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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

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- 3 篇 计算机科学与技术...
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- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
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49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
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23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
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19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
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18 篇 x射线衍射
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机构

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43 篇 西安电子科技大学
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32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

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61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
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21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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Ni掺杂ZnO基稀磁半导体的性质研究

Ni掺杂ZnO基稀磁半导体的性质研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：修向前李斌斌张荣陈琳谢自力韩平施毅郑有炓光电信息材料重点实验室和南京大学物理系南京210093

本文采用溶胶-凝胶法制备了具有高温铁磁性的Ni掺杂ZnO DMS粉末.研究表明,当掺杂浓度小于5％时,样品中没有第二相.微观结构和磁学性质研究认为,样品中存在的结构有:主要的铁磁性的(Zn,Ni)O,一些顺磁性的孤立Ni原子,以及可能存在微量的N... 详细信息

本文采用溶胶-凝胶法制备了具有高温铁磁性的Ni掺杂ZnO DMS粉末.研究表明,当掺杂浓度小于5％时,样品中没有第二相.微观结构和磁学性质研究认为,样品中存在的结构有:主要的铁磁性的(Zn,Ni)O,一些顺磁性的孤立Ni原子,以及可能存在微量的Ni团簇.而样品的宏观铁磁性主要来源于具有铁磁性的(Zn,Ni)O结构,居里温度约为650K.

关键词：溶胶-凝胶法氧化锌稀磁半导体 Ni掺杂

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GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性

GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵有文孙文荣段满龙董志远中国科学院半导体研究所北京100083

本文研究了液封直拉法生长的GaSb和InAs单晶的一些晶格缺陷.在GaSb和InAs(100)晶片的局部区域容易形成高密度位错聚集区,引起严重的晶格畸变.实验结果表明化学配比偏离(特别是富砷条件下)明显降低了InAs单晶的晶格完整性.避免生长过程... 详细信息

本文研究了液封直拉法生长的GaSb和InAs单晶的一些晶格缺陷.在GaSb和InAs(100)晶片的局部区域容易形成高密度位错聚集区,引起严重的晶格畸变.实验结果表明化学配比偏离(特别是富砷条件下)明显降低了InAs单晶的晶格完整性.避免生长过程中大的温度过冷度、保持化学配比是避免这类结构缺陷产生,制备高质量晶体的关键.

关键词： GaSb单晶 InAs单晶晶格缺陷液封直拉法化学配比

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光子晶体垂直腔型表面发射和接收光电子器件

光子晶体垂直腔型表面发射和接收光电子器件

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：宋倩许兴胜鲁琳胡海洋王春霞杜伟刘发民陈弘达北京航空航天大学理学院北京100083 中国科学院半导体研究所光电子研发中心北京100083 中国科学院半导体研究所光电子研发中心北京100083 北京航空航天大学理学院北京100083

本文介绍了光子晶体垂直腔面发射激光器和光子晶体谐振腔增强型探测器的研制方法和主要制备工艺,如光谱测试,氧化工艺和光子晶体制作等,并对测试结果进行了分析.

关键词：光子晶体垂直腔面发射激光器单模光子面阵集成谐振腔增强光电探测器光谱测试

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光子晶体垂直腔面发射激光器

光子晶体垂直腔面发射激光器

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：鲁琳许兴胜裴为华阚强宋倩陈弘达中国科学院半导体研究所光电子研发中心北京100083

本文介绍了光子晶体垂直腔面发射激光器的制备工艺、工作原理、基本特性和研究进展.光子晶体垂直腔面发射激光器是一种新型的半导体激光器,它具有大出光孔径、较高的出光功率、稳定的单模、多芯传输等特点,而且具有优良的热特性和高速... 详细信息

本文介绍了光子晶体垂直腔面发射激光器的制备工艺、工作原理、基本特性和研究进展.光子晶体垂直腔面发射激光器是一种新型的半导体激光器,它具有大出光孔径、较高的出光功率、稳定的单模、多芯传输等特点,而且具有优良的热特性和高速调谐特性,可在二维光信息处理的GaAs基近红外波段激光器、面阵集成等方面具有很大的应用潜力.

关键词：光子晶体垂直腔面发射激光器高功率光子面阵集成

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ZnO材料的带边光致发光研究

ZnO材料的带边光致发光研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：何海平叶志镇唐海平黄海辉陈兰兰朱丽萍赵炳辉浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027

本文采用变温PL谱方法研究了四种不同ZnO材科室温带边发光峰(NBE)的起源.根据具体材料的不同,在NBE中占主导地位的跃迁可能有激子复合,自由电子-中性受主跃迁,包含深能级中心的施主-受主对复合,以及声子伴峰.本文的结果有助于对ZnO材料... 详细信息

本文采用变温PL谱方法研究了四种不同ZnO材科室温带边发光峰(NBE)的起源.根据具体材料的不同,在NBE中占主导地位的跃迁可能有激子复合,自由电子-中性受主跃迁,包含深能级中心的施主-受主对复合,以及声子伴峰.本文的结果有助于对ZnO材料室温NBE起源的判断和对ZnO材料中缺陷行为的研究.

关键词： ZnO 带边发光半导体材料变温PL谱

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多晶GaAs薄膜的生长及有机GaAs复合发光器件

多晶GaAs薄膜的生长及有机GaAs复合发光器件

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曹峻松秦大山曹国华曾一平李晋闽中国科学院半导体研究所新材料部北京100083

研究了在无定型衬底上采用MBE手段生长的GaAs薄膜.在玻璃衬底上,400℃直接生长的GaAs薄膜为无定型态,但经过2个小时的原位恒温(400℃)处理后,无定型态GaAs薄膜变成多晶态,其形态结构与在石英衬底上600℃时直接生长的多晶态GaAs薄膜较为... 详细信息

研究了在无定型衬底上采用MBE手段生长的GaAs薄膜.在玻璃衬底上,400℃直接生长的GaAs薄膜为无定型态,但经过2个小时的原位恒温(400℃)处理后,无定型态GaAs薄膜变成多晶态,其形态结构与在石英衬底上600℃时直接生长的多晶态GaAs薄膜较为一致.基于400℃、ITO玻璃上生长的GaAs薄膜,我们制备了有机GaAs复合发光器件.

关键词： GaAs薄膜生长无定型衬底有机GaAs发光器件原位恒温处理

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衬底对磁控溅射生长GaN薄膜相结构影响

衬底对磁控溅射生长GaN薄膜相结构影响

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张春光陈维德中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室北京100083

本文采用磁控溅生长技术在GaAs(100),Si(100),Si(111),Al2O3(0001)和玻璃等不同衬底生长GaN薄膜.同时采用X射线双晶衍射,光致发光光谱和Raman散射谱等技术对薄膜的结构进行表征.结果表明所生长的GaN薄膜与衬底存在由立方闪锌矿到六方纤... 详细信息

本文采用磁控溅生长技术在GaAs(100),Si(100),Si(111),Al2O3(0001)和玻璃等不同衬底生长GaN薄膜.同时采用X射线双晶衍射,光致发光光谱和Raman散射谱等技术对薄膜的结构进行表征.结果表明所生长的GaN薄膜与衬底存在由立方闪锌矿到六方纤锌矿的相结构的转变关系。

关键词： GaN薄膜光致发光光谱磁控溅射生长相结构结构表征

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GaN基功率型LED可靠性分析

GaN基功率型LED可靠性分析

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈宇伊晓燕王立彬刘志强马龙王良臣严丽红中科院半导体研究所北京100083

以GaN基蓝光芯片为基础制备了功率型蓝光和白光LED,在室温25℃、湿度35％、驱动电流350mA连续老化1080小时后,并对LED的失效机理进行分析.结果表明,功率型蓝光和白光LED光衰随时间呈指数变化,分别平均衰减2.56％和1.35％,GaN基外延材料... 详细信息

以GaN基蓝光芯片为基础制备了功率型蓝光和白光LED,在室温25℃、湿度35％、驱动电流350mA连续老化1080小时后,并对LED的失效机理进行分析.结果表明,功率型蓝光和白光LED光衰随时间呈指数变化,分别平均衰减2.56％和1.35％,GaN基外延材料质量、芯片的结构设计、P电极的欧姆接触稳定性等对LED可靠性的有重要的影响。

关键词：氮化镓基外延材料功率LED 老化试验退化机理欧姆接触

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4H-SiC MESFET结构外延技术研究

4H-SiC MESFET结构外延技术研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李哲洋董逊柏松陈刚陈堂胜陈辰南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室210016

本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡... 详细信息

本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,文中给出了部分器件测试结果.

关键词： 4H-SiC SEM SIMS MESFET结构