都中亚专利代理有限公司
专利类型：实用新型
申 请 日：20120425
公 开 日：20110825
专利主分类号：F27B14/10(20060101)
关 键 词：陶瓷坩埚 氮化硅 涂覆 坩埚 多晶硅材料 体内壁涂 杂质浓度 多晶硅 硅熔体 内涂层 提纯 内壁 黏滞 生产成本 恰当 隔离 接触
摘 要：本实用新型公开了一种多晶硅材料提纯用陶瓷坩埚，包括陶瓷坩埚本体，其特征在于：所述陶瓷坩埚本体内壁涂覆有Si3N4涂层；本实用新型的有益效果在于：将Si3N4（氮化硅）涂覆在坩埚的内壁，从而隔离了硅熔体和坩埚的直接接触，不仅能解决黏滞问题，而且可以降低多晶硅中的氧，碳杂质浓度；进一步地，利用Si3N4（氮化硅）涂层，还使得陶瓷坩埚可能得到重复使用（即可以反复重新涂覆Si3N4涂层），陶瓷坩埚的内涂层处理恰当，陶瓷坩埚可以重复使用，达到降低生产成本的目的。
