咨询与建议
  • 全部搜索
  • 期刊论文
  • 图书
  • 学位论文
  • 标准
  • 纸本馆藏
  • 外文资源发现
  • 数据库导航
  • 超星发现
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 948 篇 会议
  • 15 篇 期刊文献
  • 1 篇 学位论文

馆藏范围

  • 964 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 931 篇 工学
    • 790 篇 电子科学与技术（可...
    • 718 篇 材料科学与工程（可...
    • 204 篇 光学工程
    • 84 篇 仪器科学与技术
    • 6 篇 电气工程
    • 6 篇 化学工程与技术
    • 5 篇 核科学与技术
    • 4 篇 机械工程
    • 3 篇 控制科学与工程
    • 3 篇 计算机科学与技术...
    • 2 篇 信息与通信工程
    • 1 篇 冶金工程
    • 1 篇 航空宇航科学与技...
    • 1 篇 软件工程
  • 111 篇 理学
    • 108 篇 物理学
    • 18 篇 化学
  • 3 篇 经济学
    • 3 篇 应用经济学
  • 1 篇 教育学
    • 1 篇 教育学
  • 1 篇 管理学
    • 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

  • 102 篇 半导体材料
  • 57 篇 氮化镓
  • 49 篇 化合物半导体
  • 49 篇 分子束外延
  • 43 篇 半导体器件
  • 37 篇 砷化镓
  • 33 篇 外延生长
  • 24 篇 异质结构
  • 23 篇 高电子迁移率晶体...
  • 22 篇 发光二极管
  • 21 篇 离子注入
  • 20 篇 光电器件
  • 20 篇 性能评价
  • 19 篇 二维电子气
  • 19 篇 半导体激光器
  • 19 篇 金属有机物
  • 18 篇 异质结
  • 18 篇 x射线衍射
  • 17 篇 稀磁半导体
  • 17 篇 制备工艺

机构

  • 131 篇 中国科学院半导体...
  • 43 篇 西安电子科技大学
  • 35 篇 北京大学
  • 32 篇 南京大学
  • 30 篇 南京电子器件研究...
  • 30 篇 中国科学院半导体...
  • 23 篇 西安交通大学
  • 23 篇 中国科学院半导体...
  • 18 篇 中国科学院微电子...
  • 17 篇 山东大学
  • 17 篇 中国科学院半导体...
  • 16 篇 中科院半导体研究...
  • 15 篇 中山大学
  • 14 篇 电子科技大学
  • 14 篇 科学院半导体研究...
  • 12 篇 中国科学院半导体...
  • 12 篇 中国科学院半导体...
  • 12 篇 深圳大学
  • 11 篇 中国科学院半导体...
  • 11 篇 河北工业大学

作者

  • 77 篇 曾一平
  • 61 篇 王占国
  • 59 篇 李晋闽
  • 53 篇 王晓亮
  • 35 篇 肖红领
  • 33 篇 杨辉
  • 33 篇 王翠梅
  • 29 篇 侯洵
  • 27 篇 郑有炓
  • 27 篇 刘新宇
  • 27 篇 谢自力
  • 24 篇 张荣
  • 24 篇 郝跃
  • 22 篇 赵有文
  • 21 篇 陈辰
  • 21 篇 王启明
  • 21 篇 李建平
  • 20 篇 zhanguo wang
  • 20 篇 王军喜
  • 20 篇 朱建军

语言

  • 962 篇 中文
  • 2 篇 英文
检索条件"任意字段=全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议"
共 964 条 记 录，以下是101-110 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
高fmax异质结双极晶体管研制及应用初探
高fmax异质结双极晶体管研制及应用初探
收藏
分享
引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 钱峰 姚晓峨 电子器件研究所
讨论了异质结双极晶体管器件设计及外延材料的优化，介绍了异质结双极晶体管研制的工艺过程。
来源： 评论
界面态对HEMT直流输出特性的影响
界面态对HEMT直流输出特性的影响
收藏
分享
引用
全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 张兴宏 胡雨生 科学院上海冶金研究所(上海) 科学院半导体研究所(北京)
该文利用高电子迁移率晶体管（HEMT）的直流输出分析模型，首次定量地分析了界面态对AlGaAs／GaAsHEMT直流输出特性的影响。考虑界面态的作用，详细分析了不同界面态密度对HEMT的1—V特性和器件跨导的影响，研究人员的研究结果表明随着... 详细信息
来源： 评论
半导体材料
收藏
分享
引用
电子科技文摘 2001年 第5期 5-6页
Y2000-62524-239 0107442Si/Si 及 GexSi1-x/Si 超晶格自组织生长=Self-organizedgrowth of Si/Si and GexSi1-x/Si superlattices[会,英]/Klimovskaya,A.& Ostrovskii,I.//2000 IEEE Pro-ceedings of 22nd International Conferenc... 详细信息
来源： 评论
量子级联激光器微腔的产生和发展
量子级联激光器微腔的产生和发展
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 李成明 刘峰奇 孟宪权 张子旸 金鹏 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
本文详细回顾了量子级联激光器微腔的产生以及发展状况,并讨论了各种微腔的优缺点,并对今后量子级联激光器微腔的发展作出了展望.
来源： 评论
一维光子晶体全向反射镜
一维光子晶体全向反射镜
收藏
分享
引用
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 杜伟 许兴胜 王春霞 胡海洋 宋倩 鲁琳 陈弘达 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室北京100083
提出了一维光子晶体的一种重要应用,分析了一维光子晶体全向反射镜的原理,总结了全向反射镜的种类,并展望了其发展状况。
来源： 评论
HgCdTe光伏探测器V￣I特性的自动测试系统
HgCdTe光伏探测器V￣I特性的自动测试系统
收藏
分享
引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 严隆 田种运 物理研究所
介绍了ＨｇＣｄＴｅ光伏探测器Ｖ￣Ｉ特性的自动测试系统的软硬件构成，并分析了测试结果。
来源： 评论
MBE生长含应变层InGaAs/GaAs选择掺杂异质二维电子气
MBE生长含应变层InGaAs/GaAs选择掺杂异质二维电子气
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 谢自力 邱凯 陈建炉 张晓娟 南京电子器件研究所(南京)
利用GEN-Ⅱ型进口分子束外延设备生长InGaAs/AlGaAS/GaAs异质结构材料,并进行了材料结构优化设计和材料特性研究,并用于研制PHEMT器件.
来源： 评论
3英寸InAs单晶生长及衬底制备
3英寸InAs单晶生长及衬底制备
收藏
分享
引用
第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 杨俊 段满龙 董志远 刘刚 杨凤云 赵有文 中国科学院半导体研究所 北京 100083
通过改进热场和单晶生长技术，利用液封直拉法(LEC)生长了直径3英寸晶向的InAs单晶。对晶体进行了霍尔测试(Hall)、X射线双晶衍射晶体的完整性分析以及晶体的位错密度(EPD)测量分析。
来源： 评论
GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件弛豫振荡模式的研究
GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件弛豫振荡模式的研究
收藏
分享
引用
全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 薛舫时 体超晶格国家重点实验室(北京)
该文运用多能谷电子隧穿理论和MonteCarlo模拟建立了异质谷间转移电子器件的动态工作模拟模型。在此基础上编制成模拟设计软件，对各类结构器件进行了模拟计算。发现了两种谷间转移电子效应间的强相互作用和新的豫振荡核式。运用该模式... 详细信息
来源： 评论
多端口开关射频自动测试系统
多端口开关射频自动测试系统
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 洪倩 陈新宇 吴振海 李拂晓 邵凯 杨乃彬 南京电子器件研究所
针对移动通讯用GaAs开关集成电路,采用Agilent-VEE软件,建立多端口GaAs开关电路的RF参数自动测试系统,完成器件的快速测试、数据处理、产品筛选等功能,满足GaAs器件批量生产的需求.
来源： 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共97页 <<  < 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 >  >>
回到顶部
执行限定条件