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线路监控用的1625/1550nm波分复用耦合器研制
线路监控用的1625/1550nm波分复用耦合器研制
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 邓桂华 工青林 邮电科学研究院固体器件研究所
该文介绍了利用熔融拉锥工艺来制作线路监控用的1625/1550nm的波分复用耦合器的原理和方法,并对研制样品进行了光谱分析:研制的1625/1550nm的波分复用耦合器样品其隔离度为大于等于15dB,损耗小于0.2dB,工作带宽为±5nm。
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Ku波段功率放大器的研制
Ku波段功率放大器的研制
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 钱峰 蒋幼泉 叶育红 徐波 南京电子器件研究所
Ku波段功率放大器广泛应用于卫星通信、点对点通信、点对多点通信等多个军事、民用领域.本文针对实际需要,介绍了Ku波段功率放大器的电路拓朴结构及制作工艺和器件选择.
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带宽为15GHz的高速GaInAs/InP平面PIN探测器的研究
带宽为15GHz的高速GaInAs/InP平面PIN探测器的研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 涂之韬 王任凡 邮电科学研究院电信器件公司
该文提出了高速GaInAs/InP平面PIN探测器基本设计原理;并基于这一原理设计研制了带宽为15GHz的高速GaInAs/InP平面PTN探测器,该器件具有高速响应(15GH2带宽),高响应度(R.为0.98A/W),低暗电(ID=0.01nA),低电容(0.2Pf)和高... 详细信息
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双应变富In沟道新结构InGaAs/InP器件的研究
双应变富In沟道新结构InGaAs/InP器件的研究
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 刘训春 钱鹤 科学院微电子中心
报导了我们提出并由上海冶金所外延生长成功的双应变富In沟道In〈,0.4〉Al〈,0.6〉As/In〈,0.8〉Ga〈,0.2〉As/InP新结构及用该结构研制的PHEMT器件
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基于SOI光波导器件的回波损耗分析
基于SOI光波导器件的回波损耗分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 陈鹏 辛红丽 李芳 方青 刘育梁 中国科学院半导体研究所光电子研发中心(北京)
利用高斯光束耦合理论分析了SOI波导光电器件的回波损耗,并且采用倾斜3.37度抛光SOI波导端面和在波导端面镀减反膜的方法提高了器件的回波损耗,解决了SOI光电器件回波严重的问题,改善了器件性能.利用上述方法封装的器件回波损耗为55dB,... 详细信息
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高fmax异质结双极晶体管研制及应用初探
高fmax异质结双极晶体管研制及应用初探
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 钱峰 姚晓峨 电子器件研究所
讨论了异质结双极晶体管器件设计及外延材料的优化,介绍了异质结双极晶体管研制的工艺过程。
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用MOCVD外延P-InP的掺杂特性
用MOCVD外延P-InP的掺杂特性
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 于丽娟 杨辉 芦秀玲 金潮渊 中国科学院半导体研究所
本文研究了用MOCVD方法在(100)InP衬底上外延InP,其p掺杂在不同浓度下的扩散问题,发现了扩散长度随浓度的变化关系,还研究了P-InP的掺杂浓度与退火环境的关系,结果显示,在不同的退火环境(AsH/H和PH/H)下,所得到的浓度相差一个数量积.
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短波红外(1-3μm)波段光电探测器及其非通讯应用
短波红外(1-3μm)波段光电探测器及其非通讯应用
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 张永刚 顾溢 李成 王凯 李好斯白音 方祥 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
本文概述了短波红外波段光电探测器在非通讯领域的一些主要应用,对涉及此波段的一些化合物半导体光电探测材料及其特点进行了综述,侧重介绍了波长延伸的InGaAs在此波段的应用和我们的重要研究结果。
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在(311)A GaAs衬底上生长GaAs/GaAlAs P沟道HFET材料
在(311)A GaAs衬底上生长GaAs/GaAlAs P沟道HFET材料
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 邱凯 谢自力 尹志军 张晓娟 陈建炉 南京电子器件研究所
利用分子束外延技术在(311)A衬底上,使用单一的硅源作为掺杂剂,通过控制Ⅴ/Ⅲ比和衬底温度等生长条件生长出不同导电类型的半导体材料,并生长了高性能的P沟道HFET材料.
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半导体材料晶体的等效微重力生长
半导体材料晶体的等效微重力生长
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 徐岳生 刘彩池 王海云 唐蕾 河北工业大学信息功能材料研究所(天津市)
本文从理论上分析了半导体晶体的等效微重力生长,结合砷化镓熔体的主要性参数,对GaAs熔体空间引入不同磁感应强度所对应的微重力量级进行了计算.其结果可指导大直径GaAs单晶的等效微重力生长.
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