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948 篇 会议
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- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

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基于光子晶格结构的InGaN/GaN系发光器件

基于光子晶格结构的InGaN/GaN系发光器件

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：章蓓康香宁代涛包魁北京大学物理学院和人工微结构与介观物理国家重点实验室北京 100871

本文综合报道我们近年来将光子晶格结构运用于InGaN/GaN量子阱发光器件即激光器和发光二极管的研究成果。我们发展了几种独特的在GaN系材料系发光器件上制备光子晶格结构的技术;运用电注入器件的显微电致发光以及扫描近场光学,探索了这... 详细信息

本文综合报道我们近年来将光子晶格结构运用于InGaN/GaN量子阱发光器件即激光器和发光二极管的研究成果。我们发展了几种独特的在GaN系材料系发光器件上制备光子晶格结构的技术;运用电注入器件的显微电致发光以及扫描近场光学,探索了这些光子晶格结构对发光器件的效应。我们利用聚焦离子束刻蚀技术成功地实现了以GaN准一维光子晶体为腔镜面的InGaN/GaN脊型和条形激光二极管;同时,针对发光二极管出光光强低下的普遍难题,分别采用了包括微纳结构压印、图形化激光剥离以及大面积多孔阳极氧化铝纳米图形转移等技术,研制成功基于光子晶格结构的InGaN/GaN量了阱发光二极管,使出光强度得到了不同程度的改进。

关键词：氮化镓光子晶格发光二极管激光二极管量子阱电致发光微纳结构

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一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED

一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：卫静婷张佰君刘扬范冰丰招瑜罗睿宏冼钰伦王钢中山大学光电材料与技术国家重点实验室

为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层蒸镀金属,将n-GaN层和Si衬底层直接导通... 详细信息

为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层蒸镀金属,将n-GaN层和Si衬底层直接导通,形成第一n电极,在减薄的Si衬底背面蒸镀背电极用于形成第二n电极。并且通过改变探针的测试位置,在同一芯片上进行了V-LED与横向导电的LED结构(L-LED)的比较,V-LED展现出了良好的性能,其串联电阻相对降低了10%,在大电流注入的情况下,相对光输出强度也有了提高。

关键词：硅衬底通孔垂直结构LED 电流扩展绿光LED N电极

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氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算

氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘战辉修向前张荣谢自力颜怀跃施毅顾书林韩平郑有炓江苏省光电信息功能材料重点实验室南京大学物理系南京 210093 南京信息工程大学数理学院南京 210044 江苏省光电信息功能材料重点实验室南京大学物理系南京 210093

采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延(HVPE)法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。首先,利用选择性化学腐蚀方法研究了GaN膜中的晶体缺陷,研究区分了位错的不同类型,发现存HVPE GaN贯通位错占主导地位。由腐蚀... 详细信息

采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延(HVPE)法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。首先,利用选择性化学腐蚀方法研究了GaN膜中的晶体缺陷,研究区分了位错的不同类型,发现存HVPE GaN贯通位错占主导地位。由腐蚀后形成的腐蚀坑数量可以直接来确定膜中的位错位错密度。此外,研究了用特定的x射线衍射峰半峰宽数据计算得到位错密度的方法。结果表明,氢化物气相外延生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度在109cm-2到1010-cm-2之间,而且两种方法所得到的结果相符合。

关键词：位错密度氮化镓厚膜氢化物气相外延法 z射线衍射晶体缺陷

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a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究

a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：崔影超谢自力赵红李弋刘斌宋黎红张荣郑有炓南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室

对MOCVD生长的r-AlO上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电子束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示,非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,其中I∝I,I∝I,这主要是... 详细信息

对MOCVD生长的r-AlO上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电子束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示,非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,其中I∝I,I∝I,这主要是由于饱和效应引起的,与以往c面GaN报道对比,表明带边相对于黄光受到了一定抑制;改变加速电压可以看出,黄带部分随加速电压的变化关系相对于带边要复杂很多,这主要是由黄带本身形成原因的复杂多样性与自吸收、自由载流子和应力的综合作用引起的。

关键词： a面GaN 阴极荧光激发强度

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W波段InP DHBT功率放大器的设计与仿真

W波段InP DHBT功率放大器的设计与仿真

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：陈高鹏葛霁程伟王显泰苏永波金智刘新宇中国科学院微电子研究所

介绍了基于中国科学院微电子研究所研制的InP DHB器件的W波段功率放大器MMIC的设计和仿真。对流片制作完成的4指InGaAs/InP DHB器件进行在片测试及参数提取,建立了器件的大信号模型。设计的W波段功率放大器中心频率为94 GHz,采用共发射... 详细信息

介绍了基于中国科学院微电子研究所研制的InP DHB器件的W波段功率放大器MMIC的设计和仿真。对流片制作完成的4指InGaAs/InP DHB器件进行在片测试及参数提取,建立了器件的大信号模型。设计的W波段功率放大器中心频率为94 GHz,采用共发射极和共基极的Cascode结构,并且工作在Class A状态,以获得较大的功率增益和线性度。输入和输出匹配网络设计为共轭匹配,并且针对功率放大器的热稳定性和电稳定性进行优化设计。传输线结构采用在InP衬底上的CPW结构,原理图及电磁场仿真结果显示,功率放大器在94 GHz工作频率下增益为6.1 dB,3 dB带宽为DC～103 GHz,饱和输出功率大于16 dBm,同时输入输出回波损耗小于-20 dB,隔离度大于30 dB。目前电路正在流片制作当中。

关键词： W波段磷化铟双异质结双极型晶体管功率放大器单片微波集成电路

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垂直式HVPE生长GaN材料的数值模拟

垂直式HVPE生长GaN材料的数值模拟

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：赵勇明陈贵锋陈雷英马晓薇白云娜李养贤河北工业大学材料学院信息功能材料研究所

建立了HVPE的GaN流体动力学模型。基于CFD理论在三维空间内模拟了垂直式HVPE反应室生长GaN材料的流场、生成物的分布及沉积速率等重要物理参数。通过变化衬底距离出气口的距离、NH出气口尺寸、衬底旋转等模型,分别进行数值模拟,模拟结... 详细信息

建立了HVPE的GaN流体动力学模型。基于CFD理论在三维空间内模拟了垂直式HVPE反应室生长GaN材料的流场、生成物的分布及沉积速率等重要物理参数。通过变化衬底距离出气口的距离、NH出气口尺寸、衬底旋转等模型,分别进行数值模拟,模拟结果显示,衬底距离出气口的距离及NH出气口尺寸是影响GaCl与NH在衬底上的均匀分布和沉寂速率均匀性的重要因素。衬底不同转速则对本反应室中的GaCl与NH在衬底上的均匀分布、沉寂速率的均匀性影响不大。通过数值模拟发现反应室存在的缺陷,并利用模拟结果对反应室进行了优化。

关键词：氮化镓氢化物气相外延计算流体力学理论

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MOCVD ZnO缓冲层生长与退火研究

MOCVD ZnO缓冲层生长与退火研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：朱光耀顾书林朱顺明南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室

采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量及表面形貌的影响。结果表明,低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙度,从三维岛状... 详细信息

采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量及表面形貌的影响。结果表明,低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙度,从三维岛状生长模式转变为准二维层状生长模式。研究发现,高温退火时氧气气氛下900℃是较合适的退火温度,可以最大限度地激活原子使之移动到合适的晶格位置,有利于晶体择优取向生长,而更高的温度将导致ZnO的分解,从而大大降低晶体质量。

关键词：氧化锌金属有机物化学气相淀积缓冲层表面形貌晶体质量

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MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化

MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：殷海波王晓亮冉军学胡国新肖红领王翠梅杨翠柏李晋闽侯洵中国科学院半导体研究所材料科学中心北京 100083 中国科学院半导体照明研发中心北京 100083 中科学院半导体研究所材料科学中心北京 100083 中国科学院半导体照明研发中心北京 100083 中国科学院半导体研究所西安交通大学信息功能材料与器什联合实验室北京 100083

对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现基座上... 详细信息

对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现基座上方没有涡旋的平直流场及较大的温度梯度有利于提高沉积速率及其均匀性,通过旋转基座可以实现上述结果:腔体内壁的圆弧化、小口径的顶盘入气孔等反应室结构优化方式有助于材料生长的均匀性。

关键词： GaN薄膜化学气相沉积法薄膜沉积速率数值模拟流场几何结构喷淋式反应室

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化学配比对InP和InAs单晶完整性及衬底表面制备的影响

化学配比对InP和InAs单晶完整性及衬底表面制备的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵有文孙文荣段满龙董志远胡炜杰杨俊张金利王应利刘刚中国科学院半导体研究所北京市912信箱北京 100083

通过对熔体化学配比、热场和生长条件进行优化控制,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,利用液封直拉法获得了多种电学掺杂的高质量InP和InAs单晶材料。InP单晶的直径为2-4英寸、InAs单晶直径为2-3英寸。其中In... 详细信息

通过对熔体化学配比、热场和生长条件进行优化控制,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,利用液封直拉法获得了多种电学掺杂的高质量InP和InAs单晶材料。InP单晶的直径为2-4英寸、InAs单晶直径为2-3英寸。其中InP单晶的X-射线衍射摇摆曲线半峰宽为9-20弧秒,InAs单晶的衍射半峰宽为12-18弧秒,表明这些晶体具有相当好的完整性。比较了明显富磷和富砷条件下分别生长的InP和InAs晶体的完整性和性能。结果表明保持稍富铟有利于生长高质量的InP和InAs单晶,其物理化学性质稳定,便于控制抛光清洗条件,获得高质量的抛光表面。

关键词：化学配比液封直拉法电学掺杂单晶材料抛光表面磷化铟

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碳化硅功率器件的研究和展望(邀请报告)

碳化硅功率器件的研究和展望(邀请报告)

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张玉明西安电子科技大学微电子学院西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术重点实验室西安 710071

本文分析了碳化硅功率器件的研究现状与发展趋势,给出了西安电子科技大学在SiC功率整流二极管、SiC功率晶体管以及关键工艺中取得的最新研究成果。研制出了具有较好整流特性的SiC肖特基势垒二极管,并对SiC肖特基二极管的输运机理和高温... 详细信息

本文分析了碳化硅功率器件的研究现状与发展趋势,给出了西安电子科技大学在SiC功率整流二极管、SiC功率晶体管以及关键工艺中取得的最新研究成果。研制出了具有较好整流特性的SiC肖特基势垒二极管,并对SiC肖特基二极管的输运机理和高温特性进行了研究。研制成功了国内第一个SiC MPs二极管,耐压高达600V,正向电压为3.5V时电流密度可达1000A/cm2.研制出国内第一个SiC MOSFET和第一个SiC BCMOSFET。所制备的SiC BCMOSFET得到的最高有效迁移率为90 cm2/Vs。分析了界面态电荷和界面粗糙对SiC MOSFET反型层迁移率的影响,其结果对提高SiC MOSFET器件特性有一定指导作用。

关键词：碳化硅功率器件肖特基势垒二极管功率整流二极管晶体管

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