检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：理记涛徐春祥南海燕朱刚毅倪振华东南大学生物电子学国家重点实验室东南大学物理系江苏南京 210096

ZnO是一种宽禁带、直接带隙半导体材料,具有优良的光电特性,其具有的强激子结合能的特点使其成为一种理想的紫外激光材料。近年来,在氧化锌的各种微／纳米结构(纳米碟、纳米钉、微米线、纳米线等)中都观察到了紫外激射现象。根据产生机... 详细信息

ZnO是一种宽禁带、直接带隙半导体材料,具有优良的光电特性,其具有的强激子结合能的特点使其成为一种理想的紫外激光材料。近年来,在氧化锌的各种微／纳米结构(纳米碟、纳米钉、微米线、纳米线等)中都观察到了紫外激射现象。根据产生机制的不同,氧化锌紫外激射分为三类,即：随机激光、F-P激光和回音壁模(WGM)激光。其中,回音壁模式激光,因光线在六边形氧化锌微腔内部作全反射传播而更易形成高品质因子、低激射阈值的WGM激光。另一方面,石墨烯作为一种由单层碳原子紧密堆积成的二维蜂窝状晶格结构的碳质新材料,自2004年被发现以来,以其独特的性质引起了科学家们的广泛关注和极大兴趣。本研究将两种材料的优点结合起来,以单层石墨烯包覆氧化锌微米棒,研究石墨烯对氧化锌微米棒回音壁模激射行为的影响,以期为合成更高性能的氧化锌紫外发光器件寻找更为有益的方法。氧化锌微米棒是在管式炉中利用气相传输法(VPT)合成的。研究发现,石墨烯包覆后的氧化锌微米棒与包覆前相比,其回音壁模式激光激射峰的半高宽(FWHM)从0.5 nm减小到0.3nM,表明出现了更高品质因子(Q值)的激光。另外还发现,在相同激射功率下,石墨烯包覆后的氧化锌微米棒激射峰的强度更高(大约是包覆前的3～4倍),阈值更低,并出现光谱蓝移的现象。造成这种现象的原因可能是由于石墨烯表面等离子共振引起的局域场增强,使得能量从具有金属性的石墨烯转移到半导体性质的氧化锌微米棒。研究结果表明,本研究为合成高性能的光电器件提供了一种非常有益的方法。

关键词：半导体材料氧化锌微米棒回音壁模激光石墨烯包覆

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GaSb基InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外材料的背景载流子输运特性

GaSb基InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外材料的背景载流子输运特性

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：徐志成周易徐庆庆陈建新何力中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海 200083

自从InAs／GaSbⅡ类超晶格概念提出至今,其已经得到了迅速的发展,但目前报道的InAs／GaSbⅡ类超晶格探测器性能与其理论预期还有比较大的差距。为了进一步提高其性能以及最大化的实现其理论优势,仍有许多工作要开展。深入的研究了长波In... 详细信息

自从InAs／GaSbⅡ类超晶格概念提出至今,其已经得到了迅速的发展,但目前报道的InAs／GaSbⅡ类超晶格探测器性能与其理论预期还有比较大的差距。为了进一步提高其性能以及最大化的实现其理论优势,仍有许多工作要开展。深入的研究了长波InAs/GaSbⅡ类超晶格材料载流子的输运特性。在此工作中,首先在抛光的GaSb衬底上生长了高质量的本征15MLslnAs/7MLsGaSbⅡ类超晶格材料,其截止波长为14微米。随后，利用机械抛磨和化学腐蚀去掉了导电性良好的GaSb衬底，并且通过变温霍尔方法得到了此外延材料的背景载流子传输特性。在整个测试温度区间(从15k到300k)，此超晶格材料呈现n型导电，其浓度在77k温度时是1.O×1O16/cm3，并拟和得到了高温区的电学激活能。也测得了载流子迁移率随温度的变化曲线，并且利用声子散射，电离杂质散射和界面散射三种散射机理拟和了曲线，通过拟和发现，在此InAs/GaSb二类超晶格中界面散射对载流子的输运有着非常重要的影响，同时计算出了界面的粗糙程度。另外，还制作了15MLsInAs/7MLsGaSb超晶格单元器件，并对在76k下测得的的暗电流曲线进行了拟和，最后对本征超晶格的背景载流子来源做了讨论。

关键词：超晶格半导体长波红外材料背景载流子输运特性界面散射

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高阻GaN的MOCVD生长研究

高阻GaN的MOCVD生长研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Lu Zhang 张露王晓亮 Xiaoliang Wang Hongling Xiao 肖红领 Hong Chen 陈竑 Cuimei Wang 王翠梅 Chun Feng 冯春 Guangdi Shen 沈光地王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Chinese Academy of Sciences P.O.Box 912 Beijing 中国科学院半导体材料科学重点实验室北京100083 北京工业大学大学北京光电子技术实验室北京 100124 中国科学院半导体材料科学重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院西安 710049 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Chinese Academy of Sciences P.O.Box 912 Beijing Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Chinese Academy of Sciences P.O.Box 912 Beijing 中国科学院半导体材料科学重点实验室北京100083 Beijing Optoelectronic Technology Laboratory Beijing University of Technology Beijing 100022 Chin 北京工业大学大学北京光电子技术实验室北京 100124 中国科学院半导体材料科学重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Chinese Academy of Sciences P.O.Box 912 Beijing ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for Informatics Beijing 10083 Chi 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院西安 710049

使用MOCVD在蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂的高阻GaN薄膜。分别研究了GaN外延层生长的反应室压力和Ga源流量对电阻率和晶体质量的影响。螺位错会在GaN中引入导电路径,降低电阻率。刃位错起受主型陷阱的作用,会补偿背景载流子,提高电阻... 详细信息

使用MOCVD在蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂的高阻GaN薄膜。分别研究了GaN外延层生长的反应室压力和Ga源流量对电阻率和晶体质量的影响。螺位错会在GaN中引入导电路径,降低电阻率。刃位错起受主型陷阱的作用,会补偿背景载流子,提高电阻率。研究发现,降低反应室压力,(0002)面FWHM基本不变,(10-12)面FWHM大幅度增大,表明刃位错密度大幅度的增多,这是提高GaN外延层电阻率的关键。低的反应室压力下生长的外延层电阻率可达到1011Ω·cm量级。降低Ga源流量,(0002)面和(10-12)面FWHM均减小,表明螺位错和刃位错密度都明显减小。熔融KOH腐蚀后SEM图的腐蚀坑密度也减少,这与(0002)面和(10-12)面FWHM减小相符合。Ga源流量降低,螺位错减少导致电阻率增大,刃位错减少导致电阻率减小,两者共同作用,而螺位错减少所起的电阻率增大略占优势,所以外延层电阻率略有一定提高。在低反应室压力,Ga源流量较小时获得最高电阻率为3.89×1011Ω·cm,且片间均匀性很好。同时,反应室压力和Ga源流量对外延片的表面形貌没有明显的影响,都有明显的原子生长台阶。

关键词：高阻氮化镓半导体薄膜生长模式金属有机化学气相沉积

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掺纳米粒子对光致聚合物数字全息记录性能的影响

掺纳米粒子对光致聚合物数字全息记录性能的影响

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：黄明举韩俊鹤李若平薛晓渝李春柳李赟玺河南大学光电信息材料和器件重点学科开放实验室河南大学物理与电子学院475001

数字全息存储能够利用体全息页面记录的方式进行读写，因此可以获得超高的信息记录密度和超快的信息读写速度，但影响其应用的关键是没有理想的干法在线处理的数字全息记录材料。光致聚合物与已有的全息记录材料相比有曝光灵敏度高、衍... 详细信息

数字全息存储能够利用体全息页面记录的方式进行读写，因此可以获得超高的信息记录密度和超快的信息读写速度，但影响其应用的关键是没有理想的干法在线处理的数字全息记录材料。光致聚合物与已有的全息记录材料相比有曝光灵敏度高、衍射效率高、成本低廉、合成制作方便等优点，而成为人们寄予厚望的材料，但其在曝光记录过程中容易发生缩皱现象，这种现象能够引起在全息图再现时产生布拉格偏移，从而影响了信息读出的质量和可靠性。考虑在光致聚合物全息记录材料中掺入合适的无机纳米粒子，可以利用纳米粒子的硬度及全息记录过程中所产生的双扩散效应，形成聚合物和纳米粒子相间分布的复合光栅，进而大大地降低材料在全息曝光过程中产生的缩皱，增加全息光栅的衍射效率和信息读出的质量。不仅如此通过选择纳米粒子的种类可以增加全息光栅的折射率调制度，进而增加材料数字全息记录的动态范围，增加数字全息存储的容量和密度。为此，在以丙烯酞胺和双丙烯酞胺为单体的光致聚合物体系中掺入SiO2、TiO2、Mg(OH)2、ZrO2和Ag、Au等纳米粒子，并选用不同的修饰方法，改善纳米粒子在溶剂中的分散性质，保证其在材料中分散均匀，实验也验证了材料全息记录过程中的确存在着双扩散机制，为解释双扩散对材料全息存储抗缩皱的机理提供了有力的证据，同时实验也支持通过选择纳米粒子可以明显地改善全息光栅的折射率对比度，增加读出的衍射效率和信息记录的密度。这些结果表明通过选择适量和适当的纳米粒子能够有效地改善光致聚合物的全息记录性能，为其实用化提供了良好的途径。

关键词：光致聚合物数字全息记录纳米粒子性能评价

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3C-SiC纳米颗粒的电子态和发光特性

3C-SiC纳米颗粒的电子态和发光特性

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：吴兴龙南京大学物理学院 210093

碳化硅具有优良的物理和化学性质，但是由于间接带隙的特点，其发光效率较低，因此对它发光特性的研究一直较少。对3C-SiC材料，人们相信当它的尺寸小到接近其玻尔半径(约2.7纳米)时，量子限制效应会凸现出来，从而使得发光波长可在紫... 详细信息

碳化硅具有优良的物理和化学性质，但是由于间接带隙的特点，其发光效率较低，因此对它发光特性的研究一直较少。对3C-SiC材料，人们相信当它的尺寸小到接近其玻尔半径(约2.7纳米)时，量子限制效应会凸现出来，从而使得发光波长可在紫蓝光范围内可调，可弥补多孔硅在发光波段上的不足。2005年，采用多晶3C-SiC靶材电化学腐蚀加随后在一些溶剂特别是在水溶液中的超声震荡，获得了尺寸在1-7纳米的3C-SiC悬浮液，量子限制效应导致其发光波长在420-540纳米范围内可调，且发光效率可达15％，可同一些常见的半导体发光材料相比拟。但是当尺寸变小时，表面的键合结构对颗粒的电子态产生了明显的影响，使在溶液中有可调谐蓝光发射的3C-SiC颗粒制成固体薄膜时，发光波长失去了原来的尺寸依赖关系且发光强度明显减弱，难以获得可调谐的蓝光发射。2007年，采用简单的微米尺度的颗粒在HN03和HF溶液中化学腐蚀加超声震荡的办法，制备了尺寸在1-8纳米的3C-SiC纳米颗粒。通过对不同pH值溶液中3C-SiC纳米颗粒的光致发光谱的研究，发现室温下碳终端的表面是疏水的，碳化硅颗粒表面会形成不同数量的-H和-OH键。有这样表面的碳化硅颗粒不仅展现了强的量子限制效应(带带复合)的发光，其波长在蓝光范围内可调，而且还展现了由-H和-OH键引起的表面态的发光，其波长在绿光范围。这是第一次从原子/分子的层次清晰地展示了3C-SiC纳米颗粒量子限制效应的起源。随后选择了有三个强负电性-OH键的丙三醇分子作为表面钝化剂，通过理论计算和实验探索，实现了在3C-SiC纳米颗粒表面构筑稳定的几层甚至是单层的丙三醇分子键合层，在将其制成固体薄膜后，实现了强可调谐蓝光发射。把有丙三醇分子表面钝化的3C-SiC颗粒和多孔硅制成固体复合薄膜，可调谐发光波长可扩展到360-750纳米范围，覆盖了整个可见光波段。鉴于3C-SiC纳米颗粒表面水的裂解效应，进一步展示了其作为电化学阴极材料，实现了高效的氢气的制备。

关键词：纳米颗粒碳化硅半导体电子态发光特性

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第15届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于今年11月召开

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红外 2008年第9期 50-50页

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于2008年11月21日至28日在广州市召开。此次会议将由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办和中山大学光电材料与技术国家重点实

关键词：学术会议化合物半导体材料微波器件电子器件光电器件光电元件电子管

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第15届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于今年11月召开

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红外 2008年第9期29卷 F0004-F0004页

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于2008年11月21日至28日在广州市召开。此次会议将由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办和中山大学光电材料与技术国家重点实验室承办。该会议是每两年举... 详细信息

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于2008年11月21日至28日在广州市召开。此次会议将由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办和中山大学光电材料与技术国家重点实验室承办。该会议是每两年举行一次的全国性重大学术会议，会议将通过材料生长及表征、高频高功率电子器件、发光器件及光电探测器件、设备系统及应用四个专题全面展示化合物半导体，