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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

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931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
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- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
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- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
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- 18 篇 化学
3 篇 经济学
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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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半导体纳米结构表面等离子与中红外光子相互作用研究

半导体纳米结构表面等离子与中红外光子相互作用研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：蔡春锋金树强张兵坡吴惠桢浙江大学物理系硅材料国家重点实验室杭州310027

近年来，金属纳米结构中的表面等离子(SPs)与紫外、可见和近红外光子的耦合已有大量的研究报道，并在光电子器件中得到了重要应用。但是，在中红外波段光子与SPs的相互作用的研究报道很少，原因之一是在中红外波段尚缺少合适的纳米材料... 详细信息

近年来，金属纳米结构中的表面等离子(SPs)与紫外、可见和近红外光子的耦合已有大量的研究报道，并在光电子器件中得到了重要应用。但是，在中红外波段光子与SPs的相互作用的研究报道很少，原因之一是在中红外波段尚缺少合适的纳米材料。利用由闪锌矿CdTe (111)极性面提供的高浓度电子作为表面等离子激元，研究其与窄带隙半导体PbTe发出的中红外光子的作用。
　　CdTe和PbTe结构都是面心立方晶体，晶格常数很接近，而且它们具有共同Te元素，异系的CdTe/PbTe异质结构具有一些独特的物理特性，例如(111)面是它们的共同极性面。CdTe/PbTe SHs由分子束外延方法生长，生长面是(111)极性面，可观察到PbTe中红外发光的显著增强现象。建立了SPs与中红外光子耦合的理论模型，计算得到的SPs色散曲线、表面SEM形貌图经富里叶变换得到的结构因子谱与PbTe中红外发光的光子能量相符合，理论上解释了SPs与中红外光子的相互作用机理。

关键词：半导体材料金属纳米结构表面等离子中红外光子

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晶界(Grain Boundary)对N极性InN薄膜输运性质的影响

晶界(Grain Boundary)对N极性InN薄膜输运性质的影响

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Yuewei Zhang 张跃伟 School of Physics Peking University.Beijing 100871 China 北京大学物理学院北京 100871

笔者研究了不同极性的n型InN薄膜的输运性质。经常在N极性InN薄膜中出现的晶界(GB)被证实会增强载流子的散射,进而削弱电子的迁移率。在晶界两侧会形成势垒,阻挡部分载流子的漂移运动,导致在GB两侧有较多的电子积累。但是,In极性薄膜表... 详细信息

笔者研究了不同极性的n型InN薄膜的输运性质。经常在N极性InN薄膜中出现的晶界(GB)被证实会增强载流子的散射,进而削弱电子的迁移率。在晶界两侧会形成势垒,阻挡部分载流子的漂移运动,导致在GB两侧有较多的电子积累。但是,In极性薄膜表面总是可以看到单层原子的台阶状分布,相对于N极性样品,表面更加光滑平整,并不会出现晶粒状表面,所以也就没有必要考虑GB对散射的影响。对于两种极性样品载流子浓度和迁移率的拟合结果均与实验数据相符,并且得到了In极性和N极性样品的位错浓度分别为4.5×1010cm-2和9.5×109cm-2,这和样品的XRD谱线估计得到的位错密度相符。拟合得到载流子在室温下在GB中的迁移率约为75cm2/V·s,远小于体迁移率。

关键词：氮化铟材料半导体薄膜晶界输运性质迁移率

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电注入高Q值氮化物谐振腔器件的研制

电注入高Q值氮化物谐振腔器件的研制

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Xiao-Long Hu 胡晓龙 Wen-Jie Liu 刘文杰 Jiang-Yong Zhang 张江勇 Xue-Qin Lv 吕雪芹 Lei-Ying Ying 应磊英 Bao-Ping Zhang 张保平 Laboratory of Micro/Nano Optoelectronics Xiamen University China 厦门大学物理系微纳光电子研究室厦门361005 厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院厦门361005 厦门大学物理系微纳光电子研究室厦门361005 厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院厦门361005

采用二次转移衬底技术制作了电注入氮化物谐振腔器件,其谐振腔的结构包括InGaN/GaN多量子阱、30 nm厚的ITO透明导电薄膜层和两个具有高反射率的介质膜DBRs。在ITO和DBR之间插入一层厚度为40 nm的Ta2O5层使得ITO置于光场的波节,这样谐振... 详细信息

采用二次转移衬底技术制作了电注入氮化物谐振腔器件,其谐振腔的结构包括InGaN/GaN多量子阱、30 nm厚的ITO透明导电薄膜层和两个具有高反射率的介质膜DBRs。在ITO和DBR之间插入一层厚度为40 nm的Ta2O5层使得ITO置于光场的波节,这样谐振腔器件的Q值达到1720。进一步对激光剥离后的GaN表面采用化学机械抛光后,其表面的粗糙度减小到0.6 nm,最终所制作的谐振腔器件的Q值高达2170。本文制作的高性能电注入氮化物谐振腔器件为实现垂直腔面发射激光器奠定了基础。

关键词：谐振腔器件氮化镓半导体二次转移衬底化学机械抛光垂直腔面发射激光器

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InAlN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的研究

InAlN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Jingtao Zhao 赵景涛 Zhaojun Lin 林兆军 Chongbiao Luan 栾崇彪 Zhihong Feng 冯志红 Yuanjie Lv 吕元杰 Zhanguo Wang 王占国 School of Physics Shandong University Jinan 250100China 山东大学物理学院济南 250100 Science and Technology on ASIC Laboratory Hebei Semiconductor Research Institute Shijiazhuang 050 专用集成电路国家重点实验室石家庄 050051 Laboratory of Seraiconductor Materials Science Institute of Sermiconductors Chinese Academy of Sci 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京 100083

利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性，发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起的In0.18Al0.82N/AlN界面极化电荷的不规则分布产生了极化库仑... 详细信息

利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性，发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起的In0.18Al0.82N/AlN界面极化电荷的不规则分布产生了极化库仑场。同AlGaN/AlN/GaNHFET器件一样，该散射机制对方形和圆形的In0.18Al0.82N/AlN/GaN HFET器件中的二维电子气(2DEG)电子迁移率同样有着重要影响。

关键词：半导体技术异质结场效应晶体管极化库仑场散射二维电子气电子迁移率

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一种InGaAs/InP HBT小信号模型参数提取新方法

一种InGaAs/InP HBT小信号模型参数提取新方法

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Jincan Zhang 张金灿 Yuming Zhang 张玉明 Hongliang Lv 吕红亮 Yimen Zhang 张义门 Wei Zhou 周威 Min Liu 刘敏 School of Microelectronics Xidian University Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materia 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术国防重点学科实验室西安 710071

本文提出了一种直接提取异质结双极晶体管小信号模型参数的新方法,并且成功地应用到InGaAs/InP异质结双极晶体管的小信号模型参数提取中。该方法采用层层剥离的技巧,运用电路网络理论以及S,Y,Z参数之间的关系,分别对HBT小信号模型的寄... 详细信息

本文提出了一种直接提取异质结双极晶体管小信号模型参数的新方法,并且成功地应用到InGaAs/InP异质结双极晶体管的小信号模型参数提取中。该方法采用层层剥离的技巧,运用电路网络理论以及S,Y,Z参数之间的关系,分别对HBT小信号模型的寄生参数和本征元件参数进行提取。建立了一套直观的直接提取模型参数的新方法,该方法无需引入数学优化,具有清晰的物理意义,提取的结果在很宽的频率范围内准确地拟合了器件特性,验证了模型的准确性与提取方法的有效性。

关键词：异质结双极晶体管参数提取小信号模型效果评估

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AlGaN/GaN HEMT F等离子体过刻蚀对器件特性影响研究

AlGaN/GaN HEMT F等离子体过刻蚀对器件特性影响研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Yunlong He 何云龙 Chong Wang 王冲 Xuefeng Zheng 郑雪峰 Xiaohua Ma 马晓华 Jincheng Zhang 张进城 Yue Hao 郝跃 The School of Microelectronics Xidian University Xi'an 710071China 西安电子科技大学微电子学院西安 710071

F等离子体刻蚀在AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)栅场板结构的栅槽刻蚀工艺中广泛采用,F等离子的栅槽过刻蚀时间对HEMTs特性的影响值得关注。实验对比了SiN棚槽刻蚀工艺中三种不同的过刻蚀时间对器件最大饱和电流、跨导峰值... 详细信息

F等离子体刻蚀在AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)栅场板结构的栅槽刻蚀工艺中广泛采用,F等离子的栅槽过刻蚀时间对HEMTs特性的影响值得关注。实验对比了SiN棚槽刻蚀工艺中三种不同的过刻蚀时间对器件最大饱和电流、跨导峰值、阈值电压、肖特基势垒高度和理想因子的影响,随着过刻蚀时间的增加,饱和电流下降,峰值跨导下降,阈值电压有较小正向移动,通过对不同过刻蚀时间器件肖特基特性分析发现,采用一定的F等离子体过刻蚀能减小棚反向泄漏电流并提高器件击穿电压,但较长的过刻蚀时间栅反向泄漏电流并未继续减小,并且使肖特基理想因子略有增大,器件击穿电压下降。

关键词：高电子迁移率晶体管异质结材料 F等离子体过刻蚀

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InAlN/AlN/GaN HFET界面缺陷态研究

InAlN/AlN/GaN HFET界面缺陷态研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Sanlei Gao 高三垒 Zhaojun Lin 林兆军 Zhifang Cao 曹芝芳 Chongbiao Luan 栾崇彪 Zhihong Feng 冯志红 Zhanguo Wang 王占国 School of Pbysics Shandong Univeraity Jinan250100 China 山东大学物理学院济南 250100 State Key Laboratory of ASIC Shijiazhuang050051China 专用集成电路国家重点实验室石家庄 050051 Laboratory of Scmiconductors tor Materials Science Instiute of Semiconductorz Chine are Academy of 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京 100083

当In组分为0.18时,由于InAlN和GaN晶格匹配,InAlN/A1N/GaN HFET成为新一代HFET的研究热点,本文通过平行电导法计算界面缺陷态,发现存在快慢两种缺陷态,分别来自于HFET表面和InAlN和GaN界面。界面缺陷能级为低于导带底0.3ev左右,时间常数... 详细信息

当In组分为0.18时,由于InAlN和GaN晶格匹配,InAlN/A1N/GaN HFET成为新一代HFET的研究热点,本文通过平行电导法计算界面缺陷态,发现存在快慢两种缺陷态,分别来自于HFET表面和InAlN和GaN界面。界面缺陷能级为低于导带底0.3ev左右,时间常数T～0.5-0.6us,界面缺陷态密度为l～3×lO12cm-2ev-1,说明虽然InAlN和6aN晶格匹配,但依然存在着比较大的界面缺陷态。

关键词：高电子迁移率晶体管异质结构界面缺陷态平行电导法晶格匹配

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加压MOCVD法生长InN薄膜

加压MOCVD法生长InN薄膜

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Yuantao Zhang 张源涛 Baolin Zhang 张宝林 Guotong Du 杜国同 Takashi Matsuoka 松岡隆志 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics College of Electronic Science and Engineering J 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室长春 130012 Institute for Materials Research Tohoku University Sendai 9808577 Japan 日本東北大学金属材料研究所仙台 9808577

本文采用加压MOCVD法在1600Torr压力下生长InN薄膜,研究了生长温度对薄膜特性的影响。研究表明,生长温度对薄膜的表面形貌产生很大影响。当生长温度低于或等于575°C时,可以观察到岛状的表面形貌。当生长温度高于575°c时,通过... 详细信息

本文采用加压MOCVD法在1600Torr压力下生长InN薄膜,研究了生长温度对薄膜特性的影响。研究表明,生长温度对薄膜的表面形貌产生很大影响。当生长温度低于或等于575°C时,可以观察到岛状的表面形貌。当生长温度高于575°c时,通过不同岛之间的合并形成连续薄膜。生长温度在600-650°C,可以很清楚地观察到台阶流表面形貌。然而,随着生长温度进一步增加,在X射线衍射图中,可以观察到来自金属In的衍射峰。实验结果表明,在目前的生长压力下,当生长温度为575°C左右时,薄膜表现出较好的晶体质量且没有金属In析出。

关键词：氮化铟薄膜半导体材料加压金属有机化学气相沉积晶体质量

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氮化铝晶针尺寸效应的拉曼散射研究

氮化铝晶针尺寸效应的拉曼散射研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Wei Zheng 郑伟 Hong Lei Wu 武红磊 Fa Di Li 李发帝 Rui Sheng Zheng 郑瑞生 Institute ofOptoelectronics Shenshen University Shenzhen 518060 China 深圳大学光电子学研究所深圳518060 Institute of Solid State Physics Chinese Academy of Sciences Hefei 230031 China 中国科学院固体物理研究所合肥230031

利用拉曼散射的方法研究了AlN晶针在不同直径(9.5tm≤d≤45.9μm)处光学声子E21、A1(TO)、E22、E1(TO)和E1(LO)的振动行为。因为拉曼信号的散射截面会随着AIN晶针直径的增加而增加，使得拉曼探测信号的强度会随着AIN晶针直径的增加而增... 详细信息

利用拉曼散射的方法研究了AlN晶针在不同直径(9.5tm≤d≤45.9μm)处光学声子E21、A1(TO)、E22、E1(TO)和E1(LO)的振动行为。因为拉曼信号的散射截面会随着AIN晶针直径的增加而增加，使得拉曼探测信号的强度会随着AIN晶针直径的增加而增强。研究发现随着AlN晶针直径的增加A1(TO)模式的振动频率有明显的增加，而E21、A1(TO)、E22、E1(TD)和E1(LO)模式的振动频率没有明显的变化;另外，还发现随着AlN晶针直径的增加A1(TO)模式的半峰宽先增加后减小，而E21、A1(TO)、E22、E1(TO)和E1(LO)模式的半峰宽没有明显变化。

关键词：半导体材料氮化铝晶针尺寸效应拉曼散射

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Al/ZnO:Al薄膜结构的荧光增强效应的研究

Al/ZnO:Al薄膜结构的荧光增强效应的研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：徐天宁卢忠隋成华吴惠桢浙江工业大学之江学院理学系杭州 310024 浙江大学物理系现代光学仪器国家重点实验室杭州 310027 浙江工业大学之江学院理学系杭州 310024 浙江大学物理系现代光学仪器国家重点实验室杭州 310027

利用物理气相沉积设备制备了Al/ZnO∶Al薄膜结构，研究了该结构的发光特性。结果表明，在ZnO：Al薄膜表面镀一层Al岛薄膜可以增强其带边荧光，同时在475 nm附近产生蓝光峰。通过在Al岛薄膜和ZnO∶Al薄膜之间引入一层5nm的Ta205绝缘层可... 详细信息

利用物理气相沉积设备制备了Al/ZnO∶Al薄膜结构，研究了该结构的发光特性。结果表明，在ZnO：Al薄膜表面镀一层Al岛薄膜可以增强其带边荧光，同时在475 nm附近产生蓝光峰。通过在Al岛薄膜和ZnO∶Al薄膜之间引入一层5nm的Ta205绝缘层可以使ZnO∶Al薄膜的带边荧光和蓝光显著增强，并随着Ta2.05绝缘层厚度的增大而减弱。而且，通过对Al/ZnO：Al样品进行退火处理可以使蓝光峰增强83倍。基于局域表面等离子体共振理论，计算了Al/ZnO∶Al纳米结构的光学散射和吸收截面曲线。计算结果较好地解释了实验观察到的荧光增强现象。

关键词：半导体薄膜金属氧化物局域表面等离子体荧光增强效应

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