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931 篇 工学
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- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

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962 篇 中文
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AlGaN/GaN紫外发光分离限制异质结构的MOCVD外延

AlGaN/GaN紫外发光分离限制异质结构的MOCVD外延

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曾建平闫建昌丛培沛王军喜李晋闽中国科学院半导体照明研发中心北京市海淀区清华东路甲35号100083

本文采用LP-MOVPE两步法,以无裂纹AIN作为模板,NH3、TMG、TMA作为源气,设计生长了Al组分为0.16和0.26的两个AlGaN单层和GaN单层,AFM、HRXRD、透射谱等表征测试的结果均表明。外延层结晶质量很好。AFM显示表面粗糙度(RMS<0.65nm),HRXR... 详细信息

本文采用LP-MOVPE两步法,以无裂纹AIN作为模板,NH3、TMG、TMA作为源气,设计生长了Al组分为0.16和0.26的两个AlGaN单层和GaN单层,AFM、HRXRD、透射谱等表征测试的结果均表明。外延层结晶质量很好。AFM显示表面粗糙度(RMS<0.65nm),HRXRD测试(10—12)摇摆曲线的半高宽FWHM小于500秒,FWHM(002)则在200秒左右,估计位错密度～9×108/cm2,实现了高质量单层AlGaN的外延。并在此基础上成功地外延AlGaN/GaN多量子阱(MQW)分离限制异质结构(A1GaN/GaN MQW-SCH)。

关键词： AlGaN LP-MOCVD 分离限制异质结构光致发光电致发光

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氮化镓基激光器的研究进展

氮化镓基激光器的研究进展

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张书明曾畅季连王怀兵赵德刚朱建军刘宗顺江德生杨辉中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215123 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215123

利用MOCVD在自支撑GaN体材料为衬底生长了紫光和蓝光激光器外延片。通过优化InGaN/GaN多量子阱和p-AlGaN的生长条件。提高了激光器件的性能。紫光激光器的阈值电流和阈值电压分别为78mA(2.4KA/cm2)和6.8V。老化实验的结果表明:器件阈值... 详细信息

利用MOCVD在自支撑GaN体材料为衬底生长了紫光和蓝光激光器外延片。通过优化InGaN/GaN多量子阱和p-AlGaN的生长条件。提高了激光器件的性能。紫光激光器的阈值电流和阈值电压分别为78mA(2.4KA/cm2)和6.8V。老化实验的结果表明:器件阈值电流的上升与内量子效率的下降紧密相关。本文还优化了蓝光激光器的波导结构,实现了国内首支蓝光激光器的室温脉冲电注入激射,激射波长为445nm。

关键词：氮化镓基激光器衬底生长波导结构

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成核层温度对N面GaN外延薄膜质量的影响

成核层温度对N面GaN外延薄膜质量的影响

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：杜大超林志宇马俊彩张进成郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安 710071

采用自制MOCVD系统研究了成核层温度对外延N面GaN的影响。XRD结果显示,低温氮化镓成核层外延薄膜有着较低的(002)和(102)XRD半高宽(FWHM)。Hall测量表明,高温氮化镓外延薄膜有着较高的迁移率和较低的体电子浓度。室温PL谱测量结果证明,... 详细信息

采用自制MOCVD系统研究了成核层温度对外延N面GaN的影响。XRD结果显示,低温氮化镓成核层外延薄膜有着较低的(002)和(102)XRD半高宽(FWHM)。Hall测量表明,高温氮化镓外延薄膜有着较高的迁移率和较低的体电子浓度。室温PL谱测量结果证明,尽管成核层温度不同。N面GaN的带边峰均出现红移,且低温氮化镓外延薄膜的红移较小,对应于较低的张应力。此外,从AFM图像上可以看到,外延薄膜表面形貌对成核层温度是极其敏感的。对此,我们基于以上实验结果,从的角度出发,讨论了不同温度下N面GaN的生长行为对外延薄膜质量及形貌的影响。

关键词： N面GaN 成核层晶体质量表面形貌生长机理

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退火对Mg掺杂AlGaN的影响

退火对Mg掺杂AlGaN的影响

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：蔡茂世李培咸马晓华周小伟许晟瑞郝萌郝跃西安电子科技大学技术物理学院西安 710071 西安电子科技大学技术物理学院西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体教育部重点实验室西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体教育部重点实验室西安 710071

本文主要介绍了热退火对Mg掺杂的A10.25Ga0.75N的影响。我们研究了不同的退火温度对表面形貌,材料质量以及电性能的影响,并且在室温下得到了电阻率为4.37Ω·cm的样品结果。我们还讨论了退火对于Mg浓度以及杂质原子(H,O,C)浓度的影... 详细信息

本文主要介绍了热退火对Mg掺杂的A10.25Ga0.75N的影响。我们研究了不同的退火温度对表面形貌,材料质量以及电性能的影响,并且在室温下得到了电阻率为4.37Ω·cm的样品结果。我们还讨论了退火对于Mg浓度以及杂质原子(H,O,C)浓度的影响,发现热退火导致了Mg原子的重新分配并且使得H和O原子逃离了周体薄膜,而C原子的浓度反倒增加.

关键词：热退火 P型AlGaN MOCVD方法

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Ni掺杂ZnO薄膜的结构和光学特性的研究

Ni掺杂ZnO薄膜的结构和光学特性的研究

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王瑾王辉赵龙马艳李万程董鑫杜国同集成光电子国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院长春 130012

本文采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在Si衬底和玻璃衬底上生长了Ni掺杂的ZnO薄膜,生长温度大约500℃. 通过改变镍源的载气流量来控制样品中镍的掺杂量。分别生长了三种不同掺杂量的样品。论文中我们对这三种不同样品分别进行了X... 详细信息

本文采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在Si衬底和玻璃衬底上生长了Ni掺杂的ZnO薄膜,生长温度大约500℃. 通过改变镍源的载气流量来控制样品中镍的掺杂量。分别生长了三种不同掺杂量的样品。论文中我们对这三种不同样品分别进行了X射线衍射测试(XRD))、光致发光测试(PL)、光学吸收测试,并研究了Ni的掺杂母增加对样品的晶体结构和光学特性的影响。XRD测试结果显示,虽然随着Ni的含量增加。晶体的结晶质量变差,以至于出现了NiO的相,但所有样品仍保持着ZnO的纤锌矿结构,从PL谱中可以看到,因Ni的掺杂,样品的光学质量急剧变差,光学透射测试结果显示,样品的光学吸收边随着Ni的含量增加明显地向长波方向移动。

关键词： MOCVD ZnO薄膜镍掺杂宽禁带半导体

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GaN HVPE生长基座优化研究

GaN HVPE生长基座优化研究

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：程红娟徐永宽李强杨丹丹张嵩中国电子科技集团公司第四十六研究所天津 300220

本论文采用计算机模拟技术,研究了氢化物气相外延(HVPE)生长GaN过程中石墨基座上的温度分布情况并对基座结构进行了优化。在竖直HVPE电阻丝加热炉内。由于热辐射和热传导及对流的影响,蓝宝石衬底上温度分布不均匀,进而影响到其上GaN薄... 详细信息

本论文采用计算机模拟技术,研究了氢化物气相外延(HVPE)生长GaN过程中石墨基座上的温度分布情况并对基座结构进行了优化。在竖直HVPE电阻丝加热炉内。由于热辐射和热传导及对流的影响,蓝宝石衬底上温度分布不均匀,进而影响到其上GaN薄膜的生成。本次研究模拟了不同结构下基座上的温度分布特点,并选择衬底上温度分布最均匀的结构,对基座结构进行优化。通过本次研究,获取了不同HVPE生长环境下最佳的基座结构设计方案,为HVPE炉体的设计和氮化物生长提出指导性意见。

关键词：氮化镓晶体生长氢化物气相外延基座结构

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衬底偏角对GaN HVPE外延生长的影响

衬底偏角对GaN HVPE外延生长的影响

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：程红娟徐永宽李强杨丹丹张嵩中国电子科技集团公司第四十六研究所天津 300220

本文主要研究了GaN HVPE(hydride vapoar phase epitaxy)外延生长过程中,蓝宝石衬底偏角对外延片表面形貌、弯曲度及晶体质量的影响。本次研究中GaN HVPE外延生长条件相同,而使用的c面蓝宝石衬底分别具有偏m面的不同角度。通过对制备出... 详细信息

本文主要研究了GaN HVPE(hydride vapoar phase epitaxy)外延生长过程中,蓝宝石衬底偏角对外延片表面形貌、弯曲度及晶体质量的影响。本次研究中GaN HVPE外延生长条件相同,而使用的c面蓝宝石衬底分别具有偏m面的不同角度。通过对制备出的GaN外延片弯曲度、表面形貌、XRD半高宽的分析比较,总结出以下规律:偏m面角度从0°增加到0.5度时,外延表面从包状结构逐渐过度到线状结构,且表面趋于平整光亮,而当偏角大于一定值时表面粗糙;选用合适偏角,或降低外延片弯曲度都可有效减小(002)方向XRD半高宽值。

关键词：氮化镓氢化物气相外延衬底偏角

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溶液方法制备有机小分子白光电致发光器件

溶液方法制备有机小分子白光电致发光器件

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：吴朝新王栋东张新稳焦博侯洵陕西省信息光子技术重点实验室电信学院西安交通大学西安 710049

采用4,4’-biS(2,2-diphenylvinyl)-1,1’-bibenyl(DPVBi)与N.N’-Bis(naphthalene-1-yl)-N.N’bis(phenyl)-benzidine(NPB)为共混主体材料,蓝光染料4,4’-bis[2-(4-(N,N-diphenylamino)phenyl)vinyl]biphenyl(DOAVBi)和橙光染料5,6,11,12-tetraphenylnaphacene(rubrene)为掺杂剂,用溶液旋涂的方法制备了单发光层白光有机电致发光器件。实验发现白光器件的性能依赖于共混主体材料的比率,随着NPB含量的增加,器件亮度和效率逐渐增大。当NPB:DPvbi的比例为6:4时器件具有最好的性能。最大亮度为35822cd·m-2,器件的电流效率达到6.5 cd·A-1(1000cd·m-2),主要归因于器件平衡的载流子注入。器件的色坐标几乎不随工作电压而变化。避免共蒸镀制备掺杂器件时工艺复,为低成本的制备基于小分子材料的白光器件提供了一种思路。

关键词：白光有机电致发光器件溶液方式混合主体

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AlGaN/AlN/GaN HFETs中的极化梯度库仑场散射

AlGaN/AlN/GaN HFETs中的极化梯度库仑场散射

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：吕元杰林兆军张宇孟令国栾崇彪曹芝芳陈弘王占国山东大学物理学院济南 250100 中国科学院凝聚态物理北京国家重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京 100083

利用测得的方形和圆形A1GaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性.我们发现由于AlN插层使得二维电子气与极化电荷的间距变大,从而导致由AlGaN势垒层应变不同而引起的极化梯度库仑场散射在AlGa... 详细信息

利用测得的方形和圆形A1GaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性.我们发现由于AlN插层使得二维电子气与极化电荷的间距变大,从而导致由AlGaN势垒层应变不同而引起的极化梯度库仑场散射在AlGaN/AlN/GaN异质结构中与在AlGaN/GaN结构中相比相对变弱,但极化梯度库仑场散射在方形和圆形AlGaN/A1N/GaN场效应晶体管中仍然对二维电子气的迁移率仍然有重要的影响。

关键词：半导体材料极化梯度库仑场散射二维电子气电子迁移率

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高功率半导体激光器技术的几个关键问题探讨

高功率半导体激光器技术的几个关键问题探讨

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘兴胜房艳王警卫熊玲玲张普中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室陕西西安 710119 西安炬光科技有限公司陕西西安 710119 西安炬光科技有限公司陕西西安 710119 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室陕西西安 710119

随着其输出功率、转化效率、可靠性和制造工艺的提高以及成本的降低,高功率半导体激光器越来越广泛地应用于许多新的领域。如何进一步实现高功率、高亮度和高可靠性已经成为当前拓展和优化高功率半导体激光器技术的关键。本文探讨了以... 详细信息

随着其输出功率、转化效率、可靠性和制造工艺的提高以及成本的降低,高功率半导体激光器越来越广泛地应用于许多新的领域。如何进一步实现高功率、高亮度和高可靠性已经成为当前拓展和优化高功率半导体激光器技术的关键。本文探讨了以开放式半导体激光器或光纤输出为基础发展半导体激光器技术的三个关键问题:高功率、高亮度和高可靠性,分析了各种影响因素,并提出了相关技术和策略。

关键词：高功率半导体激光器高亮度高可靠性

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