检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

馆藏范围

964 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议"

共 964 条记录，以下是431-440 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

N掺杂ZnO中的缺陷与光致发光

N掺杂ZnO中的缺陷与光致发光

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：陈慧顾书林朱顺明南京大学物理系微结构国家重点实验室

采用金属有机物化学汽相沉淀法（MOCVD）在蓝宝石衬底（0002）上生长了高质量的ZnO掺氮薄膜,继后在氧气氛中对薄膜进行1 000℃快速热退火,重点对退火后样品的发光特性进行变温光致发光谱的研究。低温下,在3.377、3.362、3.332 eV附近有... 详细信息

采用金属有机物化学汽相沉淀法（MOCVD）在蓝宝石衬底（0002）上生长了高质量的ZnO掺氮薄膜,继后在氧气氛中对薄膜进行1 000℃快速热退火,重点对退火后样品的发光特性进行变温光致发光谱的研究。低温下,在3.377、3.362、3.332 eV附近有三个明显的近紫外发光峰,分别对应自由激子发射（FX）、施主束缚激子（DX）和其双电子伴线（TES）,随着温度升高,施主热解离,导致DX峰强下降,而FX增强,同时DAP峰也向e-A峰转变。深能级可见光区有台阶状精细结构,被指认为从浅施主及其激发态到锌空位的跃迁及其多级声子峰,并且观察到明显的负热淬灭效应,讨论了其产生原因。

关键词： N掺杂ZnO 变温光致发光谱激子负热淬灭效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

退火对Co掺杂ZnO薄膜电磁性能的影响

退火对Co掺杂ZnO薄膜电磁性能的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：陈吉星朱德亮李清华马晓翠贾芳曹培江吕有明深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室

采用磁控溅射技术,制备了Co掺杂ZnO薄膜,然后将样品分别在O和N气氛下以不同的温度进行退火处理;用X射线衍射图分析薄膜的结构,采用四探针法测量薄膜的方块电阻,利用振动样品磁强计测量薄膜的磁性能。结果表明,样品在退火温度较低（<... 详细信息

采用磁控溅射技术,制备了Co掺杂ZnO薄膜,然后将样品分别在O和N气氛下以不同的温度进行退火处理;用X射线衍射图分析薄膜的结构,采用四探针法测量薄膜的方块电阻,利用振动样品磁强计测量薄膜的磁性能。结果表明,样品在退火温度较低（<300℃）时,电阻稍有下降;当温度升高到400℃时,电阻大幅度上升,而且O气氛下退火比N下升高幅度大得多。同一温度下,样品在O气氛下退火的最大磁化强度比在N气氛下退火的要低;同一退火气氛下,样品的最大磁化强度随退火温度的升高而降低,这是由于不同气氛和温度下退火时,薄膜中氧空位浓度发生变化,从而导致其电磁性能的差异。

关键词：磁控溅射 Co掺杂ZnO 退火铁磁性电磁性能

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

氧气压力对PLD ZnO薄膜形貌及光学性质影响

氧气压力对PLD ZnO薄膜形貌及光学性质影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：曹培江曾玉祥贾芳朱德亮马晓翠吕有明深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室

使用脉冲激光沉积（PLD）方法在石英（SiO）和单晶Si（111）基底上制备了具有c轴择优取向的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、表面轮廓仪、扫描电子显微镜（SEM）、荧光光谱（PL）、紫外可见分光光度计,对合成样品进行了结构、成分以... 详细信息

使用脉冲激光沉积（PLD）方法在石英（SiO）和单晶Si（111）基底上制备了具有c轴择优取向的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、表面轮廓仪、扫描电子显微镜（SEM）、荧光光谱（PL）、紫外可见分光光度计,对合成样品进行了结构、成分以及光学性能的分析。结果显示,在1～10 Pa的氧气压力条件下制备的所有ZnO薄膜均有着较高的光学透过率（>75%）,氧气压力临界值为2 Pa。氧气压力2 Pa时合成的ZnO薄膜有着较平整的表面及较高的沉积速率（250 nm/h）,（002）峰的半高宽为0.20°,此时薄膜中氧空位含量较少,薄膜显示出良好的PL特性。

关键词：氧气压力脉冲激光沉积氧化锌 PL谱

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究

离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：王娜王丽华孙卫忠郝秋艳刘彩池河北工业大学信息功能材料研究所

用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5 s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型... 详细信息

用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5 s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。同时研究了离子注入前后样品电参数的径向分布规律。发现注入前后样品的电阻率均成U型分布,迁移率均成W型分布,而载流子浓度均成M型分布。离子注入及退火工艺并没有改变大直径GaAs电参数的径向分布规律,但注入后的高温热处理提高了晶体的电学均匀性。

关键词：半绝缘砷化镓离子注入电特性快速热退火

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

氮掺杂Zn0中的缺陷与光致发光研究

氮掺杂Zn0中的缺陷与光致发光研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈慧顾书林朱顺明南京大学物理系微结构国家重点实验室南京 210093

本文采用金属有机物化学汽相沉淀法(MOCVD)在蓝宝石衬底(0002)上生长了高质量的ZnO掺氮薄膜,继后在氧气氛中对薄膜进行1000℃快速热退火,重点对退火后样品的发光特性进行变温光致发光谱的研究。低温下,在3.377eV、3.362eV和3.332eV附近... 详细信息

本文采用金属有机物化学汽相沉淀法(MOCVD)在蓝宝石衬底(0002)上生长了高质量的ZnO掺氮薄膜,继后在氧气氛中对薄膜进行1000℃快速热退火,重点对退火后样品的发光特性进行变温光致发光谱的研究。低温下,在3.377eV、3.362eV和3.332eV附近有3个明显的近紫外发光峰,分别对应自由激子发射(FXA)、施主束缚激子(D0X)和其双电子伴线(TES)。随着温度升高,施主热解离,导致D0X峰强下降,而FXA增强,同时DAP峰eA0。峰转变;深能级可见光区有台阶状精细结构,被指认为从浅施主及其激发态到锌空位的跃迁及其多级声子峰,并且观察到明显的“负热淬灭”效应,讨论了其产生原因。

关键词：变温光致发光谱负热淬灭金属有机物化学汽相沉淀法掺氮薄膜氧化锌

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

脊形条宽对GaN激光器特性的影晌

脊形条宽对GaN激光器特性的影晌

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张立群张书明江德生朱建军赵德刚杨辉中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215123

生长并制作了GaN基多量子阱激光器,研究了脊形条宽多激光器动态特性的影响。以c面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD)系统上生长激光器外延片。制作了条宽分别为8μm、4μm、2.5μm的脊形波导激光器。通过对不同脊形条宽激... 详细信息

生长并制作了GaN基多量子阱激光器,研究了脊形条宽多激光器动态特性的影响。以c面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD)系统上生长激光器外延片。制作了条宽分别为8μm、4μm、2.5μm的脊形波导激光器。通过对不同脊形条宽激光器脉冲激射波形的测量来比较他们的温度特性。通过热学模拟计算发现,在相同电流密度下脊形条宽越小有源区温度越低。其中条宽4μm的激光器实现了低温243K的连续激射。条宽2.5μm的激光器实现了室温连续激射。

关键词： GaN激光器多量子阱激光器有源区温度直流激射脊形条宽蓝宝石衬底金属有机物化学气相外延

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较

过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：姜丽娟王晓亮王翠梅肖红领冉军学李晋闽王占国侯洵中国科学院半导体研究所材料中心中国科学院半导体研究所材料开放重点实验室中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室

实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS、SQUID对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分析。结果表明,稀土族元素Gd、Sm掺杂... 详细信息

实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS、SQUID对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分析。结果表明,稀土族元素Gd、Sm掺杂的GaN样品在掺杂浓度远低于过渡族Mn、Cr掺杂样品的情况下,仍能得到相同量级的饱和磁化强度,计算得到的Gd、Sm离子有效磁矩近似甚至大于其原子本征磁矩,而Mn、Cr的离子有效磁矩远小于其原子本征磁矩,说明在过渡族和稀土族元素掺杂的GaN基稀磁半导体中,有着两种完全不同的磁耦合机制。

关键词：稀磁半导体氮化镓稀土族元素离子注入快速退火

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算

氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：刘战辉修向前张荣谢自力颜怀跃施毅顾书林韩平郑有炓南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京信息工程大学数理学院

采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延（HVPE）法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。首先,利用选择性化学腐蚀方法研究了GaN膜中的晶体缺陷,研究区分了位错的不同类型,发现在HVPE GaN贯通位错占主导地位。由腐... 详细信息

采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延（HVPE）法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。首先,利用选择性化学腐蚀方法研究了GaN膜中的晶体缺陷,研究区分了位错的不同类型,发现在HVPE GaN贯通位错占主导地位。由腐蚀后形成的腐蚀坑数量可以直接来确定膜中的位错密度。此外,研究了用特定的X射线衍射峰半峰宽数据计算得到位错密度的方法。结果表明,HVPE生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度为10～9～10cm,而且两种方法所得到的结果相符合。

关键词：位错氮化镓氢化物气相外延 X射线衍射

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Si掺杂对于n型Al0.5Ga0.5N的影响

Si掺杂对于n型Al0.5Ga0.5N的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李亮李忠辉董逊周建军孔月婵姜文海陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 210016

AIN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V&a... 详细信息

AIN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V·s载流子浓度随Si掺杂量的增加而增大。利用XRD和Raman等测量方法研究了Zi掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜晶格常数c和Raman散射谱随SiH4流量的变化。随着SiH4流量的增大,Al0.5Ga0.5N薄膜的晶格常数c变小同时E2声子峰发生红移。这表明掺Si后Al0.5Ga0.5N薄膜中的压应力得到了一定程度的弛豫。

关键词：氮化镓外延薄膜硅掺杂 MOCVD法蓝宝石衬底载流子浓度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

SiC衬底氮化镓基HEMT结构材料与器件

SiC衬底氮化镓基HEMT结构材料与器件

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王晓亮陈堂胜唐健肖红领王翠梅李晋闽王占国侯洵中国科学院半导体研究所材料科学中心北京 100083 中国科学院半导体材料科学重点实验室中国科学院半导体研究所北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室南京电子器件研究所南京 210016 中国科学院半导体研究所材料科学中心北京 100083 中国科学院半导体材料科学重点实验室中国科学院半导体研究所北京 100083 中国科学院半导体材料科学重点实验室中国科学院半导体研究所北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083

使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在2英寸半绝缘6H碳化硅衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。2英寸HEMT外延片平均方块电阻为305.3Ω/square,不均匀性为3.85％。使用此材料研制的单管2毫米栅宽HEMT,其饱和漏极... 详细信息

使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在2英寸半绝缘6H碳化硅衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。2英寸HEMT外延片平均方块电阻为305.3Ω/square,不均匀性为3.85％。使用此材料研制的单管2毫米栅宽HEMT,其饱和漏极电流为1.36A/mm。跨导为460 mS/mm。利用内匹配技术对2个2mm栅宽器件进行了合成,输入信号频率8GHz,脉冲下输出功率为34.1W,功率增益为6.1dB,功率附加效率为37.3％。

关键词：氮化镓功率器件金属有机物化学气相外延子迁移率晶体管漏极电流

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共97页 << < 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：