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多模式生长对蓝宝石衬底上AlN薄膜的影响
多模式生长对蓝宝石衬底上AlN薄膜的影响
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 张森 尹甲运 刘波 冯志宏 冯震 蔡树军 专用集成电路国家级重点实验室 石家庄 050051 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院哈尔滨 150001 专用集成电路国家级重点实验室 石家庄 050051
我们采用多模式的MOCVD生长方法在蓝宝石衬底上成功的制备了高质量的AlN薄膜。在材料外延过程中,采用了渐变模式、正常模式和脉冲模式相结合的生长方法。通过XRD和AFM手段,研究了多模式生长过程中初始TMA流量变化对AlN薄膜的影响。我们... 详细信息
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BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究
BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究
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第十五届全国化合物半导体材料,微波器件光电器件学术会议
作者: 孔月婵 薛舫时 周建军 李亮 陈辰 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室
采用自洽计算方法对BS/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变化... 详细信息
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Ku波段脉冲功率放大器稳定性和效率研究
Ku波段脉冲功率放大器稳定性和效率研究
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 陈高鹏 吴旦昱 陈晓娟 刘新宇 李滨 中国科学院微电子研究所 北京 100029
本文报道了采用平面微带线结构及内匹配GaAs金属半导体场效应晶体管的Ku波段大功率脉冲功率放大器模块。研究了在Ku波段脉冲功率放大器研制中的稳定性问题,设计了双层腔体结构对低频电路和高频电路进行隔离;并在偏置网络中加入稳定性网... 详细信息
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p型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质
p型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 汤琨 顾书林 朱顺明 南京微结构国家实验室 南京大学物理系南京 210093
本文报道了通过采用O2与N2O按照一定的流量比作为反应气源,利用MOCVD方法实现了较低电阻率的N掺杂ZnO薄膜。本文的实验分别研究了改变O2与N2O流量比和改变衬底温度对于薄膜电学性质的影响,并利用Raman光谱与Hall测试结果的比较分析了MO... 详细信息
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MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化
MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化
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第十五届全国化合物半导体材料,微波器件光电器件学术会议
作者: 殷海波 王晓亮 冉军学 胡国新 肖红领 王翠梅 杨翠柏 李晋闽 侯洵 中国科学院半导体研究所材料科学中心 中国科学院半导体照明研发中心 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室
对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现基座上... 详细信息
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Future Applications of GaN Electron Devices
Future Applications of GaN Electron Devices
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第十五届全国化合物半导体材料,微波器件光电器件学术会议
作者: Ohno Yasuo Institute of Technology and Science the University of Tokushima
0 Introduction Fifteen years have passed since the first A1 GaN/GaN HFET was reported in *** FETs have already commercialized as microwave power devices,but volume production has not yet *** main application field is ... 详细信息
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Ku波段脉冲功率放大器稳定性和效率研究
Ku波段脉冲功率放大器稳定性和效率研究
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第十五届全国化合物半导体材料,微波器件光电器件学术会议
作者: 陈高鹏 吴旦昱 陈晓娟 刘新宇 李滨 中国科学院微电子研究所
采用平面微带线结构及内匹配GaAs金属半导体场效应晶体管的Ku波段大功率脉冲功率放大器模块,研究了在Ku波段脉冲功率放大器研制中的稳定性问题,设计了双层腔体结构对低频电路和高频电路进行隔离,并在偏置网络中加入稳定性网络,消除了低... 详细信息
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AlN/Si(111)衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究
AlN/Si(111)衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究
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第十五届全国化合物半导体材料,微波器件光电器件学术会议
作者: 吴军 王荣华 韩平 梅琴 刘斌 谢自力 修向前 张荣 郑有炓 南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室
利用CVD的方法在AlN/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、喇曼散射(Raman scattering)对所得样品的结构特征、表面形貌等进行了表征测量。XRD测量结果显示得到... 详细信息
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W波段InP DHBT功率放大器的设计与仿真
W波段InP DHBT功率放大器的设计与仿真
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 陈高鹏 葛霁 程伟 王显泰 苏永波 金智 刘新宇 中国科学院微电子研究所 北京 100029
本文介绍了基于中国科学院微电子研究所研制的InP DHBT器件的W波段功率放大器MMIC的设计和仿真。对流片制作完成的四指InGaAs/InP DHBT器件进行在片测试及参数提取,建立了器件的大信号模型。设计的W波段功率放大器中心频率为94GHz,采用... 详细信息
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采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED
采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED
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第十五届全国化合物半导体材料,微波器件光电器件学术会议
作者: 齐胜利 陈志忠 潘尧波 郝茂盛 邓俊静 田朋飞 张国义 颜建锋 朱广敏 陈诚 李士涛 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室 上海蓝光科技有限公司
大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/GaN多量子阱(MQW)有源区之间插入p型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB... 详细信息
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