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航天微电子器件辐射效应研究
航天微电子器件辐射效应研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 王长河 信息产业部电子十三所(河北石家庄)
本文主要论述空间自然辐射环境与人为辐射环境对航天器中微电子器件的影响.分析了几种典型器件的辐射效应及损伤机理,提出提高微电子器件抗辐射加固的相应途径.
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可见光半导体激光器的端面镀膜
可见光半导体激光器的端面镀膜
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 毕可奎 郭良 科学院半导体所国家光电子工艺中心 科学院半导体所工程中心
介绍半导体可见光激光器端面镀膜实验，及端面镀膜对激光器特性的影响。
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短周期AlGaAs／GaAs超晶格的MOCVD生长及调射线衍射研究
短周期AlGaAs／GaAs超晶格的MOCVD生长及调射线衍射研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 王向武 程祺祥 电子器件研究所
生长了短周期AlGBAs/GaAs超晶格，并通过双晶X射线衍射谱，对MOCVD）超薄层AlGaAS、的生长进行了研究。从衍射谱卫星峰的级数及pendellosong干涉条纹的出现，定性地对晶格结构及界面作出评价。X光衍射测量结果与HEMT结构电学性能结果有... 详细信息
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基于SOI光波导器件的回波损耗分析
基于SOI光波导器件的回波损耗分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈鹏 辛红丽 李芳 方青 刘育梁 中国科学院半导体研究所光电子研发中心(北京)
利用高斯光束耦合理论分析了SOI波导光电器件的回波损耗,并且采用倾斜3.37度抛光SOI波导端面和在波导端面镀减反膜的方法提高了器件的回波损耗,解决了SOI光电器件回波严重的问题,改善了器件性能.利用上述方法封装的器件回波损耗为55dB,... 详细信息
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带宽为15GHz的高速GaInAs/InP平面PIN探测器的研究
带宽为15GHz的高速GaInAs/InP平面PIN探测器的研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 涂之韬 王任凡 邮电科学研究院电信器件公司
该文提出了高速GaInAs／InP平面PIN探测器基本设计原理;并基于这一原理设计研制了带宽为15GHz的高速GaInAs/InP平面PTN探测器，该器件具有高速响应（15GH2带宽），高响应度（R．为0.98A/W），低暗电（ID=0.01nA），低电容（0.2Pf)和高... 详细信息
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线路监控用的1625／1550nm波分复用耦合器研制
线路监控用的1625／1550nm波分复用耦合器研制
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 邓桂华 工青林 邮电科学研究院固体器件研究所
该文介绍了利用熔融拉锥工艺来制作线路监控用的1625／1550nm的波分复用耦合器的原理和方法，并对研制样品进行了光谱分析：研制的1625／1550nm的波分复用耦合器样品其隔离度为大于等于15dB，损耗小于0.2dB，工作带宽为±5nm。
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Ku波段功率放大器的研制
Ku波段功率放大器的研制
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 钱峰 蒋幼泉 叶育红 徐波 南京电子器件研究所
Ku波段功率放大器广泛应用于卫星通信、点对点通信、点对多点通信等多个军事、民用领域.本文针对实际需要,介绍了Ku波段功率放大器的电路拓朴结构及制作工艺和器件选择.
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短波红外(1-3μm)波段光电探测器及其非通讯应用
短波红外(1-3μm)波段光电探测器及其非通讯应用
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 张永刚 顾溢 李成 王凯 李好斯白音 方祥 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
本文概述了短波红外波段光电探测器在非通讯领域的一些主要应用,对涉及此波段的一些化合物半导体光电探测材料及其特点进行了综述,侧重介绍了波长延伸的InGaAs在此波段的应用和我们的重要研究结果。
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MBE生长Si<,0.7>Ge<,0.3>/Si多量子阱(MQW)环形波导结构探测器
MBE生长Si<,0.7>Ge<,0.3>/Si多量子阱(MQW)环形波导结构探测器
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 朱育清 杨沁清 科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室
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半绝缘砷化镓中缺陷深能级的热激电流测量
半绝缘砷化镓中缺陷深能级的热激电流测量
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 李成基 李韫言 何宏家 中国科学院半导体研究所(北京)
本文介绍了热激电流的测量装置和测量技术.测量了半绝缘砷化镓中缺陷深能级的热激电流镨,并依此计算了深能级的位置.研究了半绝缘砷化镓的化学配比与热激电流镨的关系.
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