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石墨烯包覆的氧化锌微米棒回音壁模激光研究
石墨烯包覆的氧化锌微米棒回音壁模激光研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: 理记涛 徐春祥 南海燕 朱刚毅 倪振华 东南大学生物电子学国家重点实验室 东南大学物理系江苏 南京 210096
ZnO是一种宽禁带、直接带隙半导体材料,具有优良的光电特性,其具有的强激子结合能的特点使其成为一种理想的紫外激光材料。近年来,在氧化锌的各种微/纳米结构(纳米碟、纳米钉、微米线、纳米线等)中都观察到了紫外激射现象。根据产生机... 详细信息
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掺纳米粒子对光致聚合数字全息记录性能的影响
掺纳米粒子对光致聚合物数字全息记录性能的影响
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: 黄明举 韩俊鹤 李若平 薛晓渝 李春柳 李赟玺 河南大学光电信息材料和器件重点学科开放实验室 河南大学物理与电子学院475001
数字全息存储能够利用体全息页面记录的方式进行读写,因此可以获得超高的信息记录密度和超快的信息读写速度,但影响其应用的关键是没有理想的干法在线处理的数字全息记录材料。光致聚合与已有的全息记录材料相比有曝光灵敏度高、衍... 详细信息
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高阻GaN的MOCVD生长研究
高阻GaN的MOCVD生长研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: Lu Zhang 张露 王晓亮 Xiaoliang Wang Hongling Xiao 肖红领 Hong Chen 陈竑 Cuimei Wang 王翠梅 Chun Feng 冯春 Guangdi Shen 沈光地 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Chinese Academy of Sciences P.O.Box 912 Beijing 中国科学院半导体材料科学重点实验室 北京100083 北京工业大学大学北京光电子技术实验室 北京 100124 中国科学院半导体材料科学重点实验室 北京100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院 西安 710049 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Chinese Academy of Sciences P.O.Box 912 Beijing Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Chinese Academy of Sciences P.O.Box 912 Beijing 中国科学院半导体材料科学重点实验室 北京100083 Beijing Optoelectronic Technology Laboratory Beijing University of Technology Beijing 100022 Chin 北京工业大学大学北京光电子技术实验室 北京 100124 中国科学院半导体材料科学重点实验室 北京100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Chinese Academy of Sciences P.O.Box 912 Beijing ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for Informatics Beijing 10083 Chi 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院 西安 710049
使用MOCVD在蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂的高阻GaN薄膜。分别研究了GaN外延层生长的反应室压力和Ga源流量对电阻率和晶体质量的影响。螺位错会在GaN中引入导电路径,降低电阻率。刃位错起受主型陷阱的作用,会补偿背景载流子,提高电阻... 详细信息
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3C-SiC纳米颗粒的电子态和发光特性
3C-SiC纳米颗粒的电子态和发光特性
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: 吴兴龙 南京大学物理学院 210093
碳化硅具有优良的理和化学性质,但是由于间接带隙的特点,其发光效率较低,因此对它发光特性的研究一直较少。对3C-SiC材料,人们相信当它的尺寸小到接近其玻尔半径(约2.7纳米)时,量子限制效应会凸现出来,从而使得发光波长可在紫... 详细信息
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CdS/Si纳米异质结构阵列的光电特性研究
CdS/Si纳米异质结构阵列的光电特性研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: Lingling Yan 闫玲玲 Xiaobo Wang 王小波 Yong Li 李勇 Wenchuang Wang 王文闯 Linli Wang 王伶俐 Yantao Li 李彦涛 Xinjiang Li 李新建 School of Physics and electronics Zhengzhou University Zhengzhou 450052 郑州大学物理工程学院郑州 450052 Henan Polytechnic University Jiaozuo 454000 河南理工大学焦作 454000
以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底、用化学水浴沉积法(CBD)制备了具有规则阵列结构特性的CdS/Si-NPA纳米复合体系。结果表明,组成CdS/Si表面阵列的每个柱子均呈现核壳结构。CdS/Si-NPA纳米复合体系在300-800nm波长范围内反射率均小于6... 详细信息
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第15届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议定于今年11月召开
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红外 2008年 第9期 50-50页
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议定于2008年11月21日至28日在广州市召开。此次会议将由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办和中山大学光电材料与技术国家重点实
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第15届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议定于今年11月召开
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红外 2008年 第9期29卷 F0004-F0004页
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议定于2008年11月21日至28日在广州市召开。此次会议将由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办和中山大学光电材料与技术国家重点实验室承办。该会议是每两年举... 详细信息
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第十五届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议第二轮征文通知
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半导体技术 2008年 第10期 937-938页
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第十五届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议第二轮征文通知
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半导体技术 2008年 第11期33卷 1052-1053页
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短波红外(1-3μm)波段光电探测器及其非通讯应用
短波红外(1-3μm)波段光电探测器及其非通讯应用
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 张永刚 顾溢 李成 王凯 李好斯白音 方祥 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
本文概述了短波红外波段光电探测器在非通讯领域的一些主要应用,对涉及此波段的一些化合物半导体光电探测材料及其特点进行了综述,侧重介绍了波长延伸的InGaAs在此波段的应用和我们的重要研究结果。
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