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Ge组分对SiGe合金退火行为的影响
Ge组分对SiGe合金退火行为的影响
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 刘金平 李建平 院半导体所材料中心(北京)
采用快速热退火对外延SiGe/Si合金样品进行热处理。用双晶X-ray衍射，Raman，RBS分析样品的应变及组分变化。结果表明大组分（＞0.3）合金在退火时有明显的互扩散发生，组分越大，互扩散越明显。
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622Mb/s同轴型PIN/TIA光接收组件
622Mb/s同轴型PIN/TIA光接收组件
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 周胜 部武汉邮电科学研究院
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ZnO/ZnMgO异质结二维电子气特性及其HEMT器件研究
ZnO/ZnMgO异质结二维电子气特性及其HEMT器件研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 张景文 西安交通大学电子与信息工程学院 陕西省信息光子技术重点实验室 西安710049
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Ⅲ—V化合物半导体材料光荧光测试中无信号问题实验研究
Ⅲ—V化合物半导体材料光荧光测试中无信号问题实验研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 丁国庆 电信器件公司
在Ⅲ—V族化合物半导体材料光荧光（PL）测试中，有时会观测不到光荧光信号。该文介绍了PL6120光荧光测试系统和测试原理;归纳、分析和讨论了无光荧光信号的五种典型的实测情况;以期对正确判断材料结构和质量有所裨益。
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用于光纤通信中的新型光电子器件
用于光纤通信中的新型光电子器件
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 李同宁 邮电科学研究院 武汉电信器件公司
该文介绍了近年来随着光纤通信的飞跃发展，新型的半导体光集成和光电集成器件相应技术的发展。并着重介绍了用于高速光纤通信系统和光纤接人网的新型光电子器件。同时介绍了武汉邮电科学研究院研究开发的光集成器件。
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Φ3"LEC GaAs单晶的试制
Φ3"LEC GaAs单晶的试制
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 张凡文 刘鹏 金晶电子材料厂
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我国微波半导体器件的水平和发展趋势
我国微波半导体器件的水平和发展趋势
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 林金庭 工业部第55研究所
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3C-SiC／Si（001）外延层残余应力的Raman光谱研究
3C-SiC／Si（001）外延层残余应力的Raman光谱研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 朱建军 庞海 科学院半导体研究所(北京)
该文对用CVD方法外延生长的3C-SiC/S（001）材料的室温Raman光谱进行了分析、并对3C-SiC/Si材料中的残余应力进行了分析和计算。
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MIS型GaNLED的LP-MOVPE
MIS型GaNLED的LP-MOVPE
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 段树坤 滕学公 科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
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光纤通信技术对光电子器件的要求及发展趋势
光纤通信技术对光电子器件的要求及发展趋势
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 易河清 部激光通信研究所
光纤通信技术发展现状对化合物半导体光电子器件的要求和光纤通信用光电子器件今后的发展趁势－－磷化铟上的光电子集成予以概括论述。
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