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半导体纳米结构表面等离子与中红外光子相互作用研究
半导体纳米结构表面等离子与中红外光子相互作用研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: 蔡春锋 金树强 张兵坡 吴惠桢 浙江大学物理系 硅材料国家重点实验室杭州310027
近年来,金属纳米结构中的表面等离子(SPs)与紫外、可见和近红外光子的耦合已有大量的研究报道,并在光电器件中得到了重要应用。但是,在中红外波段光子与SPs的相互作用的研究报道很少,原因之一是在中红外波段尚缺少合适的纳米材料... 详细信息
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晶界(Grain Boundary)对N极性InN薄膜输运性质的影响
晶界(Grain Boundary)对N极性InN薄膜输运性质的影响
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: Yuewei Zhang 张跃伟 School of Physics Peking University.Beijing 100871 China 北京大学物理学院 北京 100871
笔者研究了不同极性的n型InN薄膜的输运性质。经常在N极性InN薄膜中出现的晶界(GB)被证实会增强载流子的散射,进而削弱电子的迁移率。在晶界两侧会形成势垒,阻挡部分载流子的漂移运动,导致在GB两侧有较多的电子积累。但是,In极性薄膜表... 详细信息
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电注入高Q值氮化谐振腔器件的研制
电注入高Q值氮化物谐振腔器件的研制
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: Xiao-Long Hu 胡晓龙 Wen-Jie Liu 刘文杰 Jiang-Yong Zhang 张江勇 Xue-Qin Lv 吕雪芹 Lei-Ying Ying 应磊英 Bao-Ping Zhang 张保平 Laboratory of Micro/Nano Optoelectronics Xiamen University China 厦门大学物理系微纳光电子研究室 厦门361005 厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院 厦门361005 厦门大学物理系微纳光电子研究室 厦门361005 厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院 厦门361005
采用二次转移衬底技术制作了电注入氮化谐振腔器件,其谐振腔的结构包括InGaN/GaN多量子阱、30 nm厚的ITO透明导电薄膜层和两个具有高反射率的介质膜DBRs。在ITO和DBR之间插入一层厚度为40 nm的Ta2O5层使得ITO置于光场的波节,这样谐振... 详细信息
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InAlN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的研究
InAlN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: Jingtao Zhao 赵景涛 Zhaojun Lin 林兆军 Chongbiao Luan 栾崇彪 Zhihong Feng 冯志红 Yuanjie Lv 吕元杰 Zhanguo Wang 王占国 School of Physics Shandong University Jinan 250100China 山东大学物理学院 济南 250100 Science and Technology on ASIC Laboratory Hebei Semiconductor Research Institute Shijiazhuang 050 专用集成电路国家重点实验室 石家庄 050051 Laboratory of Seraiconductor Materials Science Institute of Sermiconductors Chinese Academy of Sci 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京 100083
利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性,发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起的In0.18Al0.82N/AlN界面极化电荷的不规则分布产生了极化库仑... 详细信息
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一种InGaAs/InP HBT小信号模型参数提取新方法
一种InGaAs/InP HBT小信号模型参数提取新方法
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: Jincan Zhang 张金灿 Yuming Zhang 张玉明 Hongliang Lv 吕红亮 Yimen Zhang 张义门 Wei Zhou 周威 Min Liu 刘敏 School of Microelectronics Xidian University Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materia 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体技术国防重点学科实验室西安 710071
本文提出了一种直接提取异质结双极晶体管小信号模型参数的新方法,并且成功地应用到InGaAs/InP异质结双极晶体管的小信号模型参数提取中。该方法采用层层剥离的技巧,运用电路网络理论以及S,Y,Z参数之间的关系,分别对HBT小信号模型的寄... 详细信息
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AlGaN/GaN HEMT F等离子体过刻蚀对器件特性影响研究
AlGaN/GaN HEMT F等离子体过刻蚀对器件特性影响研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: Yunlong He 何云龙 Chong Wang 王冲 Xuefeng Zheng 郑雪峰 Xiaohua Ma 马晓华 Jincheng Zhang 张进城 Yue Hao 郝跃 The School of Microelectronics Xidian University Xi'an 710071China 西安电子科技大学微电子学院 西安 710071
F等离子体刻蚀在AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)栅场板结构的栅槽刻蚀工艺中广泛采用,F等离子的栅槽过刻蚀时间对HEMTs特性的影响值得关注。实验对比了SiN棚槽刻蚀工艺中三种不同的过刻蚀时间对器件最大饱和电流、跨导峰值... 详细信息
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InAlN/AlN/GaN HFET界面缺陷态研究
InAlN/AlN/GaN HFET界面缺陷态研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: Sanlei Gao 高三垒 Zhaojun Lin 林兆军 Zhifang Cao 曹芝芳 Chongbiao Luan 栾崇彪 Zhihong Feng 冯志红 Zhanguo Wang 王占国 School of Pbysics Shandong Univeraity Jinan250100 China 山东大学物理学院 济南 250100 State Key Laboratory of ASIC Shijiazhuang050051China 专用集成电路国家重点实验室 石家庄 050051 Laboratory of Scmiconductors tor Materials Science Instiute of Semiconductorz Chine are Academy of 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京 100083
当In组分为0.18时,由于InAlN和GaN晶格匹配,InAlN/A1N/GaN HFET成为新一代HFET的研究热点,本文通过平行电导法计算界面缺陷态,发现存在快慢两种缺陷态,分别来自于HFET表面和InAlN和GaN界面。界面缺陷能级为低于导带底0.3ev左右,时间常数... 详细信息
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加压MOCVD法生长InN薄膜
加压MOCVD法生长InN薄膜
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: Yuantao Zhang 张源涛 Baolin Zhang 张宝林 Guotong Du 杜国同 Takashi Matsuoka 松岡隆志 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics College of Electronic Science and Engineering J 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室 长春 130012 Institute for Materials Research Tohoku University Sendai 9808577 Japan 日本東北大学金属材料研究所 仙台 9808577
本文采用加压MOCVD法在1600Torr压力下生长InN薄膜,研究了生长温度对薄膜特性的影响。研究表明,生长温度对薄膜的表面形貌产生很大影响。当生长温度低于或等于575°C时,可以观察到岛状的表面形貌。当生长温度高于575°c时,通过... 详细信息
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氮化铝晶针尺寸效应的拉曼散射研究
氮化铝晶针尺寸效应的拉曼散射研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: Wei Zheng 郑伟 Hong Lei Wu 武红磊 Fa Di Li 李发帝 Rui Sheng Zheng 郑瑞生 Institute ofOptoelectronics Shenshen University Shenzhen 518060 China 深圳大学光电子学研究所 深圳518060 Institute of Solid State Physics Chinese Academy of Sciences Hefei 230031 China 中国科学院固体物理研究所 合肥230031
利用拉曼散射的方法研究了AlN晶针在不同直径(9.5tm≤d≤45.9μm)处光学声子E21、A1(TO)、E22、E1(TO)和E1(LO)的振动行为。因为拉曼信号的散射截面会随着AIN晶针直径的增加而增加,使得拉曼探测信号的强度会随着AIN晶针直径的增加而增... 详细信息
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Al/ZnO:Al薄膜结构的荧光增强效应的研究
Al/ZnO:Al薄膜结构的荧光增强效应的研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: 徐天宁 卢忠 隋成华 吴惠桢 浙江工业大学之江学院理学系 杭州 310024 浙江大学物理系 现代光学仪器国家重点实验室杭州 310027 浙江工业大学之江学院理学系 杭州 310024 浙江大学物理系 现代光学仪器国家重点实验室杭州 310027
利用理气相沉积设备制备了Al/ZnO∶Al薄膜结构,研究了该结构的发光特性。结果表明,在ZnO:Al薄膜表面镀一层Al岛薄膜可以增强其带边荧光,同时在475 nm附近产生蓝光峰。通过在Al岛薄膜和ZnO∶Al薄膜之间引入一层5nm的Ta205绝缘层可... 详细信息
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