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文献类型

948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

馆藏范围

964 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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线路监控用的1625／1550nm波分复用耦合器研制

线路监控用的1625／1550nm波分复用耦合器研制

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：邓桂华工青林邮电科学研究院固体器件研究所

该文介绍了利用熔融拉锥工艺来制作线路监控用的1625／1550nm的波分复用耦合器的原理和方法，并对研制样品进行了光谱分析：研制的1625／1550nm的波分复用耦合器样品其隔离度为大于等于15dB，损耗小于0.2dB，工作带宽为±5nm。

该文介绍了利用熔融拉锥工艺来制作线路监控用的1625／1550nm的波分复用耦合器的原理和方法，并对研制样品进行了光谱分析：研制的1625／1550nm的波分复用耦合器样品其隔离度为大于等于15dB，损耗小于0.2dB，工作带宽为±5nm。

关键词：线路监控 1625／1550nm波分复用耦合器

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Ku波段功率放大器的研制

Ku波段功率放大器的研制

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：钱峰蒋幼泉叶育红徐波南京电子器件研究所

Ku波段功率放大器广泛应用于卫星通信、点对点通信、点对多点通信等多个军事、民用领域.本文针对实际需要,介绍了Ku波段功率放大器的电路拓朴结构及制作工艺和器件选择.

Ku波段功率放大器广泛应用于卫星通信、点对点通信、点对多点通信等多个军事、民用领域.本文针对实际需要,介绍了Ku波段功率放大器的电路拓朴结构及制作工艺和器件选择.

关键词：功率放大器制作工艺电路拓扑

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带宽为15GHz的高速GaInAs/InP平面PIN探测器的研究

带宽为15GHz的高速GaInAs/InP平面PIN探测器的研究

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：涂之韬王任凡邮电科学研究院电信器件公司

该文提出了高速GaInAs／InP平面PIN探测器基本设计原理;并基于这一原理设计研制了带宽为15GHz的高速GaInAs/InP平面PTN探测器，该器件具有高速响应（15GH2带宽），高响应度（R．为0.98A/W），低暗电（ID=0.01nA），低电容（0.2Pf)和高... 详细信息

该文提出了高速GaInAs／InP平面PIN探测器基本设计原理;并基于这一原理设计研制了带宽为15GHz的高速GaInAs/InP平面PTN探测器，该器件具有高速响应（15GH2带宽），高响应度（R．为0.98A/W），低暗电（ID=0.01nA），低电容（0.2Pf)和高可靠性。

关键词： GaInAs/InP平面PIN探测器

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双应变富In沟道新结构InGaAs/InP器件的研究

双应变富In沟道新结构InGaAs/InP器件的研究

第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议

作者：刘训春钱鹤科学院微电子中心

报导了我们提出并由上海冶金所外延生长成功的双应变富Ｉｎ沟道Ｉｎ〈，０．４〉Ａｌ〈，０．６〉Ａｓ／Ｉｎ〈，０．８〉Ｇａ〈，０．２〉Ａｓ／ＩｎＰ新结构及用该结构研制的ＰＨＥＭＴ器件。

报导了我们提出并由上海冶金所外延生长成功的双应变富Ｉｎ沟道Ｉｎ〈，０．４〉Ａｌ〈，０．６〉Ａｓ／Ｉｎ〈，０．８〉Ｇａ〈，０．２〉Ａｓ／ＩｎＰ新结构及用该结构研制的ＰＨＥＭＴ器件。

关键词：低噪声放大器单片电路

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基于SOI光波导器件的回波损耗分析

基于SOI光波导器件的回波损耗分析

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：陈鹏辛红丽李芳方青刘育梁中国科学院半导体研究所光电子研发中心(北京)

利用高斯光束耦合理论分析了SOI波导光电器件的回波损耗,并且采用倾斜3.37度抛光SOI波导端面和在波导端面镀减反膜的方法提高了器件的回波损耗,解决了SOI光电器件回波严重的问题,改善了器件性能.利用上述方法封装的器件回波损耗为55dB,... 详细信息

利用高斯光束耦合理论分析了SOI波导光电器件的回波损耗,并且采用倾斜3.37度抛光SOI波导端面和在波导端面镀减反膜的方法提高了器件的回波损耗,解决了SOI光电器件回波严重的问题,改善了器件性能.利用上述方法封装的器件回波损耗为55dB,插入损耗增加不超过1dB.

关键词：高斯光束耦合回波损耗减反膜端面斜抛光波导器件 SOI材料

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高fmax异质结双极晶体管研制及应用初探

高fmax异质结双极晶体管研制及应用初探

第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议

作者：钱峰姚晓峨电子器件研究所

讨论了异质结双极晶体管器件设计及外延材料的优化，介绍了异质结双极晶体管研制的工艺过程。

讨论了异质结双极晶体管器件设计及外延材料的优化，介绍了异质结双极晶体管研制的工艺过程。

关键词：双极晶体管异质结

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用MOCVD外延P-InP的掺杂特性

用MOCVD外延P-InP的掺杂特性

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：于丽娟杨辉芦秀玲金潮渊中国科学院半导体研究所

本文研究了用MOCVD方法在(100)InP衬底上外延InP,其p掺杂在不同浓度下的扩散问题,发现了扩散长度随浓度的变化关系,还研究了P-InP的掺杂浓度与退火环境的关系,结果显示,在不同的退火环境(AsH/H和PH/H)下,所得到的浓度相差一个数量积.

本文研究了用MOCVD方法在(100)InP衬底上外延InP,其p掺杂在不同浓度下的扩散问题,发现了扩散长度随浓度的变化关系,还研究了P-InP的掺杂浓度与退火环境的关系,结果显示,在不同的退火环境(AsH<,3>/H<,2>和PH<,3>/H<,2>)下,所得到的浓度相差一个数量积.

关键词：光电器件半导体材料化学气相沉积外延生长磷化铟掺杂浓度退火环境

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短波红外(1-3μm)波段光电探测器及其非通讯应用

短波红外(1-3μm)波段光电探测器及其非通讯应用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张永刚顾溢李成王凯李好斯白音方祥中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

本文概述了短波红外波段光电探测器在非通讯领域的一些主要应用,对涉及此波段的一些化合物半导体光电探测材料及其特点进行了综述,侧重介绍了波长延伸的InGaAs在此波段的应用和我们的重要研究结果。

本文概述了短波红外波段光电探测器在非通讯领域的一些主要应用,对涉及此波段的一些化合物半导体光电探测材料及其特点进行了综述,侧重介绍了波长延伸的InGaAs在此波段的应用和我们的重要研究结果。

关键词：短波红外光电探测器化合物半导体非通讯应用

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在(311)A GaAs衬底上生长GaAs/GaAlAs P沟道HFET材料

在(311)A GaAs衬底上生长GaAs/GaAlAs P沟道HFET材料

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：邱凯谢自力尹志军张晓娟陈建炉南京电子器件研究所

利用分子束外延技术在(311)A衬底上,使用单一的硅源作为掺杂剂,通过控制Ⅴ/Ⅲ比和衬底温度等生长条件生长出不同导电类型的半导体材料,并生长了高性能的P沟道HFET材料.

利用分子束外延技术在(311)A衬底上,使用单一的硅源作为掺杂剂,通过控制Ⅴ/Ⅲ比和衬底温度等生长条件生长出不同导电类型的半导体材料,并生长了高性能的P沟道HFET材料.

关键词：调制掺杂二维空穴气二维电子气半导体材料分子束外延砷化镓

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半导体材料晶体的等效微重力生长

半导体材料晶体的等效微重力生长

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：徐岳生刘彩池王海云唐蕾河北工业大学信息功能材料研究所(天津市)

本文从理论上分析了半导体晶体的等效微重力生长,结合砷化镓熔体的主要物性参数,对GaAs熔体空间引入不同磁感应强度所对应的微重力量级进行了计算.其结果可指导大直径GaAs单晶的等效微重力生长.

本文从理论上分析了半导体晶体的等效微重力生长,结合砷化镓熔体的主要物性参数,对GaAs熔体空间引入不同磁感应强度所对应的微重力量级进行了计算.其结果可指导大直径GaAs单晶的等效微重力生长.

关键词：等效微重力动力粘滞系数半导体材料晶体生长砷化镓

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