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964 条 记 录,以下是111-120 订阅
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器件隔离离子注入掩膜的制备方法
器件隔离离子注入掩膜的制备方法
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 欧文 刘训春 科学院微电子中心
提出了一种用SiO〈,2〉/正胶/AuGeNi/Au多层膜来制备离子注入掩膜的方法,此方法对HBT等GaAs器件隔离有很强的实用性。
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芯片倒装技术
芯片倒装技术
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 王静辉 卜瑞艳 张务永 李绍武 信息产业部电子十三研究所 香港兴华半导体工业有限公司
电子产品的小型、轻量、多功能、智能化的要求,同时也对集成电路的封装提出了更高的要求.本文主要叙述了芯片的倒装技术的工艺流程,工艺难点,倒装技术的最新发展,芯片倒装中粘合剂添加工艺的影响因素.
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强限制多模干涉耦合器的设计
强限制多模干涉耦合器的设计
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 王小龙 余金中 中科院半导体研究所(北京)
本文设计了一阵新型的多模干涉(MMI)耦合器,通过减小多模波导区衬底折射率,加强了对光场的限制,以激发更多的导模来提高映像质量.我们采用二维有限差分波束传播方法(2-D FDBPM)模拟了这种新型的结构,结果表明映像质量比传统结构有明显提高.
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长波(8—14um)红外焦平面器件用MoCVDHgCdTe薄膜材料的制备
长波(8—14um)红外焦平面器件用MoCVDHgCdTe薄膜材料的制备
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 俞振中 马可军 院上海技术物理研究所
该文在细致分析研制HgcdTe红外焦平面器件如何对晶体材料参数进行选取与控制的基础上,对MoCVD技术生长HgCdTe薄膜材料的技术路线、工艺参数控制、热处理过程等有关内容进行了阐述。文章最后对作者所生长的MoCVD-HgCDTe薄膜材料的性能... 详细信息
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具有脊波导结构的长波长部分增益耦合型分布反馈半导体激光器
具有脊波导结构的长波长部分增益耦合型分布反馈半导体激光器
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 孙长征 文国鹏 光电子学国家重点联合实验室 清华大学电子工程系 电信器件公司
该文从理论上分析了1.55um脊波导结构增益耦合型分布反馈半导体激光器的优化设计并进行了实际器件的制作。实验中采用增益与折射率混合光栅引入部分增益耦合,并采用倒台形状的脊波导结构以实现横模限制。制作的器件实现了单模工作,阈... 详细信息
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异质外延用高质量蓝宝石单晶衬底片研制
异质外延用高质量蓝宝石单晶衬底片研制
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 步云英 谢礼丽 于秉华 王皎瑜 苗福贺 皮宝林 天津半导体技术研究所
本文通过实验,对影响蓝宝石单晶衬底片的质量参数进行了进一步的研究,对单晶控制,切割技术,研磨工艺和抛光工艺进行改进,以期取得更好实用效果.
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AlGaN/GaN功率HEMTs稳定性分析
AlGaN/GaN功率HEMTs稳定性分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 邵刚 刘新宇 和致经 刘键 陈晓娟 吴德馨 中国科学院微电子研究所(北京)
本文对基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN HEMTs功率器件自激振荡现象进行了分析,器件的反向增益对器件的稳定性影响较大,稳定性的提高需要从改善封装质量、优化器件设计等方面综合考虑.
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LMX2325在并行口控制频率合成器电路中的应用
LMX2325在并行口控制频率合成器电路中的应用
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 郭彬 赵瑞华 张越成 周凤宇 河北半导体研究所(河北石家庄)
本文简述了用National Semiconductor公司的串行口控制锁相环电路LMX2325和PHILIPS公司的多功能单片机87LPC76设计并行口控制频率综合器的方法.实验结果验证了该方法的正确性.
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用于微波功率测量的新型薄膜/半导体热偶
用于微波功率测量的新型薄膜/半导体热偶
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 郭方敏 丁玲 科学院上海冶金研究所一室 传感技术国家重点实验室
新型薄膜/半导体热偶是用于微波测量的功率计探头的关键元件,它具有灵敏度高、动态范围大、零点漂移小、噪声低等特点。它是采用半导体薄膜技术制成的以半导体薄片为基片,并作为热偶臂的薄膜/半导体热偶。它集成了半导体外延、重掺... 详细信息
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极微弱光位敏探测新技术
极微弱光位敏探测新技术
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 富丽晨 卢耀华 光学精密机械学院
在介绍PSD电子响应特性基础上,推荐一种用于微弱光探测的MCP-PSD管,并且给出MCP串接使用组合模式的研究结果。
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