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全国化合物半导体微波器和光电器件学术会议成功举行
收藏 引用
电子产品世界 2000年 第12期 67-67页
作者: 叶钟灵
来源: 评论
SiC纳米棒的拉曼光谱与缺陷效应
SiC纳米棒的拉曼光谱与缺陷效应
收藏 引用
全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 张树霖 朱邦芬 大学物理系 院半导体所(北京)
来源: 评论
3C-SiC/Si(001)外延材料的研究
3C-SiC/Si(001)外延材料的研究
收藏 引用
全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 梁骏吾 朱建军 科学院半导体研究所(北京)
来源: 评论
我国首根太空砷化镓单晶的表面状况及其他
我国首根太空砷化镓单晶的表面状况及其他
收藏 引用
全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 周伯骏 王占国 科学院半导体研究所(北京)
该文在展示中国首根太空砷化镓单晶外貌的同时介绍了生长容器的结构和温控曲线,并阐述了设计思想。
来源: 评论
氮化镓微波器件的进展
氮化镓微波器件的进展
收藏 引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 袁明文 信息产业部电子13所专用集成电路国家重点实验室(石家庄)
GaN是一种很稳定的化合物半导体材料,其化学的和热的稳定性材料性质尤其有利于制造高温器件.本文综述了优良的宽度半导体GaN微电子器件的优点性能及其新进展.
来源: 评论
微波异质结器件
微波异质结器件
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 杨玉芬 科学院半导体研究所
来源: 评论
GaAs HBT的抗辐照特性及其与GaAs场效应器件和硅双极晶体管的比较
GaAs HBT的抗辐照特性及其与GaAs场效应器件和硅双极晶体管的比较
收藏 引用
全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 曾庆明 蔡克理 集成电路国家级重点实验室 电子工业部第十三研究所(石家庄市)
来源: 评论
微波半导体器件低频噪声技术及其应用研究
微波半导体器件低频噪声技术及其应用研究
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 顾世惠 电子器件研究所
来源: 评论
微波器件金属陶瓷外壳电性能设计及实践
微波器件金属陶瓷外壳电性能设计及实践
收藏 引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 高尚通 王文琴 中电科技集团电子13所(石家庄)
本文作者对过去多年来从来微波器件封装科研开发的实践成果进行了总结,对今后封装的发展提出了一些建议.所涉及的微波器件封装,外壳类型为金属陶瓷外壳.
来源: 评论
氮化铝晶体制备技术和光学性能的研究
氮化铝晶体制备技术和光学性能的研究
收藏 引用
第十七届全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议
作者: 郑瑞生 武红磊 深圳大学光电工程学院光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室 深圳 518060
来源: 评论