本研究首先以高功率脈衝磁控濺射系統使用鈦靶材產生Ti電漿。利用OES光激發光譜儀在相同2...比、不同頻率參數下、通入反應氣體乙炔量測其遲滯曲線。研究結果顯示較高的脈衝頻率可抑制靶材毒化現象;接著利用此濺射系統沉積nc-TiC/a-C:H薄膜,利用OES光激發光譜儀搭配定比例積分微分控制器（proportional integral derivative;PID）以Ti2...訊號（365nm）回饋控制乙炔流量。為了確保反應性製程穩定。頻率使用500HZ,製程溫度為75℃,透過控制乙炔流量輸出,調整不同Ti2...激發強度（OES比例）。以獲得不同型態之nc-TiC/a-C:H薄膜;之後再利用掃描式電子顯微鏡（SEM）來觀察薄膜的表面形貌、斷面結構;以低略角×光繞射儀（GAXRD）分析薄膜結晶結構;以HRTEM分析觀察nc-TiC/a-C:H薄膜顯微組織與結晶結構;以常溫磨耗試驗機量測其摩擦係數與耐磨耗性;以奈米壓痕試驗機量測薄膜硬度與彈性係數;以刮痕試驗機量測薄膜臨界荷重與附著性;以拉曼光譜儀量測薄膜之光譜;以X射線光電子能譜儀（XPS）分析薄膜之組成與化學鍵結。研究結果顯示,在OES設定40%時薄膜主要以TiC相為主並具有最高之硬度值2...a;在OES設定7%時。薄膜主要為nc-TiC/a-C:H奈米複合組織並具有最低之平均摩擦係數0.088。
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