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- 1 篇 教育学
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43 篇 半导体器件
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机构

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30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

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61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

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962 篇 中文
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In2Te3一维纳米结构的制备及其光探测器应用研究

In2Te3一维纳米结构的制备及其光探测器应用研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：王振兴 Muhammad Safdar 何军国家纳米科学中心北京100190

近期Te化物材料由于其独特的物理化学性质被广泛的研究，并应用在拓扑绝缘体，热电材料，量子器件及光电传感器等研究领域。In2Te3作为一种重要Te化物也已受到大量科学工作者的关注，尤其In2Te3薄膜材料已经在存储器件，热电器件及气体... 详细信息

近期Te化物材料由于其独特的物理化学性质被广泛的研究，并应用在拓扑绝缘体，热电材料，量子器件及光电传感器等研究领域。In2Te3作为一种重要Te化物也已受到大量科学工作者的关注，尤其In2Te3薄膜材料已经在存储器件，热电器件及气体传感器件方面得到了初步的结果，然而，关于In2Te3纳米线的研究尚处空白。
　　本研究首次通过CVD的方法合成了高质量的单晶In2Te3纳米线，并基于此发展了一种从350 nm到1090nm即紫外-可见-近红外宽带光谱光探测器。该探测器具有响应快速、线性输入-输出和宽谱响应等特征。In2Te3纳米线优良的光电特性使之有望成为下一代全谱高性能光探测器及光传感器。此外，通过溶剂热法合成了一维In2Te3纳米结构，并且首次系统地研究了溶剂比例，反应时间及不同表面活性剂等各种反应条件对纳米结构成核生长机制及最终生长形貌的影响。与CVD合成的纳米线结构不同，该结构所具有粗糙的表面使之有可能在气体传感，能量存储方面得到广泛的应用。

关键词：宽谱光探测器碲化铟半导体一维纳米结构薄膜材料

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基于InAlN/GaN共振遂穿二极管的负阻特性研究

基于InAlN/GaN共振遂穿二极管的负阻特性研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Lin'an Yang 杨林安 Haoran Chen 陈浩然 Yue Hao 郝跃 State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology School of Microe/ectronic 西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国家重点学科实验室西安 710071

基于氮化镓(GaN)的共振遂穿二极管(RTD)在高场下,有着高频率和高输出功率密度的特性,所以RTD有希望在太赫兹辐射和检测领域发挥重要作用。汇报在室温下基于铟铝氮(InAlN)/GaNRTD的仿真,并向InAlN/GaN/InAlN量子阱里引入缺陷能级,来研究... 详细信息

基于氮化镓(GaN)的共振遂穿二极管(RTD)在高场下,有着高频率和高输出功率密度的特性,所以RTD有希望在太赫兹辐射和检测领域发挥重要作用。汇报在室温下基于铟铝氮(InAlN)/GaNRTD的仿真,并向InAlN/GaN/InAlN量子阱里引入缺陷能级,来研究负阻特性变化的趋势,并和传统铝稼氮(AlGaN)/GaN RTD相比较。仿真结果显示,当缺陷密度大于lO9 cm-3时,InAlN/GaN RTD的负阻特性开始出现明显衰减,这和传统AlGaN/GaN RTD一致;当正反扫20次以后,InAlN/GaN RTD的负阻特性衰减很小,这比传统的AlGaN/GaN,氮化铝(AlN)/GaN RTD有着很大的改进,这归结为InAlN和GaN晶格匹配的表面,以及带来的压电极化的移除。这暗示着材料的改进有助于RTD实现稳定的负阻特性。

关键词：共振遂穿二极管异质结构负阻特性晶格匹配

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在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2/6H-SiC异质结

在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2/6H-SiC异质结

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Rudai Quan 全汝岱 Xin He 贺欣 Hongbin Pu 蒲红斌 Zhiming Chen 陈治明 Department of Electronic Engineering Xi'an University of Technology Xi'an 710048 China 西安理工大学自动化学院电子工程系陕西西安 710048

为研究SiC衬底上β-FeSi2薄膜的生长机理,采用直流磁控溅射铁硅合金靶和硅靶共镀以及后续的快速退火热处理的方法在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2薄膜。主要研究了退火温度对薄膜相变的影响。通过X射线衍射(XRD)对制备的薄膜样品的组分进行... 详细信息

为研究SiC衬底上β-FeSi2薄膜的生长机理,采用直流磁控溅射铁硅合金靶和硅靶共镀以及后续的快速退火热处理的方法在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2薄膜。主要研究了退火温度对薄膜相变的影响。通过X射线衍射(XRD)对制备的薄膜样品的组分进行了表征,结果表明当退火温度低于500℃,薄膜为非晶态;当退火温度为500℃-900℃,非晶薄膜相变为B-FeSi2;且最佳退火温度为900℃;退火温度高于1OOO℃,薄膜相变为金属相的α-FeSi2。通过扫描电镜得到900℃退火5min样品的表面形貌和截面图。通过近红外分光光度计得到β-FeSi2薄膜的透射谱,采用外推法得出薄膜的光学带隙为0.88eV。

关键词：半导体材料碳化硅衬底异质结薄膜制备工艺性能评价

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磁隧道结中MgO薄膜的制备方法及性能表征

磁隧道结中MgO薄膜的制备方法及性能表征

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Yongle Lou 娄永乐 Yuming Zhang 张玉明 Daqing Xu 徐大庆 Hui Guo 郭辉 Yimen Zhang 张义门 Yuchen Li 李妤晨 School of Microelectronics Xidian University Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materia 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术国防重点学科实验室西安 710071 School of Electrical and Control Engineering Xi'an University of Science and Technology Xi'an 710 西安科技大学电气控制工程学院西安 710071

采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构，通过优化溅射方法和400℃真空退火改善了磁隧道结中MgO层的结晶质量。借助X射线衍射(XRD)分析发现，利用不同靶材溅射生长Mg0薄膜所得到的结晶质量是不同的。利用MgO靶溅射... 详细信息

采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构，通过优化溅射方法和400℃真空退火改善了磁隧道结中MgO层的结晶质量。借助X射线衍射(XRD)分析发现，利用不同靶材溅射生长Mg0薄膜所得到的结晶质量是不同的。利用MgO靶溅射生成的是常规的晶格常数为0.421nm的MgO薄膜，结晶质量较差;通过改变溅射方法，利用Mg靶通O2的溅射生成的MgO薄膜结晶质量有大幅度的提高。对这两组样品同时进行400℃真空退火，退火后MgO薄膜结晶质量有一定的改善。

关键词：氧化镁薄膜磁隧道结磁控溅射制备工艺性能表征

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InAlN/GaN MOS结构中深能级以及界面性质的研究

InAlN/GaN MOS结构中深能级以及界面性质的研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：杨彦楠王新强许福军卢励武沈波北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871

InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)作为高功率、高频器件被广泛关注。用InAlN层来替代AlGaN/GaN结构中AlGaN势垒层,HEMTs将提供更高浓度的电荷,这是由于InAlN比AlGaN具有更大的自发极化。InxAl1-xN合金一个重要的特性是在铟组分大约为1... 详细信息

InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)作为高功率、高频器件被广泛关注。用InAlN层来替代AlGaN/GaN结构中AlGaN势垒层,HEMTs将提供更高浓度的电荷,这是由于InAlN比AlGaN具有更大的自发极化。InxAl1-xN合金一个重要的特性是在铟组分大约为17％时,它可以与GaN晶格匹配。对于晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN结构,在异质结界面处有最小的应力。因此，InAlN/GaN在器件运用方面有很广阔的前景。但是，InAlN材料体系中还有很多基本性质有待研究，比如InAlN材料体系中的深能级特性。之前有文献报道发现晶格匹配的InAlN/GaN异质结构中存在深能级，但是很少有文献报道有关应力对深能级的影响，本文着重研究由晶格不匹配引起的应力对深能级的影响。
　　研究表明，不同铟组分InAlN材料的深能级的差异主要来源于晶格不匹配所带来应力作用。随着铟组分增加，表面态的密度也随之增加。

关键词：金属氧化物半导体异质结构深能级差异界面性质晶格匹配

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栅源场板AlGaN/GaN-HEMT动态特性分析

栅源场板AlGaN/GaN-HEMT动态特性分析

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：于国浩王越曾春红董志华蔡勇张宝顺中国科学院纳米器件与应用重点实验室苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215123 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院半导体研究所北京 100083 中国科学院纳米器件与应用重点实验室苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215123 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院纳米器件与应用重点实验室苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215123

AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件，但在高电压动态使用时，存在“电流崩塌”现象。新制备了一种具有叠层双栅结构的AlGaN/GaN HEMT器件，该器件在栅电极之上新增加了一个通过介质层(Si3N4)与栅电极相隔离并可以单独加信号控制... 详细信息

AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件，但在高电压动态使用时，存在“电流崩塌”现象。新制备了一种具有叠层双栅结构的AlGaN/GaN HEMT器件，该器件在栅电极之上新增加了一个通过介质层(Si3N4)与栅电极相隔离并可以单独加信号控制的顶栅，顶栅将栅电极完全覆盖并且向源端和漏端各有2um长度的延伸。通过对顶栅加不同的电压，可以将其作为源场板和栅场板使用。通过测试分析，源场板和栅场板都可以使器件的动态特性得到很大的改进，栅场板结构改进的效果更好一些。

关键词：高电子迁移率晶体管半导体器件栅源场板动态特性结构改进

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基于InxGa1-xN/GaN超晶格的太阳能电池的研究

基于InxGa1-xN/GaN超晶格的太阳能电池的研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：李志龙王新强贾传宇陈广郑显通马定宇蒋一祥沈波北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871

本文采用中间层为InGaN/GaN超晶格的电池结构来改善晶体质量,初步制作并研究了InXGa1-xN/GaN超晶格太阳能电池。　　结果显示，InN组分为32％的电池得到最高的转换效率1.16％，其开路电压Voc为2.01 V，短路电流密度Isc为-0.971 mA，填... 详细信息

本文采用中间层为InGaN/GaN超晶格的电池结构来改善晶体质量,初步制作并研究了InXGa1-xN/GaN超晶格太阳能电池。
　　结果显示，InN组分为32％的电池得到最高的转换效率1.16％，其开路电压Voc为2.01 V，短路电流密度Isc为-0.971 mA，填充因子为59.4％。
　　InN组分为30％的电池的效率为0.51％,开路电压Voc为1.43V，短路电流密度Isc为-0.94mA，填充因子为38％。
　　InN组分为25％的电池的效率为0.88％，开路电压Voc为1.83 V，短路电流密度Isc为-1.06mA,填充因子为45.6％。
　　不同组分的InXGa1-xN/GaN超晶格晶体质量相差不多，而32％的InN组分的超晶格吸收的光波长更长(518nm)，大于其他两者，这使得该组分的电池具有较高的光吸收，从而有高的转换效率。

关键词：太阳能电池半导体材料超晶格制备工艺性能评价

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氮化物半导体电子器件的若干进展

氮化物半导体电子器件的若干进展

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：郝跃宽带隙半导体技术重点实验室西安电子科技大学

自1993年第一只GaN HEMT器件报道以来,近20年的研究已经充分展现了GaN电子器件的性能优势。GaN电子器件已经成为高性能与高功率微波器件的最佳选择之一。频率在1-20GHz范围内的众多GaN HEMT器件已经进入移动通信、雷达等应用领域。AlGaN... 详细信息

自1993年第一只GaN HEMT器件报道以来,近20年的研究已经充分展现了GaN电子器件的性能优势。GaN电子器件已经成为高性能与高功率微波器件的最佳选择之一。频率在1-20GHz范围内的众多GaN HEMT器件已经进入移动通信、雷达等应用领域。AlGaN/GaN异质结构和肖特基栅HEMT器件作为这些器件的基本技术已经获得了很大的成功。应用的AIGaN/GaN异质结构材料的典型方块电阻在300-800 Ohm/sq,二维电子气密度在(0.8-1)×l013cm-2。肖特基栅AlGaN/GaN HEMT器件的截止频率大约35GHz,大栅宽器件功率密度大约在3-7W/mm,最大功率附加效率在60％左右。近几年,人们开始对于更高频率、更高效率的GaN功率器件开展了大量的探索研究,以InAlN/GaN异质结构和绝缘栅HEMT器件为代表的新技术在近几年取得了重要的进展。
　　报告一方面对国内外近年来在GaN电子器件研究方面的最新技术发展趋势和研究现状进行了论述与分析,特别是介绍了InAIN/GaN HEMT器件在高频率方面的最近进展,如截止频率突破400GHz的器件。另一方面介绍了西电在InAlN/GaN异质结构材料与器件、新型高压绝缘栅HEMT器件方面近年来的研究工作和成果,包括室温迁移率高达1400 cm2/Vs、面密度2.0E13cm-2、方块电阻230Ω/□的InAlN/GaN异质结构材料,室温方块电阻低达172Ω/□、600K高温电子迁移率大500 cm2/Vs的InAlN/GaN双沟道异质结构材料,具有出色高温特性的双异质结构GaN HEMT器件,功率附加效率高达73％的绝缘栅GaN HEMT器件等。

关键词：电子器件氮化物半导体技术创新产品开发

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基于InAlN的HEMT材料和器件研究

基于InAlN的HEMT材料和器件研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：王翠梅 Cuimei Wang Xiaoliang Wang 王晓亮 Yang Bi 毕杨 Hongling Xiao 肖红领 Chun Feng 冯春 Lijuan Jiang 姜丽娟 Haibo Yin 殷海波 Hong Chen 陈竑 Jianping Li 李建平 Hongxin Liu 刘宏新王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵中国科学院半导体所材料科学重点实验室北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences 中国科学院半导体所材料科学重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院西安 710049 中国科学院半导体所材料科学重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院西安 710049

In组分为17％的InAlN/GaN HEMT晶格匹配，自发极化较强，非常适于高频毫米波功率器件的制备，是近几年的国际研究热点之一。本文对InAlN/AlN/GaN HEMT结构进行理论分析，在材料生长、测试分析、器件研制等方面开展了一系列研究工作。

关键词：高电子迁移率晶体管异质结材料结构分析器件研制

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GaN基蓝光激光器上波导层的优化

GaN基蓝光激光器上波导层的优化

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Meixin Feng 冯美鑫张书明 Shuming Zhang Chang Zeng 曾畅 Jianping Liu 刘建平 Deyao Li 李德尧 Liqun Zhang 张立群 Zengcheng Li 李增成王峰 Feng Wang Hui Yang 杨辉 Key Laboratory ofNanodevices andApplications Chinese Academy of Sciences Suzhou Nano-Ray Optoelec 中国科学院纳米器件与应用重点实验室苏州 2151232 苏州纳睿光电有限公司苏州 215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215123

传统的GaN基蓝光激光器上波导层在p-AlGaN电子阻挡层和p-AlGaN光学限制层之间,导致激光器中的应力较大,腔面出现分层现象,激光器的阈值电流密度较高。本文提出改变上波导层和p-AlGaN电子阻挡层的相对位置,有效地增大了激光器的量子阱限... 详细信息

传统的GaN基蓝光激光器上波导层在p-AlGaN电子阻挡层和p-AlGaN光学限制层之间,导致激光器中的应力较大,腔面出现分层现象,激光器的阈值电流密度较高。本文提出改变上波导层和p-AlGaN电子阻挡层的相对位置,有效地增大了激光器的量子阱限制因子,减小了激光器的吸收损耗和应力,得到了“原子级光洁”的激光器腔面。通过数值计算的方法优化了GaN基蓝光激光器中lnGaN波导层的厚度和In组分。在此基础上,实现了GaN基蓝光激光器的室温连续激射,激光器的阈值电流密度为3.25kA/cm2,阈值电压为5.9V,激射波长为452nm。

关键词：蓝光激光器氮化镓半导体波导层优化设计损耗吸收

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