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In2Te3一维纳米结构的制备及其光探测器应用研究
In2Te3一维纳米结构的制备及其光探测器应用研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: 王振兴 Muhammad Safdar 何军 国家纳米科学中心 北京100190
近期Te化材料由于其独特的理化学性质被广泛的研究,并应用在拓扑绝缘体,热电材料,量子器件光电传感器等研究领域。In2Te3作为一种重要Te化也已受到大量科学工作者的关注,尤其In2Te3薄膜材料已经在存储器件,热电器件及气体... 详细信息
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基于InAlN/GaN共振遂穿二极管的负阻特性研究
基于InAlN/GaN共振遂穿二极管的负阻特性研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: Lin'an Yang 杨林安 Haoran Chen 陈浩然 Yue Hao 郝跃 State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology School of Microe/ectronic 西安电子科技大学微电子学院 宽带隙半导体技术国家重点学科实验室西安 710071
基于氮化镓(GaN)的共振遂穿二极管(RTD)在高场下,有着高频率和高输出功率密度的特性,所以RTD有希望在太赫兹辐射和检测领域发挥重要作用。汇报在室温下基于铟铝氮(InAlN)/GaNRTD的仿真,并向InAlN/GaN/InAlN量子阱里引入缺陷能级,来研究... 详细信息
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在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2/6H-SiC异质结
在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2/6H-SiC异质结
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: Rudai Quan 全汝岱 Xin He 贺欣 Hongbin Pu 蒲红斌 Zhiming Chen 陈治明 Department of Electronic Engineering Xi'an University of Technology Xi'an 710048 China 西安理工大学自动化学院电子工程系 陕西 西安 710048
为研究SiC衬底上β-FeSi2薄膜的生长机理,采用直流磁控溅射铁硅合金靶和硅靶共镀以及后续的快速退火热处理的方法在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2薄膜。主要研究了退火温度对薄膜相变的影响。通过X射线衍射(XRD)对制备的薄膜样品的组分进行... 详细信息
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磁隧道结中MgO薄膜的制备方法及性能表征
磁隧道结中MgO薄膜的制备方法及性能表征
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: Yongle Lou 娄永乐 Yuming Zhang 张玉明 Daqing Xu 徐大庆 Hui Guo 郭辉 Yimen Zhang 张义门 Yuchen Li 李妤晨 School of Microelectronics Xidian University Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materia 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体技术国防重点学科实验室西安 710071 School of Electrical and Control Engineering Xi'an University of Science and Technology Xi'an 710 西安科技大学电气控制工程学院 西安 710071
采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构,通过优化溅射方法和400℃真空退火改善了磁隧道结中MgO层的结晶质量。借助X射线衍射(XRD)分析发现,利用不同靶材溅射生长Mg0薄膜所得到的结晶质量是不同的。利用MgO靶溅射... 详细信息
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InAlN/GaN MOS结构中深能级以及界面性质的研究
InAlN/GaN MOS结构中深能级以及界面性质的研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: 杨彦楠 王新强 许福军 卢励武 沈波 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京100871
InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)作为高功率、高频器件被广泛关注。用InAlN层来替代AlGaN/GaN结构中AlGaN势垒层,HEMTs将提供更高浓度的电荷,这是由于InAlN比AlGaN具有更大的自发极化。InxAl1-xN合金一个重要的特性是在铟组分大约为1... 详细信息
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栅源场板AlGaN/GaN-HEMT动态特性分析
栅源场板AlGaN/GaN-HEMT动态特性分析
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: 于国浩 王越 曾春红 董志华 蔡勇 张宝顺 中国科学院纳米器件与应用重点实验室 苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215123 中国科学院研究生院 北京100049 中国科学院半导体研究所 北京 100083 中国科学院纳米器件与应用重点实验室 苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215123 中国科学院研究生院 北京100049 中国科学院纳米器件与应用重点实验室 苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215123
AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件,但在高电压动态使用时,存在“电流崩塌”现象。新制备了一种具有叠层双栅结构的AlGaN/GaN HEMT器件,该器件在栅电极之上新增加了一个通过介质层(Si3N4)与栅电极相隔离并可以单独加信号控制... 详细信息
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基于InxGa1-xN/GaN超晶格的太阳能电池的研究
基于InxGa1-xN/GaN超晶格的太阳能电池的研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: 李志龙 王新强 贾传宇 陈广 郑显通 马定宇 蒋一祥 沈波 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京100871
本文采用中间层为InGaN/GaN超晶格的电池结构来改善晶体质量,初步制作并研究了InXGa1-xN/GaN超晶格太阳能电池。  结果显示,InN组分为32%的电池得到最高的转换效率1.16%,其开路电压Voc为2.01 V,短路电流密度Isc为-0.971 mA,填... 详细信息
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氮化半导体电子器件的若干进展
氮化物半导体电子器件的若干进展
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: 郝跃 宽带隙半导体技术重点实验室 西安电子科技大学
自1993年第一只GaN HEMT器件报道以来,近20年的研究已经充分展现了GaN电子器件的性能优势。GaN电子器件已经成为高性能与高功率微波器件的最佳选择之一。频率在1-20GHz范围内的众多GaN HEMT器件已经进入移动通信、雷达等应用领域。AlGaN... 详细信息
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基于InAlN的HEMT材料和器件研究
基于InAlN的HEMT材料和器件研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: 王翠梅 Cuimei Wang Xiaoliang Wang 王晓亮 Yang Bi 毕杨 Hongling Xiao 肖红领 Chun Feng 冯春 Lijuan Jiang 姜丽娟 Haibo Yin 殷海波 Hong Chen 陈竑 Jianping Li 李建平 Hongxin Liu 刘宏新 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵 中国科学院半导体所材料科学重点实验室 北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences 中国科学院半导体所材料科学重点实验室 北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院 西安 710049 中国科学院半导体所材料科学重点实验室 北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院 西安 710049
In组分为17%的InAlN/GaN HEMT晶格匹配,自发极化较强,非常适于高频毫米波功率器件的制备,是近几年的国际研究热点之一。本文对InAlN/AlN/GaN HEMT结构进行理论分析,在材料生长、测试分析、器件研制等方面开展了一系列研究工作。
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GaN基蓝光激光器上波导层的优化
GaN基蓝光激光器上波导层的优化
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: Meixin Feng 冯美鑫 张书明 Shuming Zhang Chang Zeng 曾畅 Jianping Liu 刘建平 Deyao Li 李德尧 Liqun Zhang 张立群 Zengcheng Li 李增成 王峰 Feng Wang Hui Yang 杨辉 Key Laboratory ofNanodevices andApplications Chinese Academy of Sciences Suzhou Nano-Ray Optoelec 中国科学院纳米器件与应用重点实验室 苏州 2151232 苏州纳睿光电有限公司 苏州 215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州 215123
传统的GaN基蓝光激光器上波导层在p-AlGaN电子阻挡层和p-AlGaN光学限制层之间,导致激光器中的应力较大,腔面出现分层现象,激光器的阈值电流密度较高。本文提出改变上波导层和p-AlGaN电子阻挡层的相对位置,有效地增大了激光器的量子阱限... 详细信息
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