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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
专利申请号:CN200410032548.0
公 开 号:CN1540692
发 明 人:安德鲁·P·里特 罗伯特·海斯坦第二 约翰·L·加尔瓦格尼 斯里拉姆·达塔格鲁 杰弗里·A·霍恩
代 理 人:陶凤波;侯宇
代理机构:北京市柳沈律师事务所
专利类型:发明专利
申 请 日:20041027
公 开 日:20040408
专利主分类号:H01G4/232
摘 要:本发明公开了一种镀覆接线端,用于多层电子元件。为单片元件设置镀覆接线端,以消除或简化对典型的厚膜接线端带的需要。此技术消除了许多典型接线端问题且能以更细的间距形成更多的接线端,这尤其有益于更小的电子元件。利用选择性地延伸到多层元件的覆盖层的暴露内部电极接头和附加锚定接头部分引导并锚定本镀覆接线端。这种锚定接头可相对于芯片结构内或外定位,为附加金属镀覆材料的成核。单片结构的顶和底侧上的外部锚定接头可便于形成卷绕镀覆接线端。本技术可以采用多个单片多层元件,包括叉指电容、多层电容阵列和集成无源元件。可在自确定镀覆接线端的形成中可以采用各种不同的镀覆技术和接线端材料。