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Li2Mo3O10助熔剂生长BPO4晶体的研究
Li2Mo3O10助熔剂生长BPO4晶体的研究
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 徐国纲 李静 王继扬 赵洪阳 山东大学晶体材料国家重点实验室
BPO晶体是一种很有前途的深紫外非线性光学晶体材料。它的紫外吸收边可达130nm,且粉末倍频效应大约为KDP晶体的两倍。近年来,我国科学家采用熔盐法,以LiPO为助熔剂通过添加碱性氧化物或卤化物的方法成功生长了厘米级的BPO晶体,但是由于...
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在大肠杆菌表达系统中对dCAF-1亚基的表达尝试
在大肠杆菌表达系统中对dCAF-1亚基的表达尝试
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 徐颖之 孙飞 中国科学院生物物理研究所
真核生物染色体核小体的组装过程是由组蛋白伴侣介导的,组蛋白伴侣能和高度带电的组蛋白结合并有效中和电荷,从而防止其与DNA的非特异集聚。一些组蛋白伴侣已经经由体外实验得到了鉴定。其中最为著名的就是染色质组装因子1(Chromatin as... 详细信息
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ICDD-PDF卡片的制作
ICDD-PDF卡片的制作
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 许燕萍 王皖燕 娄艳芳 范丽莎 陈小龙 北京凝聚态物理国家实验室 中国科学院物理研究所
<正>制作ICDD-PDF卡片需要高质量的粉末样品,首先要求没有任何杂质相存在,即XRD谱图没有杂峰,另外,样品非常稳定,在一段时间内不发生相变,并且没有择优取向和织构现象。1.标定X射线衍射峰位X射线衍射仪的误差,制作样品的误差等均会导...
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琼胶酶AgaB的结构与催化机制研究
琼胶酶AgaB的结构与催化机制研究
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 任艾明 周佳海 中国科学院上海有机化学研究所
随着科技的发展,海洋资源越来越多的被人们开发并加以利用。琼胶作为海藻工业的三大多糖之一,与它的降解产物琼寡糖已被广泛应用于食品,医药,生物技术等领域。而降解琼胶最有效的方式是采用琼胶酶酶解。琼脂糖结构琼胶酶AgaB的基因是由... 详细信息
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SiC晶体生长扩径技术
SiC晶体生长扩径技术
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 蒋东 陈治明 梁鹏 林生晃 谢华杰 西安理工大学电子工程系
本文讨论了升华法生长SiC晶体的扩径技术。实验中通过对坩埚几何结构的改进和其它一些工艺参数的调整来探索其对扩径生长的影响。在采用圆柱型生长台、并在坩埚内近籽晶处加设锥面的实验中,晶体直径从56mm扩大到了60.6mm。当加大了锥面... 详细信息
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耐高温绝缘晶体——人工合成云母
耐高温绝缘晶体——人工合成云母
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 查峰 宋鲁源 王胜军 吕宝林 郭蕾 程科 北京中材人工晶体有限公司
合成云母是指用F取代(OH)形成的氟云母,其中KMg(AlSiO)F易生长成大晶体,实用价值最大,因此通常所说的合成云母又叫氟金云母。合成云母较之天然云母相比,不仅质地纯净,透明度好,更具有高频介质损耗低、耐腐蚀性强、以及在真空中不放气... 详细信息
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Rb4Nb10MoO30晶体的生长
Rb4Nb10MoO30晶体的生长
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 陈鹏 李如康 中国科学院研究生院 中国科学院理化技术研究所晶体中心
Serge Zhuiykov通过对RbTaWO陶瓷进行离子交换处理,得到了一种利用质子导电的固态电解质,对氢敏电极在T=500K-800K范围的应用有重要意义。本文选择与RbTaWO同构而熔点较低的RbNbMoO进行单晶生长,以期下一步研究此类结构化合物的某些本... 详细信息
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具有STF骨架的二氧化硅沸石合成与结构分析
具有STF骨架的二氧化硅沸石合成与结构分析
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 苏婕 尤力平 王颖霞 廖复辉 林建华 北京大学化学与分子工程学院 稀土材料与应用国家实验室 北京大学物理学院 北京大学电镜实验室
SSZ-35,ITQ-9和Mu-26是三种均采用STF骨架结构的沸石,该结构中存在沿[100]方向的一维10元环通道(图1),由于10元环通道中含有18元环的空穴,因此它具有很大的孔体积(0.21 cm·g,ITQ-9),这一特点使得此类沸石具有潜在的吸附应用价值[1...
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应用SAXS方法研究PAN基炭纤维中纳米微孔的形态特征
应用SAXS方法研究PAN基炭纤维中纳米微孔的形态特征
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 李向山 高忠民 吉林大学材料科学与工程学院 吉林大学无机合成与制备化学国家重点实验室
应用小角X射线散射(SAXS)分析测量了国产PAN基高强型炭纤维和石墨纤维中纳米微孔的赤道散射与子午散射。计算得到微孔的尺寸分布、长径比、不同粒度微孔的体积分数以及在单位体积内不同粒度微孔的绝对数量。研究结果表明,微孔尺寸的大... 详细信息
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碳化硅化学机械抛光工艺
碳化硅化学机械抛光工艺
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 谢华杰 陈治明 杨莺 西安理工大学电子工程系
本文通过对本课题组用物理气相传输(PVT)法生长的6H-SiC单晶锭进行切割,对切割下来的晶片采用碳化硼(BC)进行粗磨和精磨,精磨后台阶仪测试样品表面平均粗糙度Ra为0.22μm,粗抛光采用w1的金刚石微粉悬浮液,原子力显微镜(AFM)测得5&... 详细信息
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