DDR2大容量动态随机存储器(DRAM)芯片

项目年度编号：1300340140

完 成 人：高传贵,任奇伟,付永朝,高旭东,邢广军,余作明,于晓,潘立阳,刘昭麟,石振东 

完成单位：山东华芯半导体有限公司 

省　　市：山东

公布年份：2016年

成果类别：应用技术

关 键 词：动态随机存储器 DRAM 芯片 

摘      要：存储器芯片是各种电子产品中非常重要的高端通用核心器件,是电子信息产业的重大战略性和基础性产品。几乎所有电子产品都要用到存储器芯片产品,因此,存储器称为电子工业的“粮食。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)作为与CPU紧密相联的计算机系统两大核心芯片之一,是各类计算机、通讯、高清电视、平板电脑等消费类电子产品、汽车、各种工业仪器乃至国防工业必不可少的核心部件,也是集成电路产业支柱产品之一。2012年全球DRAM内存芯片市场规模达264亿美元,而中国是最大的消费国。所以,拥有具备自主知识产权的DRAM存储器芯片对于我国电子信息产业的安全和稳定意义重大。 本成果是由山东华芯半导体有限公司通过自主研发的方式,开发出具有国际先进水平的国产DRAM存储器芯片,芯片采用65nm掩埋字线工艺,兼容国际JEDEC-DDR2标准,支持全部的x4、x8、x16的工作模式,单片容量为1Gbit以上,数据速率达到800Mbps,并提供可配置模式降低功耗,提高性能,同时可用于标准内存模组与寄存型内存模组。在存储单元、供电布局、控制电路、版图设计、可配置增强型功能等方面作出突破型创新,芯片技术达到国际先进水平,打破国外垄断,填补国内空白,与国外同类芯片相比,具有容量大、功耗低、可靠性高的优势,成为国家构建自主可控的国产计算机系统技术体系的重要支撑。 本成果技术的创造性与先进性体现在以下几点：(1)采用基于面积优化的高可靠单元阵列设计技术,大大提高产品良率及芯片容量;(2)采用高稳定多电压调整电路布局设计,有效降低功耗,提升产品可靠性;(3)采用高速数据通路和全局控制电路的设计,极大提高数据传输速率及稳定性;(4)采用高性能接口电路设计,大幅提升信号品质,增强产品的兼容性;(5)采用可配置增强型功能设计,全方位支撑国产CPU,提升国产整机性能。 本成果既满足了国产CPU对高性能低功耗及特定配置的需求,又遵循国际标准,保持了通用性和兼容性,有力支持了国产CPU产业的自主发展,包括可配置软硬件参考验证,针对国产计算机存储模组产品的测试程序及流程,提升了国产整机竞争力;提高了国产计算机的市场份额,并与国产CPU一起形成安全适用计算机整体解决方案,促进了国产计算机产业的加快发展。 本项目已通过国家“核高基重大专项专家组验收和山东省科技厅科技成果鉴定,成果性能达到国际先进水平。华芯DRAM芯片已广泛应用于PC、服务器、平板电脑、机顶盒、智能电视等领域,实现了对整机产品的技术性能提升,目前累计形成DRAM芯片超过2000万片的市场规模。龙芯2F系列桌面系统、3A系列服务器系统都大规模采用华芯DRAM芯片,“十一五国家863重大专项--我国首台自主研发的关键行业应用主机——浪潮天梭K1系统中也采用华芯DRAM存储器芯片作为交换单元的主存。国家在《集成电路产业“十二五发展规划》中已将“动态随机存储器(DRAM)纳入发展重点。 华芯国产DDR2大容量动态随机存储器(DRAM)芯片的成功研发及产业化,打破了中国没有自己的DRAM存储器芯片的局面,为国家信息安全提供了有力保障,大大提升了国家集成电路产业技术和产品的创新能力,是我国集成电路存储器领域技术创新与研发领域的一个重要里程碑,随着项目成果的持续转化,将进一步增强我国集成电路产业核心竞争力,对国家集成电路产业的加快发展也有着十分重要的经济和社会意义。