检索结果-内蒙古大学图书馆

发光学报 2012年第9期33卷 1038-1038页

由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办,河南大学承办的第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议将于2012年10月13日至15日在历史文化名城河南省开封市召开。会议将邀请国内外知名学者就化合物半导... 详细信息

由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办,河南大学承办的第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议将于2012年10月13日至15日在历史文化名城河南省开封市召开。会议将邀请国内外知名学者就化合物半导体材料、微波器件和光电器件等有关学术领域的前沿热点问题进行交流、总结和展望。

关键词：化合物半导体材料学术会议光电器件微波器件中国电子学会历史文化名城集成技术电子材料

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第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议(第二轮通知)

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发光学报 2012年第8期33卷 916-916页

关键词：化合物半导体材料学术会议光电器件微波器件中国电子学会历史文化名城集成技术电子材料

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第15届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于今年11月召开

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红外 2008年第9期 50-50页

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于2008年11月21日至28日在广州市召开。此次会议将由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办和中山大学光电材料与技术国家重点实

关键词：学术会议化合物半导体材料微波器件电子器件光电器件光电元件电子管

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第十五届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议第二轮征文通知

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半导体技术 2008年第11期33卷 1052-1053页

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第十五届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议第二轮征文通知

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半导体技术 2008年第10期 937-938页

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第15届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于今年11月召开

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红外 2008年第9期29卷 F0004-F0004页

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于2008年11月21日至28日在广州市召开。此次会议将由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办和中山大学光电材料与技术国家重点实验室承办。该会议是每两年举... 详细信息

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于2008年11月21日至28日在广州市召开。此次会议将由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办和中山大学光电材料与技术国家重点实验室承办。该会议是每两年举行一次的全国性重大学术会议，会议将通过材料生长及表征、高频高功率电子器件、发光器件及光电探测器件、设备系统及应用四个专题全面展示化合物半导体，

关键词：化合物半导体材料学术会议光电器件微波器件国家重点实验室中国电子学会功率电子器件光电探测器件

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第五届全国化合物半导体材料和微波光电器件学术会议

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固体电子学研究与进展 1989年第2期9卷 220-222页

作者：黄廷荣南京电子器件研究所

由中国电子学会半导体与集成技术和电子材料学会主持召开的第五届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1988年10月31日～11月6日在江西庐山召开。参加这次学术会议的有来自全国各地的有关研究所、高等院校、国家专利局、工... 详细信息

由中国电子学会半导体与集成技术和电子材料学会主持召开的第五届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1988年10月31日～11月6日在江西庐山召开。参加这次学术会议的有来自全国各地的有关研究所、高等院校、国家专利局、工厂等单位的代表154人。会议编辑出版的论文集共刊出155篇论文。大会报告了六篇论文,它们是:中国科学院半导体研究所研究员、所长王启民的《半导体光电子器件与OEIC的发展》;中国科学院上海冶金所研究员彭瑞伍的《Ⅲ-V族锑化物材料的进展》;中国科学院半导体所研究员梁骏吾的《Ⅲ—V族化合物中杂质与缺陷的相互作用》;中国科学院长春物理所高级工程师吕安德的《原子层外延及其进展》;河北半导体研究所高级工程师、副总工程师梁春广的《InAIAs/InGaAs/InP MESFET研究》;南京电子器件研究所高级工程师黄廷荣的《化合物半导体光逻辑器件研究现状及研究战略》。

关键词：化合物半导体光电器件微波器件

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第七届全国化合物半导体和微波、光电器件学术会议简况

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固体电子学研究与进展 1993年第1期13卷 75-77页

作者：江关辉南京电子器件研究所 210016

由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第七届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1992年8月26日至30日在河北省北戴河召开。参加这次学术年会的代表来自全国40个单位,184人。机电部总工程师俞... 详细信息

由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第七届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1992年8月26日至30日在河北省北戴河召开。参加这次学术年会的代表来自全国40个单位,184人。机电部总工程师俞忠钰出席了大会,并就我国电于工业的发展作了重要讲话。会议录用论文176篇,其中特邀报告8篇,在大会上宣读了4篇。它们是:国家自然科学基金委员会许振嘉研究员的“金属-砷化镓研究”;北京大学秦国刚教授的“发可见光的多孔硅”;北京电子管厂苏里曼高级工程师的“InP异质结晶体管”和河北半导体研究所所长毕克允的“集中力量发展我国的砷化镓技术”。

关键词：化合物半导体光电器件微波器件

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第三届全国半导体化合物、微波和光电器件学术会议简讯

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固体电子学研究与进展 1985年第1期 92-93页

作者：徐稼迟南京固体器件研究所

中国电子学会半导体与集成技术学会和电子材料学会于1984年12月4日至8日在四川省永川市举行第三届全国半导体化合物材料、微波和光电器件学术会议.参加会议的代表来自39个单位、共127名.会上宣读的论文共150篇,其中大会报告8篇,有关化... 详细信息

中国电子学会半导体与集成技术学会和电子材料学会于1984年12月4日至8日在四川省永川市举行第三届全国半导体化合物材料、微波和光电器件学术会议.参加会议的代表来自39个单位、共127名.会上宣读的论文共150篇,其中大会报告8篇,有关化合物半导体材料的论文63篇,微波器件方面的25篇,光电器件方面的42篇,其它通用工艺的论文12篇.

关键词：光电器件 FET 光电元件电子管半导体化合物 GaAs 会议简讯

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第七届全国半导体化合物材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

第七届全国半导体化合物材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

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第七届全国半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

该会议文集共收录论文１７６篇，主要包括：半导体材料的新发展，半导体量子光电子学的发展，半导体我子集成器;ＨＥＭＴ结构的霍尔迁移率分布;在Ｓｉ上外延掺稀土的ＣａＡｓ及其发光;注硅半绝缘砷化镓中的少子和多子陷阱;低含铬半绝缘... 详细信息

该会议文集共收录论文１７６篇，主要包括：半导体材料的新发展，半导体量子光电子学的发展，半导体我子集成器;ＨＥＭＴ结构的霍尔迁移率分布;在Ｓｉ上外延掺稀土的ＣａＡｓ及其发光;注硅半绝缘砷化镓中的少子和多子陷阱;低含铬半绝缘ＨＢ－ＣａＡｓ单晶;热历史对半绝缘砷化镓单晶的深能级缺陷的影响;改进的ＣＺ法生长ＣａＳｂ晶体等。（赵庚新摘）

关键词：半导体材料微波电路电子器件半导体工艺电路设计晶体生长集成电路

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