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- 1 篇 教育学
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30 篇 中国科学院半导体...
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23 篇 中国科学院半导体...
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17 篇 中国科学院半导体...
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12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
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11 篇 中国科学院半导体...
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33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
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24 篇 郝跃
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21 篇 李建平
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提高聚合物白光二极管发光效率的界面研究(邀请报告)

提高聚合物白光二极管发光效率的界面研究(邀请报告)

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：邹建华吴宏滨彭俊彪华南理工大学高分子光电材料及器件研究所广州 510640 华南理工大学高分子光电材料及器件研究所广州 510640 华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室广州 510640

利用聚合物的溶解特性,用旋涂方法制备了双层高分子白光二极管(WPLED),实现了结构为ITO/PEDOT(50nm)/PVK:PFO-BT:PFO-DBT(40nm)/PFO(40nm)/Ba(4nm)/Al(120am)的白光器件,当相对比例PVK:PFO-BT:PFO-DBT=1:4wt％:3wt％时,得到最大电流效率为2.64cd/A,最大亮度为3215cd/m2,CIE色坐标为(0.33,0.34)。通过在阴极界面插入水溶性的聚电介质层,明显改善了电子注入,器件最大电流效率提高到5.05cd/A,色度坐标仍保持在(0.33,0.34),同时器件表现出较好的光谱稳定性。

关键词：聚合物发光二极管白光二极管双发光层结构发光效率光谱稳定性

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基于铱配合物的高效率黄色有机电致发光器件

基于铱配合物的高效率黄色有机电致发光器件

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：鲁建华薛钦陈平赵毅刘式墉张丽英集成光电子学国家重点联合实验室占林大学实验区吉林大学电子科学与工程学院长春 130012 中科院长春光学精密机械与物理研究所激发态实验室长春 130033

为了更好的实现有机电致发光器件在显示和照明等方面的应用,降低能耗,我们需要进一步提高器件的发光效率。本文中我们把一种新型铱配合物掺杂到母体CBP中作为黄色发光层,并且在发光层和空穴传输层之间插入一层激子阻挡材料Ir(ppz)3,Ir(p... 详细信息

为了更好的实现有机电致发光器件在显示和照明等方面的应用,降低能耗,我们需要进一步提高器件的发光效率。本文中我们把一种新型铱配合物掺杂到母体CBP中作为黄色发光层,并且在发光层和空穴传输层之间插入一层激子阻挡材料Ir(ppz)3,Ir(ppz)3有效地抑制了发光层向空穴传输层的Dexter能量转移,这样便把激子有效的限制在发光层中,大大的提高了器件的发光效率。实验中我们通过改变Ir(ppz)3的厚度来获得最优器件,实验结果显示,优化后器件的电流效率最大为52.3 cd/A,比未加Ir(ppz)3的器件的最大电流效率提高了49％。

关键词：有机电致发光器件激子阻挡层 Dezter能量转移铱配合物掺杂电流效率

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高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT研制

高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT研制

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：任春江李忠辉焦刚钟世昌董逊薛舫时陈辰陈堂胜南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京 210016

文中利用南京电了器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×... 详细信息

文中利用南京电了器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×10 12cm-2、迁移率达188cm2/V·s。在该材料上研制了栅长0.35μm带场板的AlGaN/GaN HEMT,小信号测试表明器件fT为31.6GHz、最高振荡频率fmax为36.8GHz。研制的1mm栅宽器件8GHz、45V工作电压下饱和输出功率10.52W,功率增益和功率附加小率分别为7.62dB和45.8％。

关键词：电子迁移率晶体管电流崩塌输出功率异质结振荡频率半绝缘衬底

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不同高场应力下SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件的性能退化

不同高场应力下SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件的性能退化

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：谷文萍郝跃张进城马晓华西安电子科技大学微电子学院西安 710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

采用不同的高场应力对SiN钝化前后的AlGaN,GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现：应力后器件主要参数如饱和漏电流IDsat, 跨导峰值gm和阈值电压VTH等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的。分析表明：高场应力后,在栅漏... 详细信息

采用不同的高场应力对SiN钝化前后的AlGaN,GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现：应力后器件主要参数如饱和漏电流IDsat, 跨导峰值gm和阈值电压VTH等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的。分析表明：高场应力后,在栅漏区高场作用下,表面和AlGaN势垒层的陷阱俘效应增加,使得器件参数漂移,从而导致器件电特性退化。偏置应力VDS=20V,VGS=0V后发现SiN钝化使得应力产生的IDsat退化从36％减少到了30％。这说明高场应力下,虽然SiN钝化一定程度上有助于阻挡电子陷落表面态和2DEG耗尽,但是它不能从根本上解决AlGaN/GaN HEMT的岛场退化问题。我们认为在钝化的基础上应当结合其他工艺方法例如帽层结构或者场板结构来改善高场下器件的退化问题。

关键词：势垒层陷阱高场应力迁移率晶体管器件参数偏置应力帽层结构岛场退化场板结构

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MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究

MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李弋谢自力刘斌傅德颐张荣郑有炓南京大学物理系江苏省光电功能材料重点实验室

使用MOCVD直接外延r面蓝宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[0001]和[100]方向横向关联长度分别为41.9、14.8 nm,解释了面内各向异性的一个原因,在这两个方向N原子的悬... 详细信息

使用MOCVD直接外延r面蓝宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[0001]和[100]方向横向关联长度分别为41.9、14.8 nm,解释了面内各向异性的一个原因,在这两个方向N原子的悬挂键数目的差异导致了Ga原子这两个方向上的扩散长度不同,是面内各向异性的另一个重要原因。AFM结果显示a面GaN薄膜表面较平整,表面粗糙度均方根仅为3.9 nm,表面沿[0001]方向起伏的条纹再次验证了a面GaN的面内各向异性。

关键词： a面氮化镓非极性金属有机物化学气相沉积

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4H-Si1-yCy合金的生长及特性

4H-Si1-yCy合金的生长及特性

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：俞斐吴军韩平王荣华葛瑞萍赵红俞慧强谢自力徐现刚陈秀芳张荣郑有炓南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室

用化学气相淀积（CVD）法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了SiC合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压（ECV）方法,以及俄歇电子能谱（AES）等方法对所得的样品进行了表征测量。XRD衍射谱表明合金薄膜... 详细信息

用化学气相淀积（CVD）法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了SiC合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压（ECV）方法,以及俄歇电子能谱（AES）等方法对所得的样品进行了表征测量。XRD衍射谱表明合金薄膜晶体取向单一;SEM结果显示SiC合金薄膜表面平整,晶粒大小均匀。利用ECV方法得到样品中的载流子浓度分布,由衬底至表面呈n型导电。外延层中（表面除外）的载流子浓度分布是与C的深度分布相关的,表面部分的载流子浓度分布则与背景非故意掺杂相关。

关键词：化学气相淀积 4H-Si1-yCy合金电化学腐蚀电容电压载流子浓度分布

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X波段大功率GaN HEMT内匹配器件研制

X波段大功率GaN HEMT内匹配器件研制

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：冯震李静强张志国王勇宋建博冯志红蔡树军杨克武专用集成电路国家重点实验室石家庄 050051 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄 050051 专用集成电路国家重点实验室石家庄 050051 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄 050051 西安电子科技大学微电子学院西安 710071

自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4A鼍级减小到了10-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性。采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电压Vds=33V时,器件连续波输出功率18.2w,功率增益为7.6dB,峰值... 详细信息

自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4A鼍级减小到了10-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性。采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电压Vds=33V时,器件连续波输出功率18.2w,功率增益为7.6dB,峰值功率附加效率为43.0％.2.5mm×4 GaN HEMT内匹配器件,测试频率8GHz,连续波输出功率64.5W,功率增益7.2dB,功率附加效率39％。

关键词： GaN HEMT 内匹配器件输出功率功率增益栅源泄漏电流栅漏击穿电压

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MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究

MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李弋谢自力刘斌傅德颐张荣郑有炓江苏省光电功能材料重点实验室南京大学物理系江苏南京 210093

本文使用MOCVD直接外延r面宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[0001]方向和[1100]方向横向关联长度分别为41.9nm和14.8nm,解释了而内各向异性的一个原因,在这两个方向N... 详细信息

本文使用MOCVD直接外延r面宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[0001]方向和[1100]方向横向关联长度分别为41.9nm和14.8nm,解释了而内各向异性的一个原因,在这两个方向N原子的悬挂键数目的差异导致了Ga原子这两个方向上的扩散长度不同是面内各向异性的另一个重要原因。AFM结果显示a面GaN薄膜表面较平整,表面粗糙度均方根仪为3.9nm,表面沿[0001]方向起伏的条纹再次验证了a面GaN的面内各向异性。

关键词：薄膜晶体晶体结构氮化镓薄膜各向异性倒易空间法金属有机物化学气相淀积

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湿法化学腐蚀研究GaN薄膜中的位错

湿法化学腐蚀研究GaN薄膜中的位错

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：赵红韩平梅琴刘斌陆海谢自力张荣郑有炓南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室

采用湿法化学腐蚀结合扫描电子显微镜、阴极荧光谱仪手段对GaN（0001）/AlO中的位错进行了研究。实验以熔融的浓度比为1:1的KOH-NaOH溶液加入质量分数为10%的MgO,对样品进行腐蚀处理,得出优化腐蚀温度400℃、腐蚀时间2.5 min。通过对Ga... 详细信息

采用湿法化学腐蚀结合扫描电子显微镜、阴极荧光谱仪手段对GaN（0001）/AlO中的位错进行了研究。实验以熔融的浓度比为1:1的KOH-NaOH溶液加入质量分数为10%的MgO,对样品进行腐蚀处理,得出优化腐蚀温度400℃、腐蚀时间2.5 min。通过对GaN样品表面及剖面的扫描电子显微镜（SEM）图像和阴极荧光CL谱线图、影像图的分析,获得了GaN薄膜中存在的螺位错、刃位错和混合位错的分布特性及密度,并发现薄膜中的位错自衬底沿生长方向延伸,且随薄膜厚度的增加而密度减少。实验还研究了腐蚀前后GaN光学性质的改变,发现造成影像图中位错被明亮的六角坑包围的原因是应力自衬底沿生长方向逐步释放影像,致使逐层腐蚀后薄膜的CL谱带边发光峰红移,且发光强度增强。

关键词：氮化镓位错扫描电子显微镜阴极荧光谱

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P型In0.18Ga0.80N的Ni/Au欧姆接触研究

P型In0.18Ga0.80N的Ni/Au欧姆接触研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张小宾李晋闽王占国侯洵王晓亮肖红领杨翠柏冉军学王翠梅胡国新李建平刘宏新中国科学院半导体研究所材料中心北京 100083 中国科学院半导体材料科学重点实验室中国科学院半导体所北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083

使用金属氧化物化学气相沉积技术生长镁重掺杂的InGaN合金从而得到p型InGaN,然后采用XRD技术对InGaN合金的铟组分进行测定,测得铟组分为0.18。用电子束蒸发的方法在p型In0.18Ga0.82N上制作Ni(20nm)/Au(120nm)电极,并在空气气氛下采用不... 详细信息

使用金属氧化物化学气相沉积技术生长镁重掺杂的InGaN合金从而得到p型InGaN,然后采用XRD技术对InGaN合金的铟组分进行测定,测得铟组分为0.18。用电子束蒸发的方法在p型In0.18Ga0.82N上制作Ni(20nm)/Au(120nm)电极,并在空气气氛下采用不同的温度进行退火。用传输线方法研究不同温度下的比接触电阻率,发现在500℃退火30s时得到了比接触电阻率的最优值5.8×102Ω·cm2,研究此时p型In0.18Ga0.82N的电学特性,发现材料空穴浓度高达4×1018cm3。

关键词：欧姆接触金属氧化物化学气相沉积镁重掺杂铟组分材料空穴浓度

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