检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

馆藏范围

964 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议"

共 964 条记录，以下是101-110 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的生长速率研究

GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的生长速率研究

引用

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：徐大鹏杨辉光电子工艺中心北京中科院半导体所

该文首次报道在高温生长条件下用低压MoCVD在GaAs（100）面的生长立方相GaN的外延膜生长速率随时间衰减的特性，给出GaN外延膜的厚度同生长时间的非线性关系，同时建立了同实验相符合的理论模型。研究人员着重分析讨论生长温度及源的流... 详细信息

该文首次报道在高温生长条件下用低压MoCVD在GaAs（100）面的生长立方相GaN的外延膜生长速率随时间衰减的特性，给出GaN外延膜的厚度同生长时间的非线性关系，同时建立了同实验相符合的理论模型。研究人员着重分析讨论生长温度及源的流量对这种非线性关系影响。

关键词： GaAs衬底 MOCVD 生长立方相GaN材料生长速率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

AlGaN/GaN功率HEMTs稳定性分析

AlGaN/GaN功率HEMTs稳定性分析

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：邵刚刘新宇和致经刘键陈晓娟吴德馨中国科学院微电子研究所(北京)

本文对基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN HEMTs功率器件自激振荡现象进行了分析,器件的反向增益对器件的稳定性影响较大,稳定性的提高需要从改善封装质量、优化器件设计等方面综合考虑.

关键词： AlGaN/GaN 微波功率稳定性功率器件晶体管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

φ2″掺硅VB—GaAs体单晶材料制备

φ2″掺硅VB—GaAs体单晶材料制备

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：牛沈军兰天平丰梅霞李文江信息产业部电子第四十六研究所

本文简要对比了几种GaAs体单晶材料生长工艺的优劣,详细介绍了VB工艺生长过程及其关键技术,介绍了目前国内的VB—GaAs单晶研究水平.

关键词： GaAs单晶 VB工艺引晶技术单晶生长半导体材料晶体生长生长工艺

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

InP基上InAs纳米结构构型的研究

InP基上InAs纳米结构构型的研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵凤瑷徐波金鹏王占国中国科学院半导体所材料科学重点实验室(北京)

本文主要从生长环境的不同和晶格失配所产生的应力这两方面总结了InP基上InAs纳米结构产生不同构型的原因,以便能够更好的利用和开发它们在实际工作中的应用.

关键词： InP基纳米结构量子点量子线

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

HgCdTe光伏探测器V￣I特性的自动测试系统

HgCdTe光伏探测器V￣I特性的自动测试系统

引用

第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议

作者：严隆田种运物理研究所

介绍了ＨｇＣｄＴｅ光伏探测器Ｖ￣Ｉ特性的自动测试系统的软硬件构成，并分析了测试结果。

关键词：光伏探测器半导体器件自动测试设备

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

航天微电子器件辐射效应研究

航天微电子器件辐射效应研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王长河信息产业部电子十三所(河北石家庄)

本文主要论述空间自然辐射环境与人为辐射环境对航天器中微电子器件的影响.分析了几种典型器件的辐射效应及损伤机理,提出提高微电子器件抗辐射加固的相应途径.

关键词：航天器微电子器件辐射效应损伤机理

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

可见光半导体激光器的端面镀膜

可见光半导体激光器的端面镀膜

引用

第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议

作者：毕可奎郭良科学院半导体所国家光电子工艺中心科学院半导体所工程中心

介绍半导体可见光激光器端面镀膜实验，及端面镀膜对激光器特性的影响。

关键词：半导体激光器半导体器件镀膜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

光纤用户接入网用低成本高可靠155Mb／s光收发合一模块的研究

光纤用户接入网用低成本高可靠155Mb／s光收发合一模块的研究

引用

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：夏火元张明杰邮电科学研究院电信器件司

该文简单阐述了研制光纤用户接入网用低成本高可靠光收发合一模块的目的和意义，介绍了国内外概况及发展趋势，详细论述了研究人员研制光收发合一模块的设计思想、设计原理、特点和制作方法，以及他们所达到的技术水平。

关键词：光纤用户接入网低成本 155Mb／s光收发合一模块

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

8mm功率PHEMT研制

8mm功率PHEMT研制

引用

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：郑雪帆陈效建电子器件研究所

报道了8mm功率PHBMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs／InGaAs PHEMT材料，采用0.2um的T型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率PHEMT的初步测试结果为：Idss:365 mA/mm:gmO:320 mS／mm;Vp：-1.0~-2.0V。总栅宽为750um的功率器... 详细信息

报道了8mm功率PHBMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs／InGaAs PHEMT材料，采用0.2um的T型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率PHEMT的初步测试结果为：Idss:365 mA/mm:gmO:320 mS／mm;Vp：-1.0~-2.0V。总栅宽为750um的功率器件在频率为33CHz时，饱和输出功率大于280mW，功率密度达到380 mW/mm，增益大于6 dB。

关键词： 8mm功率 PHEMT

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

大功率氮化镓基LED关键技术研究

大功率氮化镓基LED关键技术研究

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：马龙伊晓燕郭金霞王良臣王国宏李晋闽中国科学院半导体研究所(北京)

本文对大功率氮化镓基LED的关键技术,尤其是大芯片LED的结构设计,P电极的选择与制备,提取效率的提高以及倒装焊技术做了重点的介绍与讨论.

关键词：氮化镓发光二极管倒装焊技术结构设计

来源：评论