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硅(Si)衬底上碳化硅(SiC)薄膜的快速生长
硅(Si)衬底上碳化硅(SiC)薄膜的快速生长
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 李家业 赵永梅 刘兴昉 孙国胜 王雷 赵万顺 罗木昌 曾一平 李晋闽 中国科学院半导体研究所 北京100083
本文用垂直式低压化学气相沉积(LPCVD)系统,在(111)和(100)Si衬底上进行了SiC的快速外延生长.对得到的SiC外延膜用Nomarski光学显微镜和X射线衍射(XRD)进行了分析.探讨了生长速度与反应气体流量的关系,HCl在反应过程中的机理,以及在快... 详细信息
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凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析
凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 陈辰 陈堂胜 任春江 薛舫时 南京大学 210008 单片集成电路和模块国家级重点实验室 210016
本文对比了研制的(a)无场调制板结构,(b)有场调制板结构但无凹槽栅,(c)结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaNHEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工艺可以有效改善AlGaN/GaN HEMT器件沟道内电场分布,显著减小... 详细信息
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InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究
InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 齐鸣 徐安怀 艾立鹍 孙浩 朱福英 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ2"InP基HBT和φ4"InGaP/GaAs HBT外延材科.所发展的GSMBE外延技术,... 详细信息
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基于镁掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管
基于镁掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 曹国华 秦大山 曹俊松 曾一平 李晋闽 中国科学院半导体研究所新材料部 北京100083
本文采用镁掺杂有机受体材料3,4,9,10 perylenetetracarboxylic dianhydride(PTCDA)做为电子注入层、银做为阴极制备了一种新型的有机发光二极管.同传统的Mg:Ag合金电极相比,PTCDA:Mg/Ag对Alq3的电子注入能力略有提高,但是由于银在可见... 详细信息
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利用常规工艺实现光子晶体GaN LED出光效率的提高
利用常规工艺实现光子晶体GaN LED出光效率的提高
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 胡海洋 许兴胜 鲁琳 宋倩 杜伟 王春霞 陈弘达 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室北京100083
计算了GaN二维光子晶体的能带结构,并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED.经过器件测试表明,与没有制作光子晶体的器件相比,光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1.5倍以上.另外,还对感应耦合等离... 详细信息
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37.5Gbit/s并行光发射模块的研制
37.5Gbit/s并行光发射模块的研制
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 唐君 陈弘达 裴为华 贾九春 周毅 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点联合实验室北京100083
本文制作并测试了12信道总传输速率为37.5 Gbit/s的高速并行光发射模块,其中单信道传输速率为3.125 Gbit/s.模块采用波长为850nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为光源.耦合过程采用了一种利用倒装焊设备进行激光器阵列与列阵光纤之间的... 详细信息
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ZnO微米棒的变温光谱和压力光谱
ZnO微米棒的变温光谱和压力光谱
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 丁琨 苏付海 王文杰 李国华 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室北京100083
本文研究了ZnO微米棒的变温光谱和压力光谱.室温下ZnO的光致发光谱由位于3.0 eV处的UV带和位于2.4 eV处的绿光带组成.低温下UV带呈现多峰结构,由中性施主束缚激子发光,自由激子发光及其声子伴线组成.低温下在绿光带的高能端可以观察到... 详细信息
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质子辐照对超辐射发光二极管性能的影响
质子辐照对超辐射发光二极管性能的影响
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 赵妙 孙孟相 中国科学院半导体研究所
用能量分别为300keV和1MeV,注量为1×1012和1×1013p/cm2的质子对超辐射发光二极管(SLD)进行辐照,对辐照前后器件的光学和电学性能进行了测试,结果表明,在相同注量辐照的条件下,350keV与1MeV能量质子辐照引起的辐照损伤相比,前... 详细信息
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并行光收发模块与光互连
并行光收发模块与光互连
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 陈雄斌 唐君 周毅 裴为华 刘博 陈弘达 集成光电子学国家重点实验室 中国科学院半导体研究所北京1000831
本文以GaAs基VCSEL列阵为光源成功研制出12路并行光发射模块,总速率达到了37.5Gbps;以GaAs基12路PIN探测器列阵为接收单元研制出响应速率达30Gbps的12路并行光接收模块;采用并行光收发模块研制出并行光传输系统,其系统传输速率达到10Gbi... 详细信息
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4H-SiC TBS结构双极晶体管特性模拟
4H-SiC TBS结构双极晶体管特性模拟
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 陈洪波 张义门 张玉明 汤晓燕 西安电子科技大学微电子所 教育部宽禁带半导体重点实验室西安710071
本文中,利用二维器件仿真软件Medici建立4H-SiC双极晶体管模型,并在此基础上,对4H-SiC TBS结构双极晶体管进行了模拟研究,结果显示共射极最大电流增益为47,击穿电压大于1000V.与普通结构的双极晶体管特性相比较,TBD结构双极晶体管显示... 详细信息
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