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- 1 篇 教育学
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30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
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17 篇 中国科学院半导体...
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14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
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作者

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53 篇 王晓亮
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33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
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27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
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24 篇 张荣
24 篇 郝跃
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21 篇 陈辰
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21 篇 李建平
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2 篇 英文

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AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaN HEMT结构材料生长及性能表征

AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaN HEMT结构材料生长及性能表征

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：肖红领王占国侯洵王晓亮张明兰马志勇王翠梅杨翠柏唐健冉军学李晋闽中国科学院半导体研究所材料科学中心北京 100083 中国科学院半导体研究所材料开放重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083

本文设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaNHEMT结构材料,用以提高沟道对二维电子气的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一AlNb插入层的生长时间对材料表而形貌和电学性能的影响,得... 详细信息

本文设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaNHEMT结构材料,用以提高沟道对二维电子气的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一AlNb插入层的生长时间对材料表而形貌和电学性能的影响,得到了最佳的AlNb生长时间介于：15s～20s之间。对AlNb生长时间为15s的样品进行了变温Hall测试,其二维电子气迁移率在80K时达8849cm2/Vs,室温下为1967cm2/Vs,面密度始终保持在1.02×1013 cm-2左右,几乎不随温度改变。用非接触式方块电阻测试系统测得该样品的方块电阻值为278.3Ω/□,不均匀性为1.95％,说明双AlN插入层的引入对提高HEMT结构材料的电学性能作用明显。

关键词：异质结构插入层电学性能迁移率晶体管

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GaN基多层膜结构椭偏光谱研究

GaN基多层膜结构椭偏光谱研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵金霞杜江锋于奇于志伟夏建新杨谟华电子科技大学薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054

对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。GaN样品采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得。应用多层介质膜模型,在300-800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和光学常数谱,并与GaN单层结构折射... 详细信息

对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。GaN样品采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得。应用多层介质膜模型,在300-800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和光学常数谱,并与GaN单层结构折射率色散关系相比较,分析了多层膜之间对自身折射率的影响。研究结果表明:InN和Ga2O3折射率数值与先前研究结果相一致;其表面均存在一个粗糙层,采用有效介质近似模型(EMA)可使拟合结果更为准确;相对于GaN单层膜结构,InN薄膜使其下面的GaN层折射率增大约0.2,这应与GaN/InN界面压应力和态密度等有关;而在300-400nm测试范围内,Ga2O3折射率出现反常色散现象,则可能与GaN层在360nm左右存在的一个的强吸收(Eg≈3.4eV)有关。

关键词： GaN基多层膜结构椭圆偏振光谱 MOCVD工艺 InN薄膜

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高功率InGaN蓝紫光激光器列阵

高功率InGaN蓝紫光激光器列阵

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：季莲张立群马志芳张书明刘宗顺江德生朱建军赵德刚杨辉中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215123

蓝宝石衬底上生长的InGaN多量子阱激光器列阵研制成功。该激光器列阵有4个脊形发光区。用IBE刻蚀的方法形成,每个脊形的宽度为8μm。激光器的腔长为800μm,沿蓝宝石的(1-100)方向解理形成腔面。激光器的阈值电流和阈值电压分别为1.2A和1... 详细信息

蓝宝石衬底上生长的InGaN多量子阱激光器列阵研制成功。该激光器列阵有4个脊形发光区。用IBE刻蚀的方法形成,每个脊形的宽度为8μm。激光器的腔长为800μm,沿蓝宝石的(1-100)方向解理形成腔面。激光器的阈值电流和阈值电压分别为1.2A和10.5V,阈值电流密度为3.75KA/cm2。激光器的激射波长为405nm。室温脉冲电流下最大输出功率可达到2.6W。分析了n型串联电阻和载流子的侧向扩展对脊形区载流子不均匀分布的影响。模拟结果表明串联电阻起着关键作用,将脊形条分布在P区两侧靠近n电极处,可使四个脊形同时激射。

关键词：激光器列阵串联电阻量子阱阈值电流阈值电压输出功率

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铁电/氮化镓异质结构二维电子气特性研究

铁电/氮化镓异质结构二维电子气特性研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张继华杨传仁吴松刘颖陈宏伟张万里李言荣电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054

随着近年来铁电薄膜技术的发展,不仅使铁电薄膜在半导体衬底上集成--集成铁电器件成为现实,更令人期待的是,由于铁电材料的多功能性,将有可能使铁电材料的特性与半导体特性发生耦合,从而提高半导体性能甚至诱导出新效应。本文系统研究了... 详细信息

随着近年来铁电薄膜技术的发展,不仅使铁电薄膜在半导体衬底上集成--集成铁电器件成为现实,更令人期待的是,由于铁电材料的多功能性,将有可能使铁电材料的特性与半导体特性发生耦合,从而提高半导体性能甚至诱导出新效应。本文系统研究了BTD(111)/GaN(0001)异质结构中BTD在应变下的电子有效质量的变化以及异质结构能带带阶,在此基础上通过电荷控制模型,研究了BTO/GaN、BTO/AlGaN/GaN、AlGaN/GaN/BTO三种典型铁电/氮化镓异质结构中铁电材料对半导体性能的影响。结果表明：采用第一性原理方法,可以获得较为可信的FE/GaN异质结构一些基本物理参数。特别是各种异质结构能带带阶和不同应变下的有效质量。BTO电子有效质量mn*存GaN作用的双轴应变下减小42％;BTO上的应变GaN电子有效质量减小10％。对BTO/GaN异质结构,价带带阶ΔEv为0.52eV, 导带带阶ΔEc为0.22eV。BTO/GaN结构较AlGaN/GaN更易形成增强型器件,大的铁电极化可诱导产生极高浓度的2DCG。BTO/AlGaN/GaN结构中,正的铁电极化使GaN沟道2DEG浓度提高：AlGaN/GaN/BTO双异质结构可在GaN内形成双沟道,提高载流子浓度。增强电流传输能力;铁电体上的应变氮化镓--SSOF,还可进一步提高载流子迁移率,有利于制作高速、高功率器件。

关键词：异质结构二维电子气铁电薄膜铁电材料半导体特性第一性原理氮化镓

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用原子源辅助激光分子束外延氮掺杂p型ZnO薄膜的制备与表征

用原子源辅助激光分子束外延氮掺杂p型ZnO薄膜的制备与表征

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王东张景文彭昀鹏种景侯洵西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室西安 710049 西安交通大学-中国科学院半导体研究所信息功能材料与器件联合实验室西安 710049

本文利用原子源辅助激光分子束外延系统(L-MBE)在蓝宝石(0001)衬底上制备带有超晶格缓冲层(Mg0.1Zn0.9O/ZnO)的氮掺杂p型ZnO薄膜。高分辨x射线衍射(HR-XRD)测试表明所制备的ZnO薄膜均为(0002)取向,并且沿c轴方向的残余应力得到抑制。室... 详细信息

本文利用原子源辅助激光分子束外延系统(L-MBE)在蓝宝石(0001)衬底上制备带有超晶格缓冲层(Mg0.1Zn0.9O/ZnO)的氮掺杂p型ZnO薄膜。高分辨x射线衍射(HR-XRD)测试表明所制备的ZnO薄膜均为(0002)取向,并且沿c轴方向的残余应力得到抑制。室温Hall测试结果表明：200℃制备的氮掺杂ZnO呈现出明显的p型导电类型,其迁移率为4.08cm2/Vs,其载流子浓度为1.47×1017cm-3;而300℃制备的ZnO表现出弱p型导电类型,其迁移率为0.75 cm2/Vs,其载流了浓度为4.40×1016cm-3. 其后的x射线光电子能谱(XPS)测试证明氮掺杂ZnO样品分别在位于404eV和396eV处出现两个N1s峰,这两个峰分别与(N2)O和NO有关。在200℃掺杂的ZnO样品的10K低温光致发光光谱分别在3.351eV处呈现NO有关的受主束缚激子峰和位于3.228eV处的施主-受主缺陷对的发光峰。

关键词： p型掺杂原子源辅助超品格缓冲层氧化锌薄膜分子束外延

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采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究

采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：宋黎红韩平施毅郑有炓谢自力张荣刘斌李弋傅德颐张曾崔影超修向前南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室南京 210093

利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机物化学汽相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角,面内扭转角,横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密度... 详细信息

利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机物化学汽相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角,面内扭转角,横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密度。考虑到m面GaN的各向异性。我们将(0001)晶向定义为0度方向。与之垂直的方向为90度方向,分别按0度和90度两个不同方向进行x射线衍射的研究。0度方向和90度方向螺位错密度分别为1.97×1010cm-2,7.193×109cm-2,0度方向螺位错密度较大;0度和90度方向刃位错密度分别为3.23999×1010cm-2,7.35068×1010cm-2,90度方向刃位错密度较大。两个方向位错密度的差异显示了非极性GaN薄膜各向异性的特征。

关键词：氮化镓薄膜 X射线衍射位错特性金属有机物化学汽相沉积微观结构

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AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaN HEMT结构材料生长及性能表征

AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaN HEMT结构材料生长及性能表征

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：肖红领王晓亮张明兰马志勇王翠梅杨翠柏唐健冉军学李晋闽王占国侯洵中国科学院半导体研究所材料科学中心中国科学院半导体研究所材料开放重点实验室中国科学院半导体研究所西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室

设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlN/GaN/AlN/GaN HEM结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一AlN插入层的生长时间对材料表面形貌和电学性能的影响,得到了最佳的AlN... 详细信息

设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlN/GaN/AlN/GaN HEM结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一AlN插入层的生长时间对材料表面形貌和电学性能的影响,得到了最佳的AlN生长时间介于15～20 s。对AlN生长时间为15 s的样品进行了变温Hall测试,其2DEG迁移率在80 K时达8 849 cm/V·s,室温下为1 967cm/V·s,面密度始终保持在1.02×10cm左右,几乎不随温度改变。用非接触式方块电阻测试系统测得该样品的方块电阻值为278.3Ω/□,不均匀性为1.95%,说明双AlN插入层的引入对提高HEMT结构材料的电学性能作用明显。

关键词： HEMT 异质结构氮化铝插入层电学性能二维电子气

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一种倒置顶发射有机电致发光器件的光谱调制

一种倒置顶发射有机电致发光器件的光谱调制

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵春梅谢国华陈平谢文法赵毅刘式墉集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子科学与工程学院长春 130012

顶发射有机电致发光器件应用到有源矩阵显示领域中具有开口率大的特点,另外由于n-沟道硅衬底具有较高的载流子迁移率,并且工艺比较成熟,为了利用这些优点并将其和有机电致发光器件集成在一起,有必要研究倒置结构项发射有机电致发光器件(... 详细信息

顶发射有机电致发光器件应用到有源矩阵显示领域中具有开口率大的特点,另外由于n-沟道硅衬底具有较高的载流子迁移率,并且工艺比较成熟,为了利用这些优点并将其和有机电致发光器件集成在一起,有必要研究倒置结构项发射有机电致发光器件(ITOLED)的特性。我们研究了采用m-MTDATA:MoOx做为掺杂空穴注入层的倒置顶发射有机电致发光器件。掺杂层m-MTDATA:MoOx不仅能够提高载流子的注入效率,降低器件的开启电压,而且在不影响器件工作电压的条件下,通过改变这一掺杂层的厚度,还可以实现对器件电致发光光谱的调制,这对我们以后制备向光或全彩色顶发射有机电致发光器件提供了另一种思路。我们制备的器件采用掺杂了 C545T的Alq3做为发光层。最大功率效率可以达到2.5 lm·w-1,开启电压约为5V,当掺杂注入层的厚度从10nm变化到40 nm时,器件的EL光谱覆盖范围发生了明显的变化。

关键词：倒置顶发射掺杂空穴有机电致发光器件光谱调制电致发光光谱

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采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究

采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：宋黎红谢自力张荣刘斌李弋傅德颐张曾崔影超修向前韩平施毅郑有炓南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室

利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO（100）面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密... 详细信息

利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO（100）面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密度。考虑到m面GaN的各向异性,将〈0001〉晶向定义为0°方向,与之垂直的方向为90°方向,分别按0°和90°两个不同方向进行X射线衍射的研究。0°方向和90°方向螺位错密度分别为1.97×10、7.193×10～9cm,0°方向螺位错密度较大;0°和90°方向刃位错密度分别为3.239 99×10、7.350 68×10cm,90°方向刃位错密度较大,显示了非极性GaN薄膜各向异性的特征。

关键词： GaN 位错 X射线衍射有机化学气相淀积各向异性

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掺Er Si/Al2O3多层薄膜光致发光性质的研究

掺Er Si/Al2O3多层薄膜光致发光性质的研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：石卓琼王军转施毅濮林郑有炓南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室

用脉冲激光沉积（PLD）的方法生长了掺Er Si（2 nm）/AlO（1.5 nm）多层薄膜,后期对其进行不同温度下的快速热退火（RTA）处理。在非Er离子(Er)共振激发476 nm激光激发下,该薄膜得到来自于Er的室温特征光致发光（PL）谱,波峰波长为1.54... 详细信息

用脉冲激光沉积（PLD）的方法生长了掺Er Si（2 nm）/AlO（1.5 nm）多层薄膜,后期对其进行不同温度下的快速热退火（RTA）处理。在非Er离子(Er)共振激发476 nm激光激发下,该薄膜得到来自于Er的室温特征光致发光（PL）谱,波峰波长为1.54μm,说明这种掺Er Si/AlO多层薄膜存在间接激发发光过程,退火得到的纳米Si在其中起到感光剂作用。分析了不同的退火温度对薄膜发光强度的影响,发现退火温度700℃时薄膜发光最强,其强度是同种方法制备的掺Er AlO薄膜的39倍。进一步结合不同退火温度下薄膜的喇曼散射谱分析发现,700℃退火的薄膜中Si虽然仍为非晶,但其中已出现数量较多的纳米Si团簇,它们是Er1.54μm发光的有效感光剂,增强了Er发光。而当温度高于700℃后,薄膜中纳米Si团簇已逐渐结晶,出现纳米Si晶粒,同时这种纳米Si晶粒尺寸随温度升高而变大、数量变少,带来的是作为感光剂的纳米Si数量的减少,导致Er（3+）薄膜发光强度减弱。因此在远低于纳米Si结晶所需的温度(一般需要高于900℃下实现了掺Er Si/AlO多层薄膜中Er1.54μm的最优发光。

关键词：纳米硅能量转移感光剂铒光致发光

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