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高功率AlGaN/GaN微波功率HEMT
高功率AlGaN/GaN微波功率HEMT
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 陈堂胜 王晓亮 焦刚 钟世昌 任春江 陈辰 李拂晓 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 中国科学院半导体研究所 北京100083
报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电压,提高了器件的微波功率特性.研制的1 mm栅宽器件在8GHz、34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率... 详细信息
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AlGaInP/Si的键合研究
AlGaInP/Si的键合研究
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 郭德博 梁萌 范曼宁 刘志强 王良臣 王国宏 中科院半导体所 北京100083
键合技术是大失配异质材料集成的一项新工艺,是近年来集成光电子领域的研究热点之一.本文以金锡(AuSn)合金作为粘合介质,实现了AlGaInP/Si的异质键合.在室温下键合样品的I-V特性表明AuSn合金对载流子通过界面没有不良影响,截面的显微照... 详细信息
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倒装GaN基LED阵列微透镜粗化技术研究
倒装GaN基LED阵列微透镜粗化技术研究
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 刘志强 王良臣 伊晓燕 王立彬 陈宇 郭德博 马龙 中科院半导体研究所 集成技术中心北京100083
通过感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术在蓝宝石表面制备阵列微透镜,实现倒装结构GaN基LED出光面粗化,并研究了阵列微透镜粗化对GaN基LED性能的影响.测试结果表明,相对于普通倒装结构,阵列微透镜表面粗化可以使LED提取效率提高约50％。
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辐照对SiGe HBT增益的影响
辐照对SiGe HBT增益的影响
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 孟祥提 王吉林 黄强 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 清华大学核能与新能源技术研究院 北京100084 清华大学微电子学研究所 北京100084
本文比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益的变化.在Vbe≤0.5 V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的d(β)反而为负,在Vbe≥0.5 V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.本文参照测得的一些电子陷阱讨论了... 详细信息
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一种新型的材料内应力测试方法——偏振透射差分法
一种新型的材料内应力测试方法——偏振透射差分法
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 赵玲慧 陈涌海 中科院半导体研究所 北京100083
本文采用了一种全新的偏振透射差分法-PTD法(Polarization Transmittance Difference)来测量半导体衬底材料的内应力分布.在该方法中,由于使用了偏振调制技术,无需旋转样品或者偏振元件进行多次测量,因此使得测量过程变得简单、迅速,并... 详细信息
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N-SiC欧姆接触的研究进展
N-SiC欧姆接触的研究进展
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 张娟 柴常春 杨银堂 贾户军 西安电子科技大学 微电子学院710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
本文在比较已报道的n型SiC欧姆接触数据的基础上,着重介绍了Ni接触的反应机理及其在包装中存在的问题.此后又介绍了一些其他金属与n-SiC形成的欧姆接触,反映了n型SiC欧姆接触发展现状,多种不同的表面处理、掺杂方式和金属结构被用来制... 详细信息
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电注入InGaAsP/InP等边三角形微腔激光器的制备
电注入InGaAsP/InP等边三角形微腔激光器的制备
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 胡永红 黄永箴 陈沁 杜云 樊中朝 中国科学院半导体研究所 北京100083
采用普通光刻和感应耦合等离子刻蚀(ICP)技术制备了带输出波导InGaAsP/InP等边三角形微腔激光器.在低温连续电注入下测试了其光谱,一边长为25 μ m的器件在100k温度,注入电流为20mA的条件下激射.
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SiC外延工艺中的气体流体模型
SiC外延工艺中的气体流体模型
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 贾仁需 张义门 张玉明 郭辉 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071
本文构建了热壁CVD法生长α-SiC外延的气体流体力学模型,并通过COMSOL模拟软件计算对基座的几何形状进行设计.结果表明基座的几何形状改变,影响衬底表面的气流分布;基座有一定的倾斜角度,可以使其表面气流分布均匀,有利于得到高质量的α... 详细信息
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无铝光栅InGaAlAs-GaAs分布反馈激光器的理论和实验研究
无铝光栅InGaAlAs-GaAs分布反馈激光器的理论和实验研究
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 付生辉 钟源 宋国峰 陈良惠 中科院半导体研究所 北京100083
本文首先从理论上研究了二级无铝光栅的InGaAlAs分布反馈激光器的性能,而后制作了器件并对其电学和光学性能进行测量.器件的阈值电流为54mA,无扭折的最大功率可达30 mW;激射波长约为822 nm,20 mW下的边模抑制比大于30 dB,垂直和水平远... 详细信息
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高阻GaN薄膜电阻率测量
高阻GaN薄膜电阻率测量
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 方测宝 李晋闽 王晓亮 肖红领 王翠梅 冉军学 李成基 罗卫军 杨翠柏 曾一平 中国科学院半导体研究所 北京100083
建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的高阻GaN薄膜电阻率装置,并简述了其测量电阻率的原理.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起的测量误差。
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