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光纤通信技术对光电器件的要求及发展趋势
光纤通信技术对光电子器件的要求及发展趋势
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 易河清 部激光通信研究所
光纤通信技术发展现状对化合物半导体光电器件的要求和光纤通信用光电器件今后的发展趁势--磷化铟上的光电子集成予以概括论述。
来源: 评论
VPE外延材料质量与缓冲层厚度关系的研究
VPE外延材料质量与缓冲层厚度关系的研究
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 孙文红 工业部第十三研究所
来源: 评论
影响SI GaAs单晶中C含量的几个重要因素
影响SI GaAs单晶中C含量的几个重要因素
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 宋群厚 电子器件研究所
来源: 评论
Ge组分对SiGe合金退人行为的影响
Ge组分对SiGe合金退人行为的影响
收藏 引用
全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 刘金平 李建平 院半导体所材料中心(北京)
采用快速热退人对外延SiGe/Si合金样品进行热处理。用双晶调X-rav衍射、Raman,RBS分析样品的应变及组分变化。结果表明大组分(>0.3)合金在退火时有明显的互扩散发生,组分越大,互扩散越明显。
来源: 评论
GaAs太阳电池的辐照效应研究
GaAs太阳电池的辐照效应研究
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 向贤碧 廖显伯 科学院半导体所半导体材料科学实验室
来源: 评论
SI-GaAs材料及其器件光敏特性的研究
SI-GaAs材料及其器件光敏特性的研究
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 周智慧 郭小兵 工业部四十六研究所
来源: 评论
砷化镓等化合物半导体市场进展
砷化镓等化合物半导体市场进展
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 赵谢群 张艳红 有色金属研究总院
综述了国内外以GaAs为主的化合物半导本市场现状及今后的发展动向。
来源: 评论
高压LEC工艺生长SI-GaAs中的碳杂质
高压LEC工艺生长SI-GaAs中的碳杂质
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 赖占平 齐德格 工业部第四十六研究所
来源: 评论
2.5Gb/s系列光接收模块的研制
2.5Gb/s系列光接收模块的研制
收藏 引用
全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 夏火元 严峻 邮电科学研究院电信器件公司
该文简单阐述了研制该序列模块的目的和意义,详细论述了研究人员研制2.5Gb/s系列光接收模块的设计原理和制作方法,以及研究人员所达到的技术水平。
来源: 评论
超万瓦高功率GaAs红外激光窗口材料的研制
超万瓦高功率GaAs红外激光窗口材料的研制
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 黎建明 王岩 有色金属研究总院
来源: 评论