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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
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学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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一种双色量子阱红外探测器顶部光栅的设计及优化

一种双色量子阱红外探测器顶部光栅的设计及优化

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王科郑婉华马小涛任刚杜晓宇邢名欣陈良惠中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室北京100083

本文采用三维时域有限差分算法(3D-FDTD)对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(QWIP)的顶部光栅结构的光场分布进行了仿真分析,得到了多种不同周期、占空比、深度的二维光子晶体结构耦合效率及电磁场分布.设计了一种双色8μm/12μm探测器的光... 详细信息

本文采用三维时域有限差分算法(3D-FDTD)对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(QWIP)的顶部光栅结构的光场分布进行了仿真分析,得到了多种不同周期、占空比、深度的二维光子晶体结构耦合效率及电磁场分布.设计了一种双色8μm/12μm探测器的光栅结构,可同时对双波段提供较高的耦合效率.

关键词：红外探测器量子阱光子晶体三维时域有限差分算法

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硅基3C-SiC热氧化机理研究

硅基3C-SiC热氧化机理研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵永梅孙国胜刘兴昉李家业赵万顺王雷罗木昌李晋闽中国科学院半导体研究所北京100083

本文采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.采用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050℃.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar+溅射技术,在不同的溅射时间下,对氧化生长的SiO2层及SiO2/SiC界... 详细信息

本文采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.采用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050℃.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar+溅射技术,在不同的溅射时间下,对氧化生长的SiO2层及SiO2/SiC界面层的化学键和组成成分进行了深度谱分析,在此基础上提出了热氧化模型,探讨了3C-SiC的热氧化机理.

关键词：热氧化 XPS 氧化机理低压化学气相沉积

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In0.53Ga0.47As/InP红外探测器材料与器件

In0.53Ga0.47As/InP红外探测器材料与器件

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：缪国庆金亿鑫张铁民谢建春蒋红李志明宋航中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033

采用LPMOCVD技术生长了In0.53Ga0.47As红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元和1×8线列器件,光谱响应范围为0.90-1.70μm,量子效率为73％,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏... 详细信息

采用LPMOCVD技术生长了In0.53Ga0.47As红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元和1×8线列器件,光谱响应范围为0.90-1.70μm,量子效率为73％,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F.探测器波段探测率为1012 cmHz1/2W-1.

关键词：金属有机化合物气相沉积铟镓砷探测器红外探测器磷化铟材料

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后摩尔时代的微电子技术探讨

后摩尔时代的微电子技术探讨

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室

根据国际半导体技术蓝图(ITRS)发布的未来半导体工艺技术预测,2016年世界集成电路主流工艺线宽为22纳米,2022年达到10纳米.这时,以硅为基础的微电子技术发展所遵循的摩尔定律将受到挑战;为此,必须发展基于全新原理的新技术,以满足人类... 详细信息

根据国际半导体技术蓝图(ITRS)发布的未来半导体工艺技术预测,2016年世界集成电路主流工艺线宽为22纳米,2022年达到10纳米.这时,以硅为基础的微电子技术发展所遵循的摩尔定律将受到挑战;为此,必须发展基于全新原理的新技术,以满足人类不断增长的对信息量的需求.本文首先介绍硅材料国内、外的发展现状与趋势,进而讨论后摩尔时代的微电子技术发展可能采取的对策,最后展望基于全新原理的纳米电子、量子信息技术的发展前景.

关键词：硅材料纳米电子量子信息半导体工艺集成电路工艺

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基于序进应力加速试验评价器件失效率的新方法

基于序进应力加速试验评价器件失效率的新方法

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：郭春生李秀宇马卫东谢雪松刘鹏飞李志国北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室北京100022

基于对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速确定半导体器件失效率及寿命分布的新方法.新方法将序进应力加速试验应用于失效率评价中,在计算失效激活能并外推寿命的基础上,确定微电子器件的寿命分布及相应的失效率.并以样品3DG13... 详细信息

基于对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速确定半导体器件失效率及寿命分布的新方法.新方法将序进应力加速试验应用于失效率评价中,在计算失效激活能并外推寿命的基础上,确定微电子器件的寿命分布及相应的失效率.并以样品3DG130为例,进行了160℃-310℃范围内的序进应力加速寿命试验,然后根据模型,计算得到了器件的寿命分布和失效率.结果与文献能够很好的吻合,验证了方法的可行性。

关键词：序进应力加速试验半导体器件寿命试验失效率微电子器件

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AlGaN/GaN HFET中的陷阱位置和激活能

AlGaN/GaN HFET中的陷阱位置和激活能

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：薛舫时单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

自洽求解薛定谔方程和泊松方程得到异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数.研究了表面陷阱位置及其激活能.发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度,显著增强了热电子隧穿过程.从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型... 详细信息

自洽求解薛定谔方程和泊松方程得到异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数.研究了表面陷阱位置及其激活能.发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度,显著增强了热电子隧穿过程.从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型出发,解释了HFET的瞬态电流和产生-复合噪声.最后讨论了改进材料生长和器件工艺来抑制陷阱效应,改善器件性能的途径.

关键词： AlGaN GaN场效应管陷阱位置激活能表面缺陷热电子隧穿薛定谔方程异质结能带

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Si(111)衬底上GaN的GSMBE生长及组分渐变AlxGa1-xN缓冲层的作用

Si(111)衬底上GaN的GSMBE生长及组分渐变AlxGa1-xN缓冲层的作用

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：林郭强曾一平王晓亮刘宏新中国科学院半导体研究所北京市100083

使用NH3源MBE在Si(111)衬底上生长了(0001)面的六方GaN外延层.插入不同层数和组分的AlzGa1-xN缓冲层后,发现AlxGa1-xN层的组分变化越平滑,GaN外延层中的张应力就越小,同时微裂纹密度也越低.得到的GaN外延层(0002)峰的双晶X射线摇摆曲线... 详细信息

使用NH3源MBE在Si(111)衬底上生长了(0001)面的六方GaN外延层.插入不同层数和组分的AlzGa1-xN缓冲层后,发现AlxGa1-xN层的组分变化越平滑,GaN外延层中的张应力就越小,同时微裂纹密度也越低.得到的GaN外延层(0002)峰的双晶X射线摇摆曲线半高宽为13.0弧分,原子力显微镜(AFM)5μm×5μm扫描的均方根粗糙度为2.002 nm。

关键词：分子束外延氮化镓外延层硅衬底铝镓氮薄膜

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表面处理对p-GaN欧姆接触特性的影响

表面处理对p-GaN欧姆接触特性的影响

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵德胜张书明朱建军赵德刚段俐宏张宝顺杨辉中国科学院半导体研究光电子研究发展中心北京100083 长春理工大学长春130022 中国科学院半导体研究光电子研究发展中心北京100083

本文研究了王水溶液对p-GaN欧姆接触特性的作用.在蒸镀欧姆电极之前采用王水溶液对表面进行处理,使p-GaN的比接触电阻率从8×10-3Ω·cm2降低到2.9×10-4Ω·cm2.利用X射线光电子谱(XPS)对p-GaN表面氧含量进行分析,结... 详细信息

本文研究了王水溶液对p-GaN欧姆接触特性的作用.在蒸镀欧姆电极之前采用王水溶液对表面进行处理,使p-GaN的比接触电阻率从8×10-3Ω·cm2降低到2.9×10-4Ω·cm2.利用X射线光电子谱(XPS)对p-GaN表面氧含量进行分析,结果表明王水可以有效的去除了p-GaN表面氧化物,从而改善p-GaN的欧姆接触特性。

关键词：王水溶液 p-GaN欧姆接触表面处理 X射线光电子谱比接触电阻率

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化学气相传输法大尺寸ZnO单晶生长模式控制

化学气相传输法大尺寸ZnO单晶生长模式控制

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵有文董志远魏学成李晋闽中国科学院半导体研究所北京市912信箱北京100083

本文分析了化学气相传输法(CVT)生长ZnO单晶的动力学、机理、模式与温度和组份过饱和蒸气压的关系.单晶生长实验给出的ZnO晶体表面形貌和生长现象与理论预计的结果一致.结果表明通过控制生长过程中的组份过饱和蒸气压、温度和化学配比... 详细信息

本文分析了化学气相传输法(CVT)生长ZnO单晶的动力学、机理、模式与温度和组份过饱和蒸气压的关系.单晶生长实验给出的ZnO晶体表面形貌和生长现象与理论预计的结果一致.结果表明通过控制生长过程中的组份过饱和蒸气压、温度和化学配比可以控制ZnO单晶的二维成核生长模式,获得厚度均匀、单一晶向的高质量大尺寸ZnO单晶.

关键词：氧化锌生长模式二维成核化学气相传输法单晶生长

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Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质研究

Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质研究

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：郑玉宏赵建华毕京锋王玮竹邓加军夏建白中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083 中国科技大学物理系安徽合肥230026 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083

利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量证明了InAs:Cr自组织量子点的铁磁转变温度高于400 K.

关键词：稀磁半导体铁磁性分子束外延 InAs 自组织量子点

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