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964 条 记 录,以下是101-110 订阅
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GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的生长速率研究
GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的生长速率研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 徐大鹏 杨辉 光电子工艺中心 北京中科院半导体所
该文首次报道在高温生长条件下用低压MoCVD在GaAs(100)面的生长立方相GaN的外延膜生长速率随时间衰减的特性,给出GaN外延膜的厚度同生长时间的非线性关系,同时建立了同实验相符合的理论模型。研究人员着重分析讨论生长温度及源的流... 详细信息
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AlGaN/GaN功率HEMTs稳定性分析
AlGaN/GaN功率HEMTs稳定性分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 邵刚 刘新宇 和致经 刘键 陈晓娟 吴德馨 中国科学院微电子研究所(北京)
本文对基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN HEMTs功率器件自激振荡现象进行了分析,器件的反向增益对器件的稳定性影响较大,稳定性的提高需要从改善封装质量、优化器件设计等方面综合考虑.
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φ2″掺硅VB—GaAs体单晶材料制备
φ2″掺硅VB—GaAs体单晶材料制备
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 牛沈军 兰天平 丰梅霞 李文江 信息产业部电子第四十六研究所
本文简要对比了几种GaAs体单晶材料生长工艺的优劣,详细介绍了VB工艺生长过程及其关键技术,介绍了目前国内的VB—GaAs单晶研究水平.
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InP基上InAs纳米结构构型的研究
InP基上InAs纳米结构构型的研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 赵凤瑷 徐波 金鹏 王占国 中国科学院半导体所材料科学重点实验室(北京)
本文主要从生长环境的不同和晶格失配所产生的应力这两方面总结了InP基上InAs纳米结构产生不同构型的原因,以便能够更好的利用和开发它们在实际工作中的应用.
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HgCdTe光伏探测器V ̄I特性的自动测试系统
HgCdTe光伏探测器V ̄I特性的自动测试系统
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 严隆 田种运 物理研究所
介绍了HgCdTe光伏探测器V ̄I特性的自动测试系统的软硬件构成,并分析了测试结果。
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航天微电子器件辐射效应研究
航天微电子器件辐射效应研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 王长河 信息产业部电子十三所(河北石家庄)
本文主要论述空间自然辐射环境与人为辐射环境对航天器中微电子器件的影响.分析了几种典型器件的辐射效应及损伤机理,提出提高微电子器件抗辐射加固的相应途径.
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可见光半导体激光器的端面镀膜
可见光半导体激光器的端面镀膜
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 毕可奎 郭良 科学院半导体所国家光电子工艺中心 科学院半导体所工程中心
介绍半导体可见光激光器端面镀膜实验,及端面镀膜对激光器特性的影响。
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光纤用户接入网用低成本高可靠155Mb/s光收发合一模块的研究
光纤用户接入网用低成本高可靠155Mb/s光收发合一模块的研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 夏火元 张明杰 邮电科学研究院电信器件司
该文简单阐述了研制光纤用户接入网用低成本高可靠光收发合一模块的目的和意义,介绍了国内外概况及发展趋势,详细论述了研究人员研制光收发合一模块的设计思想、设计原理、特点和制作方法,以及他们所达到的技术水平。
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8mm功率PHEMT研制
8mm功率PHEMT研制
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 郑雪帆 陈效建 电子器件研究所
报道了8mm功率PHBMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs/InGaAs PHEMT材料,采用0.2um的T型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率PHEMT的初步测试结果为:Idss:365 mA/mm:gmO:320 mS/mm;Vp:-1.0~-2.0V。总栅宽为750um的功率器... 详细信息
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大功率氮化镓基LED关键技术研究
大功率氮化镓基LED关键技术研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 马龙 伊晓燕 郭金霞 王良臣 王国宏 李晋闽 中国科学院半导体研究所(北京)
本文对大功率氮化镓基LED的关键技术,尤其是大芯片LED的结构设计,P电极的选择与制备,提取效率的提高以及倒装焊技术做了重点的介绍与讨论.
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