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有机分子多晶结构解析技术应用探讨
有机分子多晶结构解析技术应用探讨
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 杨建华 雷先荣 郭灵虹 承强 李晖 四川大学化工学院 四川大学分析测试中心
自2003年起,我们开始尝试进行有机分子、尤其是药物的多晶衍射结构解析工作,获得了若干有价值的初步进展,包括持续优化对7-ADCA多晶衍射的结构解析;同时使用单晶与多晶衍射对药根碱、小檗碱的晶体结构进行比较,观察到与文献报道不同的... 详细信息
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大尺寸Nd:GGG激光晶体的生长
大尺寸Nd:GGG激光晶体的生长
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 张健 山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室
<正>Nd:GGG具有良好的力学和化学稳定性、高的热导率、宽的泵浦吸收带、长的荧光寿命,泵浦光的吸收和储能性都较好,适合于闪光灯、LD泵浦,可实现连续波和脉冲式激光运转。Nd:GGG已成为大平均功率固体激光器的首选材料。我们采用提拉法...
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展望X射线结构分析技术——如何跨越物理理论与化学实践间的荆棘地带
展望X射线结构分析技术——如何跨越物理理论与化学实践间的荆棘...
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 承强 郭灵虹 李晖 四川大学化工学院 四川大学分析测试中心
<正>自1913年布拉格等测定了氯化钠等离子晶体的空间结构后,化学家对化合物结构的认识得到了比较严格的物理学理论的支持。然而,国内的X射线结构分析技术的应用仍主要停留在单晶衍射分析,研究样品以无机和金属为主。尤为汗颜的是,在19...
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OASIS-2006 SAD/SIR的直接法相位推定以及结构模型的直接法迭代扩展
OASIS-2006 SAD/SIR的直接法相位推定以及结构模型的直接法迭代扩...
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 古元新 张涛 武丽杰 郑朝德 范海福 中国科学院物理研究所
OASIS是蛋白质结构分析的一个直接法程序包,其功能主要有两个方面:(1)破解单波长异常衍射(SAD)和单对同晶置换(SIR)数据中固有的相位不唯一性问题,达到从头推定SAD和SIR的相位。(2)与其它程序联合,实现结构碎片的双空间迭代,使初始结构... 详细信息
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发光材料SrAl2O4:Eu2+的制备及XRD物相分析
发光材料SrAl2O4:Eu2+的制备及XRD物相分析
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 童义平 曾丽萱 陈壮强 韩山师范学院化学系
长余辉发光是指当激发光源切断后能持续发光的现象。近年来,一种新型的稀土离子掺杂碱土金属铝酸盐长余辉发光材料成为人们关注和研究的热点。人们在对掺稀土的铝酸盐的研究中发现,掺稀土铕的SrAlO发光亮度和发光余辉时间均比传统ZnS:C...
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薄膜微结构分析的几种X射线散射技术
薄膜微结构分析的几种X射线散射技术
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 吴小山 南京大学固体微结构物理国家重点实验室 南京大学物理系
薄膜在现代器件制造中担负着越来越重要的脚色,薄膜质量的控制成为薄膜器件性能表现至关重要的环节。本文厄要介绍了X射线小角反射、X射线漫散射技术、X射线表面衍射和多晶薄膜的小角衍射实验原理和实验技术;对各种散射技术研究的特点...
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温度调制法生长GaN单晶的探索
温度调制法生长GaN单晶的探索
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 鲍慧强 李辉 宋波 王文军 王皖艳 陈小龙 中国科学院物理研究所
GaN是具有宽、直带隙的第三代半导体材料,是制备GaN基光电器件的理想衬底。目前生长GaN单晶的方法,如高温高压法、氢化物气相外延法等,均受到生长条件苛刻的制约。本课题组通过大量的研究表明,作为更为温和的方法,助溶剂法可能成为大规... 详细信息
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介孔材料的小角度X射线衍射测量条件研究
介孔材料的小角度X射线衍射测量条件研究
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 汤云晖 北京工业大学
介孔材料是20世纪90年代迅速兴起的新型纳米结构材料,是目前材料学科的研究热点之一。通过小角度X射线衍射(XRD)测试,可以判定介孔材料的结构,空间群,有序度。本文在SHIMADZU X-RAY 7000S衍射仪上进行介孔材料的小角度(0.5-10°)衍... 详细信息
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具有类CsCl拓扑的CoⅡ配位聚合物的合成,结构与磁性
具有类CsCl拓扑的CoⅡ配位聚合物的合成,结构与磁性
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 林健斌 陈小明 中山大学化学与化学工程学院
基于拓扑网络进行配位聚合物的设计合成就是选择特定的金属离子和有机配体组装模拟拓扑网络中的节点和连接体。目前低连接的简单网络已有较多报道,而高连接的网络则相对较少。构筑具有高连接数的拓扑结构主要有两种方法:1)利用f-金属离...
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Ni/SiC肖特基接触界面固相反应的研究
Ni/SiC肖特基接触界面固相反应的研究
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中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
作者: 张桢 袁文霞 张飞飞 陈国辉 北京科技大学应用科学学院
<正>SiC材料由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优点,在高温,高频,大功率光电子器件等方面有巨大的应用潜力,成为最有前景的第三代宽带隙半导体材料之一。而基于Schottky接触的电子器件的性能表现则...
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